《半導(dǎo)體器件概論》ppt課件(文件)
【正文】 N N P 基極 發(fā)射極 集電極 基區(qū)：較薄，摻雜濃度低 集電區(qū)：面積較大 發(fā)射區(qū)：摻 雜濃度較高 結(jié)構(gòu)上 (不對稱 ）的這種特征是放大的內(nèi)部條件 。 55 B E C N N P EB RB Ec IE 集電結(jié)反偏，有少子形成的反向電流 ICBO。 對 PNP型管子，電源極性與 NPN型管子 相反， UBE0 UCE0。 當(dāng) UCE大于一定的數(shù)值時， IC幾乎與 UCE無關(guān)，只與 IB有關(guān)，IC=?IB。 共射 直流 電流放大倍數(shù) ： BC_ _ _II??（ 1）電流放大倍數(shù) ? ___?66 工作于動態(tài)的三極管，真正的信號是疊加在直流上的交流信號。三極管的溫度特性較差 。 PC?PCM 73 IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作區(qū) （ SOA） 74 輸出特性三個區(qū)域的特點 : (1)放大區(qū)： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 第一章 半導(dǎo)體器件 要點： ： 從穩(wěn)壓管的主要作用是穩(wěn)定輸出電壓這點出發(fā)了解其性能特點，并結(jié)合其外特性了解應(yīng)具備何種工作條件才能使其穩(wěn)壓？ ： 三極管的主要作用是放大，由此了解為何能放大？它放大什么物理量？結(jié)合其外特性了解應(yīng)具備哪些條件才能使其放大？ 外因（ 外部條件 ）通過內(nèi)因（ 內(nèi)部機理、根據(jù) ）而起作用。 即： ︱ UBE ︱ ≥ ︱ UCE ︱ ， ?IBIC， UCE?0 (3) 截止區(qū)： ︱ UBE︱ 死區(qū)電壓， IB=0 ， IC=ICEO ?0 75 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 當(dāng) USB = 2V、 2V、 5V時， 晶體管的靜態(tài)工作點 Q位 于哪個區(qū)？ 當(dāng) USB =2V時： IB=0 ， IC=0 Q位于截止區(qū) IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE ＋ － ＋ － 76 USB =2V時： USC=UCE+ICRC UCE= Q處于放大區(qū) IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE ＋ － ＋ － 77 USB =5V時 : Q 位于飽和區(qū)，此時 IC 和 IB 已不是 ? 倍的關(guān)系。手冊上給出的數(shù)值是 25?C、 基極開路時的擊穿電壓 U(BR)CEO。 69 （ 3）集 射極反向截止電流 ICEO（穿透電流） ?A ICEO ICEO≈（ 1＋ ?） ICBO 70 （ 4）集電極最大電流 ICM 集電極電流 IC 上升會導(dǎo)致三極管的? 值的下降，當(dāng) ? 值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為 ICM。 64 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死區(qū)電壓，稱為截止區(qū)。 工作壓降： 硅管UBE?~,鍺管UBE?~。 IC=ICE+ICBO?ICE IBE 2 ICE ECEB 56 IB=IBEICBO?IBE IB 3 B E C N N P EB RB Ec IE ICBO ICE IC=ICE+ICBO ?ICE IBE 57 4 ICE與 IBE之比稱為電流放大倍數(shù) 要使三極管能放大電流， 必須使發(fā)射結(jié)正偏 , 集電結(jié)反偏（ 這是放大的外部條件） ； 即： ︱ UBE ︱ ︱ UCE ︱ 并且 對 NPN型管滿足 UBE0 ， UCE0 ； 對 PNP型管滿足 UBE0 ， UCE0 。 IE 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴散可忽略。 I U 照度增加 注意小箭頭方向！ 49 * 發(fā)光二極管 有 正向 電流流過時，發(fā)出一定波長范圍的光，目前的發(fā)光管可以發(fā)出從紅外到可見波段的光，它的電特性與一般二極管類似。（ 6V左右 ?U≈0， 最好 ） （ 3）動態(tài)電阻 ZZΔΔZ IUr ?45 （ 4）穩(wěn)定電流 IZ、 最大、最小穩(wěn)定電流 Izmax 、 Izmin 。 二極管的其他應(yīng)用： 限幅、續(xù)流、鉗位（ 見教材 P7～ 9， 自學(xué) ） 43 167。 *當(dāng)所加電壓的頻率較高時則還要考慮其結(jié)電容的影響 。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流要大幾十到幾百倍。手冊上給出的 反向工作峰值電壓 URWM一般是 UBR的一半。 導(dǎo)通壓降 : 硅管 ~,鍺管 ~。 33 半導(dǎo)體二極管 (1)、基本結(jié)構(gòu) PN結(jié)加上管殼和引線
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