【正文】 少數(shù)載流子分布 ? ?xnp ? ?xnp ? ?0pn 0pn 0 BBxx ? Bx 0CEI （EBV? 0 ） （EBV = 0 ） 0 0CBI 0pn （ a ） （ b ） EBV CBV0CBI CEOI 雙極結(jié)型晶體管 電流增益 FEh 0? ? ?? T? ?? dB3 dB3 體管的頻率響應(yīng)： 常數(shù)?? CBVECdIdI?常數(shù)?? CEVBCfe dIdIh圖 322 電流增益作為頻率的函數(shù) 信 號的共基極和共發(fā)射極電流增益定義為： 雙極結(jié)型晶體管 ⑴ 共基極截止頻率 ： 的大小下降為 （即 的模量的平方等于 的一半或者說下降 3dB）時的頻率。 綜合 1）， 2） 隨 的增加而增加。 減小使 增加 ， 從而集電極電流 將隨的 增加而增加 。 VCB （ V ） 0 2 4 6 8 10 IC （mA） 2 4 6 8 10 mAIE0? 10 6 8 4 2 有源區(qū) 飽和區(qū) 截止區(qū) IC （mA） 0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10 VCE （ V ） AIB?0? 1 2 5 75 1 0 0 50 25 （ a ） （ b ） 圖 38 集 電結(jié)電 流 ? 電壓 特性：（ a）共基 極 情形，（ b）共 發(fā) 射 極 情形 雙極結(jié)型晶體管 前面的討論中默認(rèn)有效基區(qū)寬度 是不變的，實際上 是集電結(jié)偏壓的函數(shù)。但圖 38(b)中的電流卻隨集電極電壓的增加而增加。 雙極結(jié)型晶體管 0011CCBF E B CEIIIh I I????????? 在共發(fā)射極電路正向有源模式下，對于給定的基極電流，集電極電流應(yīng)當(dāng)與集電極電壓無關(guān)。 ? 掌握有源電阻、無源電阻、基區(qū)擴展電阻和電流集聚的概念。非均勻載流子的注入使得沿著發(fā)射結(jié)出現(xiàn)非均勻的電流分布。 非工作基區(qū)：指在發(fā)射區(qū)下方以外從表面到 xjc 處的基區(qū)，也稱為 無源基區(qū) 或 外基區(qū) 。由于基區(qū)很薄， rbb’ 的截面積很小，使 rbb’ 的數(shù)值相當(dāng)可觀，對晶體管的特性會產(chǎn)生明顯的影響。 ? ：導(dǎo)出緩變發(fā)射區(qū)晶體管發(fā)射區(qū)少子空穴分布和空穴電流分布表達式（考研參考）。 ? （ 356）。 22211nBT Lx???雙極結(jié)型晶體管 學(xué)習(xí)要求 ? （ 352）。這時電子通過擴散和漂移越過基區(qū)薄層，致使輸運因子增加。 雙極結(jié)型晶體管 ? ? ? ?dx xdNxN V aa T?? （ 352） ? ? dxNNq A DIxn Bxx aannp ???（ 355） 式（ 356）中負號表示電流沿－ x方向。少子在基區(qū)主要作擴散運動，又稱為 擴散晶體管。 ?理解寫出方程（ 342）的根據(jù)。 1ME? 1ME?2ME? 3ME? 莫爾方程 雙極結(jié)型晶體管 ? 了解 E－ M方程中四個參數(shù)的物理意義 ? 根據(jù) E－ M方程寫出四種模式下發(fā)射極電流和集電極電流表達式。在 模型的基礎(chǔ)上計及非線性電荷貯存效應(yīng)和歐姆電阻，就構(gòu)成第二級復(fù)雜程度的 模型。 端電流為 ： RRFE III ????RFFC III ?? ?（ 346） （ 347） 聯(lián) 立（ 344），（ 345），（ 346） 和 （ 347） 式得到 ? ? ? ?11 00 ????? TCTE VVRRVVFE eIeII ?? ? ? ?11 00 ???? TCTE VVRVVFFC eIeII ?（ 348） （ 349） （ 348）和（ 349）式即 為 EM方程 莫爾方程 雙極結(jié)型晶體管 將 （ 348） 式與 （ 340） 式比較 ， （ 349） 式與 （ 342） 式比較 ， 得到 （ 350） ?????????????022021012011RFFRRFIaIaIaIa??由于 2112 aa ? 有 00 FFRR II ?? ?（ 351）式稱為互易關(guān)系 。 R? 叫做反向共基極電流增益 。 ? ?0 111s in hCTETnp VVVVBnEnn BnDn xI q A c th e eLL xL??????? ? ? ??????????? ????（ ）? ?2 1ETVVipEd E Enq A D eNx??? ?pE EIW?nB Lx ??? ? ? ?211 CTET VVVVninEaBq A D nI e eNx??? ? ? ???（ 319） （ 324） 愛伯斯 — 莫爾（ EbersMoll）方程 發(fā)射極注入到基極的電子電流為 : 基極注入到發(fā)射極的空穴電流為 : 雙極結(jié)型晶體管 暫時把發(fā)射結(jié)空間電荷區(qū)復(fù)合電流看作是外部電流 ， 則 ? ?nEpEE III ??? ? ? ? ?11 1211 ???? TCTE VVVV eaea （ 340） ???????? ???EdEpEBani xNDxNDq A na 211BainxNnq A Da 212 ?用類似的方法得到 ? ? ? ?11 2221 ???? TCTE VVVVC eaeaI其中 BainxNnq A Da 221 ? ???????? ???pCdCpCBani LNDxNDq A na 222（ 341） （ 342） （ 343） (340）和（ 342）稱為愛伯斯 — 莫爾方程，簡稱為 EM 方程 。 雙極結(jié)型晶體管 莫爾方程 雙極晶體管有四種工作模式，取決于發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的偏置狀況。 雙極結(jié)型晶體管 （ 1） 各區(qū)雜質(zhì)都是均勻分布的 ， 因此中性區(qū)不存在內(nèi)建電場； （ 2） 結(jié)是理想的平面結(jié) ， 載流子作一維運動； （ 3） 橫向尺寸遠大于基區(qū)寬度 ， 并且不考慮邊緣效應(yīng) ， 所以載流 子運動是一維的； （ 4） 基區(qū)寬度遠小于少子擴散長度； （ 5） 中性區(qū)的電導(dǎo)率足夠高 ， 串聯(lián)電阻可以忽略 ， 偏壓加在結(jié)空間電荷區(qū)上； （ 6） 發(fā)射結(jié)面積和集電結(jié)面積相等； （ 7） 小注入 ， 等等 理想晶體管的主要假設(shè)及其意義： 雙極結(jié)型晶體管 ???adNN x EW? 0 Bx Cx 圖 3 10 各區(qū)均勻摻雜 NP N 晶體管的雜質(zhì)分布 Ex? 雙極結(jié)型晶體管 邊界條件為： 中性基區(qū) （ 0? ? ） 少子電子分布及其電流 ： x Bx? ? ? ??????????????????????????????? ????nBnBVVpppLxLxxennxn TEs i n hs i n h100 ? ?????????????????????????????????nBnVVpLxLxen TCs in hs in h100022???npppnnndxndD?（ 316） ? ? TE VVpp enn 00 ??