半導(dǎo)體器ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-02 12:43 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 且濃度很低。 N N P 發(fā)射區(qū) 集電區(qū) 基區(qū) 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) e c b 發(fā)射極 集電極 基極 P P N 發(fā)射區(qū) 集電區(qū) 基區(qū) 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) e c b 發(fā)射極 集電極 基極 2022/6/3 二． 三極管的內(nèi)部工作原理 （ NPN管） 三極管在工作時要加上適當(dāng)?shù)闹绷髌秒妷骸? 若在放大工作狀態(tài)： 發(fā)射結(jié)正偏： + UCE － ＋ UBE － ＋ UCB － 集電結(jié)反偏： 由 VBB保證 由 VCC、 VBB保證 UCB=UCE UBE 0 NNPBBVCCVRbRCebc共發(fā)射極接法 c區(qū) b區(qū) e區(qū) （ 1）因為發(fā)射結(jié)正偏，所以發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子 ， 形成了擴散電流 IEN 。同時從基區(qū)向發(fā)射區(qū)也有空穴的擴散運動，形成的電流為 IEP。 但其數(shù)量小，可忽略 。 所以發(fā)射極電流 I E ≈ I EN 。 （ 2）發(fā)射區(qū)的電子注入基區(qū)后，變成了少數(shù)載流子。少部分遇到的空穴復(fù)合掉，形成 IBN。所以 基極電流 I B ≈ I BN 。大部分到達了集電區(qū)的邊緣。 1. 三極管內(nèi)部的載流子傳輸過程 NNPBBVCCVRbRCebcIEN EPIIEBI（ 3）因為集電結(jié)反偏，收集擴散到集電區(qū)邊緣的電子，形成電流 ICN 。 NNPBBVCCVRbRCebcIEN EPIIEBICNICICBOI 另外，集電結(jié)區(qū)的少子形成漂移電流 ICBO。 IB B E C N N P EB RB EC IE ICE IC=ICE 2 . 電流放大原理 晶體管內(nèi)部載流子的運動（以 NPN型管為例） C E CB E BIIII? ??( 1 )E C B BI I I I?? ? ? ?三極管的電流放大作用 ：基極電流的微小變化，引起集電極和發(fā)射極電流較大的變化。 三極管是一個電流控制器件。 3. 三極管的伏安特性曲線 (1) 輸入特性曲線 ++++iuBE+uB TCE+Ci（ 1） uCE=0V時，相當(dāng)于兩個 PN結(jié)并聯(lián)。 0 . 40 . 2i(V )(u A )BE80400 . 80 . 6Bu= 0 VuCE＞ 1VCEu（ 3） uCE ≥1V再增加時，曲線右移很不明顯。 （ 2）當(dāng) uCE=1V時， 集電結(jié)已進入反偏狀態(tài)，開始收集電子，所以基區(qū)復(fù)合減少， 在同一 uBE 電壓下， iB 減小。特性曲線將向右稍微移動一些。 死區(qū)電壓 硅 鍺 導(dǎo)通壓降 硅 鍺 (2)輸出特性曲線 現(xiàn)以 iB=60uA一條加以說明。 （ 1）當(dāng) uCE=0 V時，因集電極無收集作用， iC=0。 （ 2） uCE ↑ → Ic ↑ 。 （ 3） 當(dāng) uCE ＞ 1V后，收集電子的能力足夠強。這時，發(fā)射到基區(qū)的電子都被集電極收集，形成 iC。所以 uCE再增加，iC基本保持不變。 同理，可作出 iB=其他值的曲線。 iCCE ( V )( m A )= 6 0 u AI Bu=0BBII= 2 0 u ABI = 4 0 u AB = 8 0 u AI= 1 0 0 u AI B 輸出特性曲線可以分為三個區(qū)域 : 飽和區(qū) —— iC受 uCE顯著控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi) uCE＜ V。
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