半導(dǎo)體物理器ppt課件-文庫(kù)吧資料
2025-05-12 12:46本頁(yè)面
【正文】 兩個(gè)概念 : ? 外量子效率：?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)輸出二極管外的光子數(shù)目與注入的載流子數(shù)目之比。 GaP GaP發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 量子效率 ? 量子效率是發(fā)光二極管特性中一個(gè)與輻射量有關(guān)的重要參數(shù)。工作電流約為10mA。發(fā)光二極管的開(kāi)啟電壓很低， 是 ， 、 大約 。雖然對(duì)這些表面態(tài)的均勻分布沒(méi)有確定的論據(jù)，當(dāng)假定是均勻分布時(shí)，表面態(tài)的分布為 ，與實(shí)驗(yàn)的估計(jì)良好地一致。 N型半導(dǎo)體 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 (Auger)過(guò)程 圖 87俄歇過(guò)程 （ d ） （ e ） （ f ） P 型 P型半導(dǎo)體 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 (Auger)過(guò)程 圖 87俄歇過(guò)程 （ g ） （ h ） （ i ） 雜質(zhì)帶 激子 電子 激子 空穴 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 晶體表面處晶格的中斷，產(chǎn)生能從周?chē)诫s質(zhì)的懸掛鍵。 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 非輻射復(fù)合 圖 86 多聲子躍遷 0 1 2 5 10 20 50 100 200 300 400 500 600 光子能量 （ meV） 晶體中電子和空穴復(fù)合時(shí)，可以激發(fā)多個(gè)聲子的形式放出多余的能量。 當(dāng)?shù)入娮酉葳宸@了某一種載流子以后 ， 成為帶電中心 ， 這個(gè)帶電中心又由庫(kù)侖作用而俘獲帶電符號(hào)相反的載流子 ， 形成束縛激子 。 如果等電子雜質(zhì)的電負(fù)性比晶格原子的電負(fù)性大 ， 則可以形成電子的束縛態(tài) ， 這樣的等電子陷阱也可稱為等電子的電子陷阱 ， 這樣的雜質(zhì)稱為等電子受主 (如氮原子取代中 Gap磷原子 )。 等電子陷阱 ：由等電子雜質(zhì)代替晶格基質(zhì)原子而產(chǎn)生的束縛態(tài) 。 自由激子： 對(duì)于直接帶隙半導(dǎo)體材料，自由激子復(fù)合發(fā)射光子的能量為 nexcE式中 為激子能級(jí)。這種被庫(kù)侖能束縛在一起的電子 空穴對(duì)就稱為激子。 pNE? pEN 如果半導(dǎo)體吸收能量小于禁帶寬度的光子，電子從價(jià)帶激發(fā)。所以在實(shí)際工作中，往往需要盡量減少深能級(jí)，以提高發(fā)光效率。對(duì)于窄禁帶材料，要得到可見(jiàn)光是困難的，但對(duì)于寬禁帶材料，這類發(fā)光還是有實(shí)際意義的，例
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