半導體物理器ppt課件-文庫吧資料
2025-05-12 12:46本頁面
【正文】 兩個概念 : ? 外量子效率：單位時間內輸出二極管外的光子數(shù)目與注入的載流子數(shù)目之比。 GaP GaP發(fā)光二極管和半導體激光器 量子效率 ? 量子效率是發(fā)光二極管特性中一個與輻射量有關的重要參數(shù)。工作電流約為10mA。發(fā)光二極管的開啟電壓很低， 是 ， 、 大約 。雖然對這些表面態(tài)的均勻分布沒有確定的論據(jù)，當假定是均勻分布時，表面態(tài)的分布為 ，與實驗的估計良好地一致。 N型半導體 發(fā)光二極管和半導體激光器 (Auger)過程 圖 87俄歇過程 （ d ） （ e ） （ f ） P 型 P型半導體 發(fā)光二極管和半導體激光器 (Auger)過程 圖 87俄歇過程 （ g ） （ h ） （ i ） 雜質帶 激子 電子 激子 空穴 發(fā)光二極管和半導體激光器 晶體表面處晶格的中斷，產生能從周圍吸附雜質的懸掛鍵。 發(fā)光二極管和半導體激光器 非輻射復合 圖 86 多聲子躍遷 0 1 2 5 10 20 50 100 200 300 400 500 600 光子能量 （ meV） 晶體中電子和空穴復合時，可以激發(fā)多個聲子的形式放出多余的能量。 當?shù)入娮酉葳宸@了某一種載流子以后 ， 成為帶電中心 ， 這個帶電中心又由庫侖作用而俘獲帶電符號相反的載流子 ， 形成束縛激子 。 如果等電子雜質的電負性比晶格原子的電負性大 ， 則可以形成電子的束縛態(tài) ， 這樣的等電子陷阱也可稱為等電子的電子陷阱 ， 這樣的雜質稱為等電子受主 (如氮原子取代中 Gap磷原子 )。 等電子陷阱 ：由等電子雜質代替晶格基質原子而產生的束縛態(tài) 。 自由激子： 對于直接帶隙半導體材料，自由激子復合發(fā)射光子的能量為 nexcE式中 為激子能級。這種被庫侖能束縛在一起的電子 空穴對就稱為激子。 pNE? pEN 如果半導體吸收能量小于禁帶寬度的光子，電子從價帶激發(fā)。所以在實際工作中，往往需要盡量減少深能級，以提高發(fā)光效率。對于窄禁帶材料，要得到可見光是困難的，但對于寬禁帶材料，這類發(fā)光還是有實際意義的，例
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