半導(dǎo)體器件bwuppt課件-文庫吧資料
2025-01-25 01:25本頁面
【正文】 B E RC UBE Q 位于飽和區(qū)，此時(shí) IC 和 IB 已不是 ? 倍的關(guān)系。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB 0IBIBS (2) 飽和區(qū)： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。 上 頁 返 回 140 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域中 : IB=0, IC=ICEO, UBE 死區(qū)電壓，稱為截止區(qū)。 當(dāng) UCE大于一定的數(shù)值時(shí)， IC只與 IB有關(guān)，IC=?IB。 UCE=0V UCE = 死區(qū)電壓，硅管 ，鍺管 。 mA10m i n ???LZWz RUIi ???? RUiRu zWi—— 方程 2 uo iZ DZ R iL i ui RL 聯(lián)立方程 2，可解得： ??? k50V7518 .R,.u i上 頁 返 回 130 基本結(jié)構(gòu) B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 NPN型 P N P 集電極 基極 發(fā)射極 B C E PNP型 167。 求： 電阻 R和輸入電壓 ui 的正常值。 例 uo iZ DZ R iL i ui RL 5 m A 2 0 m A , V,10m i nm a x???zzzWIIU穩(wěn)壓管的技術(shù)參數(shù) : 負(fù)載電阻 。 （ 5）最大允許功耗 m a xZZZM IUP ?（ 1） 穩(wěn)定電壓 UZ （ 2） 電壓溫度系數(shù) ?U（ %/℃ ） 穩(wěn)壓值受溫度變化影響的的系數(shù)。 167。 上 頁 返 回 126 穩(wěn)壓二極管 U I IZ IZmax ?UZ ?IZ 穩(wěn)壓誤差 曲線越陡，電壓越穩(wěn)定。 +5V F R A B DA DB 解： 當(dāng) A、 B端的電位為 0V、 3V時(shí)，二極管設(shè) DA導(dǎo)通、 DB反偏截止；忽略正向壓降，輸出端 F的電位 VF為 0V。 導(dǎo)通壓降 : 硅管 ~,鍺管 ~。 P N 二極管的電路符號： 167。由于電源的作用，漂移運(yùn)動不斷地進(jìn)行，形成反向電流，其值非常小，可忽略。少子漂移加強(qiáng)，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。由于電源的作用，擴(kuò)散運(yùn)動不斷地進(jìn)行，形成正向電流，正向電阻很小。 上 頁 返 回 118 － － － － + + + + R E 一、 PN 結(jié)正向偏置 內(nèi)電場 外電場 變薄 P N + _ 內(nèi)電場被削弱，多子的擴(kuò)散加強(qiáng)能夠形成較大的擴(kuò)散電流。 上 頁 返 回 116 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 空間 電荷區(qū) N型區(qū) P型區(qū) 電位 V V0 上 頁 返 回 117 PN結(jié)的單向?qū)щ娦? PN 結(jié) 加上正向電壓 、 正向偏置 的意思都是 ： P 區(qū)加正、 N 區(qū)加負(fù)電壓。 空間電荷區(qū)， 也稱耗盡層。 上 頁 返 回 114 P型半導(dǎo)體 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半導(dǎo)體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 擴(kuò)散運(yùn)動 內(nèi)電場 E 漂移運(yùn)動 擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬。
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