半導(dǎo)體物理與器ppt課件-文庫吧資料
2025-05-12 12:46本頁面
【正文】 ?強電場： 351 0 1 0 /E V c m??d thlvv? ??dE ??? ? ? ?， v ， ，∴ 平均漂移速度 Vd隨電場增加而緩慢增大 51 0 /E V c m?12d thdvvlvE????半導(dǎo)體物理與器件 1,11()dECEEv E C? ? ?????? ? ???又常 數(shù)速度飽和 半導(dǎo)體物理與器件 右圖所示為鍺、硅及砷化鎵單晶材料中電子和空穴的漂移運動速度隨著外加電場強度的變化關(guān)系。此時，載流子的平均自由運動時間將由熱運動速度和定向漂移運動速度共同決定，因此載流子的 平均自由運動時間 將隨著外加電場的增強而不斷 下降 ，由此導(dǎo)致載流子的遷移率隨著外加電場的不斷增大而出現(xiàn)逐漸下降的趨勢，最終使得載流子的漂移運動速度出現(xiàn) 飽和 現(xiàn)象，即載流子的漂移運動速度不再隨著外加電場的增加而繼續(xù)增大。 半導(dǎo)體物理與器件 在 弱場 條件下，載流子的 平均自由運動時間 基本上由載流子的熱運動速度 決定，不隨電場的改變而發(fā)生變化，因此弱場下載流子的遷移率可以看成是一個常數(shù)。但在強場下，載流子從電場獲得的能量較多，從而其速度（動量）有較大的改變，這時，會造成平均自由時間減小，散射增強，最終導(dǎo)致遷移率下降，速度飽和。電離中心散射隨溫度升高而減弱，遷移率增加 雜質(zhì)全部電離，載流子濃度不變；晶格振動散射起主要作用，隨溫度升高遷移率下降 本征區(qū)，載流子濃度隨溫度升高而迅速升高， 半導(dǎo)體物理與器件 ?載流子的漂移速度飽和效應(yīng) 前邊關(guān)于遷移率的討論一直建立在一個基
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