半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)ppt課件-文庫吧資料
2025-05-12 12:47本頁面
【正文】 VVFeNp 00???熱平衡時： 導(dǎo)帶電子增加，意味著 EF更靠近 EC。 非平衡少數(shù)載流子在器件中起著極其重要的作用。 pn ???光照引起的附加光電導(dǎo)： pqnq pn ????? ??? 通過附加電導(dǎo)率測量可計算非平衡載流子。 noneguilibrium carriers GR（非平衡載流子的產(chǎn)生與復(fù)合） Chapter 5 Noneguilibrium Carriers (非平衡載流子 ) 產(chǎn)生率 G 復(fù)合率 R 如果在 外界作用 下，平衡條件破壞，偏離了熱平衡的狀態(tài) 非平衡狀態(tài) 。 外界作用 光 照射半導(dǎo)體表面 對 pn結(jié)施加 偏壓 ? ?gEh ??光注入 電注入 外界作用使半導(dǎo)體中產(chǎn)生非平衡載流子的過程叫非平衡載流子的 注入（ injection） 。 c a r r i e r s r i u mn o n e g u i l i b, ??? pnexcess carries (過剩載流子 ) n型半導(dǎo)體： Δn=Δp 《 n0， p型半導(dǎo)體 Δn=Δp 《 p0 n型半導(dǎo)體： n— Majority carriers（多數(shù)載流子） Δn — 非平衡多數(shù)載流子； p — Minority carriers （少數(shù)載流子）， Δp — 非平衡少數(shù)載流子。 外部條件拆除后，非平衡載流子逐漸消失，這一過程稱為非平衡載流子的 復(fù)合 。 外界作用 價帶空穴增加，意味著 EF更靠近 EV。有的非子生存時間長、有的短。 光照剛停止，復(fù)合 產(chǎn)生 n、 p 復(fù)合 復(fù)合 =產(chǎn)生 （恢復(fù)熱平衡） ?1 單位時間內(nèi)非子被復(fù)合掉的可能性 復(fù)合幾率 ?p?單位時間、單位體積凈復(fù)合消失的電子 空穴對（非子） 復(fù)合率 在 小注入 時， τ與 ΔP無關(guān) ，則 ? ? ?tcetp ???設(shè) t=0時， ΔP(t)= ΔP(0)= (ΔP)0, 那么 C= (ΔP)0，于是 ? ? ? ? ?teptp ???? 0 ? ?? ?eppt 0, ???? ?? 時非平衡載流子的壽命主要與復(fù)合有關(guān)。 表面復(fù)合 (surface rebination)：在半導(dǎo)體表面發(fā)生的 復(fù)合過程。 從釋放能量的方法分 : Radiative rebination (輻射復(fù)合 ) Nonradiative rebination (非輻射復(fù)合 ) Auger rebination (俄歇復(fù)合 ) 1 direct/bandtoband rebination（直接復(fù)合） 產(chǎn)生率 G Generation rate： 單位時間和單位體積內(nèi)所產(chǎn)生的電子 空穴對數(shù) 復(fù)合率 R R
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