半導(dǎo)體器ppt課件(2)-文庫(kù)吧資料
2025-05-12 12:43本頁(yè)面
【正文】 與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成電流 IB ，多數(shù)擴(kuò)散到集電結(jié)。 P32： ； ； 第 4節(jié) 晶體三極管 一 . 基本結(jié)構(gòu)、分類、符號(hào) B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 NPN型 P N P 集電極 基極 發(fā)射極 B C E PNP型 B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 基區(qū)：較薄，摻雜濃度低 集電區(qū)：面積較大 發(fā)射區(qū)：摻 雜濃度較高 集電結(jié) 發(fā)射結(jié) 晶體管放大的外部條件： 發(fā)射結(jié)加正向電壓；集電結(jié)加反向電壓。 I U 照度增加 發(fā)光二極管 有 正向 電流流過(guò)時(shí)，發(fā)出一定波長(zhǎng)范圍的光，目前的發(fā)光管可以發(fā)出從紅外到可見(jiàn)波段的光，它的電特性與一般二極管類似。 %/℃ ）； 最大允許功耗 PZM=UZIZM； 動(dòng)態(tài)電阻 RZ；越小輸出電壓越穩(wěn)定。 特點(diǎn)： 通常工作在反向擊穿區(qū)； 反向擊穿特性較陡。 ID 例 4：二極管的應(yīng)用 ： 已知兩個(gè)二極管的管壓降均為 ，求 UF 。包括整流、限幅、保護(hù)、檢波、開關(guān)、 信號(hào)處理 等等。 相當(dāng)于理想的開關(guān)。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流要大幾十到幾百倍。反向電流越小越好。 最高反向工作電壓 URM 允許施加的最高反向電壓，為擊穿電壓 UBR的一半左右。 符號(hào) 陽(yáng)極 正極 陰極 負(fù)極 二、伏安特性 U I 導(dǎo)通壓降 : 硅管 ~,鍺管 ~。少子漂移加強(qiáng)，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流，PN結(jié)截止 。 電位 V V0 PN結(jié) 正 向 偏 置 － － － － + + + + 內(nèi)電場(chǎng) 外電場(chǎng) 變薄 P N + _ 內(nèi)電場(chǎng)被削弱， 多子的擴(kuò)散加強(qiáng) 能夠形成較大的 擴(kuò)散電流， PN結(jié)導(dǎo)通。 最終 → 動(dòng)態(tài)平衡 ,穩(wěn)定 .耗盡 ,阻擋層 ,空間電荷區(qū) → PN結(jié) PN結(jié) 擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬，空間電荷區(qū)越寬。 多數(shù)載流子 由什么決定？ 少數(shù)載流子 由什么決定？ 多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 少子漂移運(yùn)動(dòng) + + + + P型半導(dǎo)體 N型半導(dǎo)體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － 內(nèi)電場(chǎng) E 空間電荷區(qū) ,耗盡層 ,阻擋層 二、 PN結(jié)的形成 結(jié)合 → 濃差 → 多子擴(kuò)散 → 界面復(fù)合 ,空間電荷區(qū) → 形成內(nèi)電場(chǎng) E方向 (N→P) 靜電場(chǎng) 作用 ,但是擴(kuò)散愈多 E愈強(qiáng) 。 +4 +4 +5 +4 N型半導(dǎo)體 多余電子 磷原子 P型半導(dǎo)體 +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意表示法 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N型半導(dǎo)體 － － － － － － － － － － － － －
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