半導(dǎo)體器ppt課件-文庫吧資料
2025-05-12 12:43本頁面
【正文】 E=1V時， 集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài)，開始收集電子，所以基區(qū)復(fù)合減少， 在同一 uBE 電壓下， iB 減小。 3. 三極管的伏安特性曲線 (1) 輸入特性曲線 ++++iuBE+uB TCE+Ci（ 1） uCE=0V時，相當(dāng)于兩個 PN結(jié)并聯(lián)。 IB B E C N N P EB RB EC IE ICE IC=ICE 2 . 電流放大原理 晶體管內(nèi)部載流子的運動（以 NPN型管為例） C E CB E BIIII? ??( 1 )E C B BI I I I?? ? ? ?三極管的電流放大作用 ：基極電流的微小變化，引起集電極和發(fā)射極電流較大的變化。 1. 三極管內(nèi)部的載流子傳輸過程 NNPBBVCCVRbRCebcIEN EPIIEBI（ 3）因為集電結(jié)反偏，收集擴散到集電區(qū)邊緣的電子，形成電流 ICN 。所以 基極電流 I B ≈ I BN 。 （ 2）發(fā)射區(qū)的電子注入基區(qū)后，變成了少數(shù)載流子。 但其數(shù)量小，可忽略 。 若在放大工作狀態(tài)： 發(fā)射結(jié)正偏： + UCE － ＋ UBE － ＋ UCB － 集電結(jié)反偏： 由 VBB保證 由 VCC、 VBB保證 UCB=UCE UBE 0 NNPBBVCCVRbRCebc共發(fā)射極接法 c區(qū) b區(qū) e區(qū) （ 1）因為發(fā)射結(jié)正偏，所以發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子 ， 形成了擴散電流 IEN 。 （ 2）基區(qū)要制造得很薄且濃度很低。 BJT是由兩個 PN結(jié)組成的 。 2022/6/3 三極管的基本結(jié)構(gòu)和電流放大特性 半導(dǎo)體三極管 ， 也叫晶體三極管 。 光敏二極管是將光能轉(zhuǎn)換為電能的器件，作為耦合器件被用于光電傳輸設(shè)備中。 (4) 最大穩(wěn)定工作電流 IZmax—— 超過 Izmax穩(wěn)壓管會因功耗過大而燒壞。 rZ =?U /?I rZ愈小，反映穩(wěn)壓管的擊穿特性愈陡。 (4) 最高工作頻率 fM—— 保證二極管正常工 作的信號頻率。 (3) 反向電流 IRM—— 在室溫下，在規(guī)定的反向電壓下的反向電流值。 三 . 二極管的主要參數(shù) (1) 最大整流電流 IF—— 二極管長期連續(xù)工 作時，允許通過二 極管的最大整流 電流的平均值。 由此可以得出結(jié)論： PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴? 外電場加強內(nèi)電場 →耗盡層變寬 →漂移運動＞擴散運動 →少子漂移形成反向電流 I R +－－－+－－內(nèi)電場++－++－E+－EW－－+－空 間 電 荷 區(qū)+－R++ +IRP N 在室溫下二極管的方向電流非常微弱，而且當(dāng)方向電壓在一定范圍內(nèi)變化時，其電流值幾乎不變，故稱為 反向飽和電流 。 S i O 2正 極 引 線負(fù) 極 引 線N 型硅P 型硅負(fù) 極 引 線正 極 引 線N 型硅P 型硅鋁 合 金 小 球底座2. PN結(jié)的單向?qū)щ娦? (1) 加正向電壓（正偏） —— 電源正極接 P區(qū)，負(fù)極接 N區(qū) 外電場的方向與內(nèi)電場方向相反。 PN 結(jié)面積可大可小，用 于高頻整流和開關(guān)電路中。 二極管 = PN結(jié) + 管殼 + 引線 N P 結(jié)構(gòu) 符號 陽極 + 陰極 二極管按結(jié)構(gòu)分三大類： (1) 點接觸型二極管 PN結(jié)面積小，結(jié)電容小， 用于檢波和變頻等高頻電路。 空穴 硼原子 硅原子 +4+4+4+4+4+4+3+4+4多數(shù)載流子 —— 空穴 少數(shù)載流子 —— 自由電子 － － － －
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