【文章內(nèi)容簡介】 PN結具有單向導電性 （ 1） PN結加正向電壓時，處在導通狀態(tài)，結電阻很低，正向電流較大。 （ 2） PN結加反向電壓時，處在截止狀態(tài)，結電阻很高，反向電流很小。 返回 半導體的導電特性 PN結 半導體二極管 穩(wěn)壓管 半導體三極管 目 錄 返回 半導體二極管 基本結構 伏安特性 二極管的主要參數(shù) 應用舉例 發(fā)光二極管 返回 引線 外殼 觸絲 N型鍺片 點接觸型 PN結面積小，通過電流小，但高頻特性好，多用于高頻和小功率電路。 基本結構 PN結 陰極引線 鋁合金小球 金銻合金 底座 N型硅 陽極引線 面接觸型 PN結面積大，工作頻低，一般用于整流電路。 基本結構 基本結構 表示符號 伏安特性 正向 O U/V I/mA 80 60 40 20 50 25 I/181。A 20 40 反向 死區(qū)電壓 擊穿電壓 半導體二極管的伏安特性是非線性的。 返回 伏安特性 正向 O U/V I/mA 80 60 40 20 50 25 I/181。A 20 40 反向 死區(qū)電壓 擊穿電壓 外加電壓低時，還不能克服 PN結內(nèi)電場對多數(shù)載流子擴散的阻力，電流小 當正向電壓超過一定數(shù)值時，內(nèi)電場被大大削弱，電流增長很快。 1 正向特性 正向 O U/V I/mA 80 60 40 20 50 25 I/181。A 20 40 反向 死區(qū)電壓 擊穿電壓 死區(qū)電壓：這一數(shù)值的電壓稱為死去電壓。 與溫度和環(huán)境有關 硅管： ，鍺管： 。 正向壓降： 硅管： ，鍺管： ~ 。 伏安特性 1 正向特性 返回 正向壓降 ： 硅管： ~，鍺管： ~ 。 伏安特性 正向 O U/V I/mA 80 60 40 20 50 25 I/181。A 20 40 反向 死區(qū)電壓 擊穿電壓 二極管一旦導通，其兩端電壓近似為一常數(shù)。 此電壓為二極管的 管壓降 。 反向電流： 反向飽和電流： 反向擊穿電壓 U（ BR） 伏安特性 正向 O U/V I/mA 80 60 40 20 50 25 I/181。A 20 40 反向 死區(qū)電壓 擊穿電壓 2 反向特性 反向電流：由于少數(shù)載流子的漂移運動，形成 反向電流 。 伏安特性 正向 O U/V I/mA 80 60 40 20 50 25 I/181。A 20 40 反向 死區(qū)電壓 擊穿電壓 2 反向特性 返回 特點： 1）隨溫度的升高增長很快； 2）當不超過某一范圍時，反向電流的大小基本不變，而與反向電壓大小無關，稱為反向飽和電流 。 伏安特性 正向 O U/V I/mA 80 60 40 20 50 25 I/181。A 20 40 反向 死區(qū)電壓 擊穿電壓 2 反向特性 當反向電壓增加到某一數(shù)值時，反向電流忽然增大，二極管的導電特性被破壞，這種現(xiàn)象稱為 擊穿 。 這一電壓稱為 反向擊穿電壓 U（ BR）。 原因： 1）外加電場把原子最外層的價電子拉出來，使載流子數(shù)目增多。 2）處于強電場中的載流子又因獲得了獲得能量加速，將其它電子撞擊出來，形成連鎖反應。 主要參數(shù) 1 最大整流電流 IFM： 二極管長時間使用時，允許流過的最大正向平均電流。 2 反向工作峰值電壓 URM: 保證二極管不被擊穿而給出的最高反向工作電壓，一般是反向擊穿電壓的一半。 3 反向峰值電流 IRM: 二極管上加反向工作峰值電壓時的反向電流值。 說明管子質(zhì)量的好壞，反向電流大說明其單向導電性差，受溫度影響大。 返回 應用舉例 主要利用二極管的單向導電性。可用于整流、檢波、限幅、元件保護以及在數(shù)字電路中作為開關元件。 例 : 圖中電路，輸入端 A的電位 VA=+3V， B的電位VB=0V，求輸出端 Y的電位 VY。電阻 R接負電源 12V。 VY=+ 解： DA優(yōu)先導通， DA導通后， DB上加的是反向電壓，因而截止。 DA起鉗位作用， DB起隔離作用。 12V A B +3V 0V DB DA Y 返回 發(fā)光二極管 表示符號 特點：功耗小、體積小、抗震性好、壽命性長，響應時間快，使用方便。 工作原理：當 PN結加正向電壓時，從 N區(qū)擴散到 P區(qū)的電子和由 P區(qū)擴散到N區(qū)的空穴，在 PN結附近數(shù)微米區(qū)域內(nèi)分別與 P區(qū)的空穴和 N區(qū)的電子復合，復合時放出能量，進而發(fā)光。 發(fā)光二極管 使用時一般串聯(lián)電阻，避免電流過大而燒壞二極管，電阻稱為限流電阻。 特點：電流越大，發(fā)光二極管越亮。 將多個發(fā)光二極管組合