常用半導(dǎo)體器件原理-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】模擬電子電路與技術(shù)基礎(chǔ)西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院主講教師：張進(jìn)成教材：模擬電子電路及技術(shù)基礎(chǔ)（第二版），孫肖子主編，西安電子科技大學(xué)出版社，2022年1月授課順序：第二篇（半導(dǎo)體器件及集成電路－－原理基礎(chǔ)篇）：4－10章第一篇（模擬集成電路系統(tǒng)－－應(yīng)用基礎(chǔ)篇）：1－3章教師聯(lián)系方式：電子郵件

2025-04-29 05:34

常用半導(dǎo)體器件(2)-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體概念：導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)。特點(diǎn)是：①導(dǎo)電性能受環(huán)境因素影響；②可通過某種工藝改變其導(dǎo)電性能。電子器件采用的半導(dǎo)體材料：主要是硅材料和鍺材料。其次還有砷化鎵和磷化鎵材料?！雽?dǎo)體材料在制造電子器件之前首先要經(jīng)過提純。經(jīng)過提純的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性取決于其晶體結(jié)構(gòu)。硅材料和鍺材料的晶體

2025-04-29 13:13

半導(dǎo)體器件教學(xué)ppt-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】一、電子技術(shù)的發(fā)展電子技術(shù)的發(fā)展，推動(dòng)計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展，使之“無孔不入”，應(yīng)用廣泛！廣播通信：發(fā)射機(jī)、接收機(jī)、擴(kuò)音、錄音、程控交換機(jī)、電話、手機(jī)網(wǎng)絡(luò)：路由器、ATM交換機(jī)、收發(fā)器、調(diào)制解調(diào)器工業(yè)：鋼鐵、石油化工、機(jī)加工、數(shù)控機(jī)床交通：飛機(jī)、火車、輪船、汽車軍事：雷達(dá)、電子導(dǎo)航航空航天：衛(wèi)星定位、監(jiān)測(cè)醫(yī)學(xué)：

2025-03-22 01:02

常用半導(dǎo)體器件(1)-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】蔡竟業(yè)第一章常用半導(dǎo)體器件§半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)§半導(dǎo)體二極管§晶體三極管§場(chǎng)效應(yīng)管作業(yè)：蔡竟業(yè)§半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)二、雜

2025-04-29 13:13

第一章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】1第一章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)?教學(xué)時(shí)數(shù)：8學(xué)時(shí)?重點(diǎn)與難點(diǎn)：?1、PN結(jié)的原理和二極管的等效電路。?2、半導(dǎo)體內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)規(guī)律。?3、晶體二極管、晶體三極管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、絕緣柵型場(chǎng)應(yīng)管的工作原理和特性曲線。2§半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)本征半

2024-08-10 17:46

半導(dǎo)體物理及器件物理基礎(chǔ)微電子-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】第二章半導(dǎo)體物理及器件物理基礎(chǔ)本節(jié)內(nèi)容?半導(dǎo)體材料、基本晶體結(jié)構(gòu)與共價(jià)鍵?能級(jí)與能帶?本征載流子濃度?施主和受主導(dǎo)電性：固態(tài)材料可分為三類，即絕緣體、半導(dǎo)體及導(dǎo)體。?絕緣體:電導(dǎo)率很低，約介于10-18S/cm～10-8S/cm,如熔融石英及玻璃；?導(dǎo)體：電導(dǎo)率較高，介于104S

2025-01-13 12:27

[信息與通信]半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)知識(shí)-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】2021/03模擬電路第一章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體的基本知識(shí)半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體三極管BJT模型2021/03模擬電路半導(dǎo)體的基本知識(shí)在物理學(xué)中。根據(jù)材料的導(dǎo)電能力，可以將他們劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。典型的半導(dǎo)體是硅Si和鍺Ge，它們都是4價(jià)元素。sisi硅原

2024-10-18 22:17

c11新半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)稿-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】電子線路（第五版）梁明理鄧仁清主編尹旻主講Email:主要參考書：模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)清華大學(xué)電子學(xué)教研組編童詩(shī)白華成英主編電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分華中理工大學(xué)電子學(xué)教研室編主編康華光

2024-12-07 21:40

半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)ppt課件-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】noneguilibriumcarriersG-R（非平衡載流子的產(chǎn)生與復(fù)合）Chapter5NoneguilibriumCarriers(非平衡載流子)產(chǎn)生率G復(fù)合率R如果在外界作用下，平衡條件破壞，偏離了熱平衡的狀態(tài)非平衡狀態(tài)。外界作用光

2025-05-06 12:47

半導(dǎo)體器件與物理一-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院半導(dǎo)體器件物理第一章半導(dǎo)體特性上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院第1章半導(dǎo)體特性半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶半導(dǎo)體中的雜質(zhì)與缺陷載流子的運(yùn)動(dòng)非平衡載流子習(xí)題上海電子信息職業(yè)

2025-01-13 12:12

第1章半導(dǎo)體器件-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】第1章半導(dǎo)體器件教學(xué)內(nèi)容§半導(dǎo)體的特性§半導(dǎo)體二極管§雙極型三極管§場(chǎng)效應(yīng)三極管教學(xué)要求本章重點(diǎn)是各器件的特性與模型，特別要注意器件模型的適用范圍和條件。對(duì)于半導(dǎo)體器件，主要著眼于在電路中的使用，關(guān)于器件內(nèi)部的物理過程只要求有一定的了解

2024-07-29 08:26

半導(dǎo)體器件原理與工藝-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】半導(dǎo)體器件原理與工藝半導(dǎo)體器件原理與工藝?概述?半導(dǎo)體襯底?熱氧化?擴(kuò)散?離子注入?光刻?刻蝕?薄膜淀積?CMOS半導(dǎo)體器件原理與工藝摻雜摻雜擴(kuò)散離子注入擴(kuò)散的基本原理擴(kuò)散方法擴(kuò)散層的主要參數(shù)及檢測(cè)離子注

2025-02-21 15:11

第8章半導(dǎo)體器件-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】第8章半導(dǎo)體器件雙極型晶體管PN結(jié)及其單向?qū)щ娦约儍舻陌雽?dǎo)體(稱為本征半導(dǎo)體)中含有自由電子(帶負(fù)電)和空穴(帶正電)兩種運(yùn)載電荷的粒子——載流子，自由電子和空穴的數(shù)量相等，整個(gè)半導(dǎo)體呈現(xiàn)電中性圖PN結(jié)

2024-10-04 19:16

電力電子半導(dǎo)體器件scr-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】第三章晶閘管§普通晶閘管Thyristor硅可控整流器，可控硅，SCR。一、結(jié)構(gòu)：四層PNPN結(jié)構(gòu)，三端器件符號(hào)正向阻斷：A—K接正電壓，J2反偏，漏電流很小。反向阻斷：A—K接負(fù)電壓，J1，J3反偏，漏電流很小。等效電路：由PN

2025-04-30 01:43

電力電子半導(dǎo)體器件g-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】第六章可關(guān)斷晶閘管（GTO）特點(diǎn)：是SCR的一種派生器件；具有SCR的全部?jī)?yōu)點(diǎn)，耐壓高、電流大、耐浪涌能力強(qiáng)，造價(jià)便宜；為全控型器件，工作頻率高，控制功率小，線路簡(jiǎn)單，使用方便?！霨TO結(jié)構(gòu)及工作原理GateTurn-offThyristor——GTO一、結(jié)構(gòu)：四層PNPN結(jié)構(gòu)，三端器件；特點(diǎn)：①

2025-05-01 06:14

半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)ppt課件(已改無錯(cuò)字)

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