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半導(dǎo)體器件原理與工藝(編輯修改稿)

2025-03-20 15:11 本頁面

　

【文章內(nèi)容簡介】晶格不匹配，造成晶格畸變從而使結(jié)面部份陷落改進(jìn)措施：采用原子半徑與硅原子半徑相接近的雜質(zhì) 基區(qū)陷落效應(yīng) 半導(dǎo)體器件原理與工藝擴(kuò)散分布的測試分析 ? 濃度的測量 ? 四探針測量方塊電阻 ? 范德堡法 ? 結(jié)深的測量 ? 磨球法染色 ? 擴(kuò)展電阻 ? CV ? SIMS ? RBS ? AES WLtWtLRdxdxxCCqRes?????????? )()(1L W t 半導(dǎo)體器件原理與工藝擴(kuò)散系統(tǒng) 固態(tài)源液態(tài)源半導(dǎo)體器件原理與工藝半導(dǎo)體器件原理與工藝半導(dǎo)體加工工藝原理 ? 概述 ? 半導(dǎo)體襯底 ? 熱氧化 ? 擴(kuò)散 ? 離子注入 ? 光刻 ? 刻蝕 ? 化學(xué)氣相淀積 ? 物理淀積 ? 外延 ? 工藝集成 ? CMOS ? 雙極工藝 ? BiCMOS ? MEMS加工半導(dǎo)體器件原理與工藝定義 ? 先使待摻雜的原子或分子電離，再加速到一定的能量，使之注入到晶體中，然后經(jīng)過退火使雜質(zhì)激活半導(dǎo)體器件原理與工藝離子注入的優(yōu)點(diǎn) ? 精確控制劑量和深度 ?從 1010到 1017個 /cm2,誤差 +/ 2%之間 ? 低溫 :小于 125℃ ? 掩膜材料多樣 ?photoresist, oxide, polySi, metal ? 表面要求低 ? 橫向均勻性好 ( 1% for 8” wafer) 半導(dǎo)體器件原理與工藝離子注入半導(dǎo)體器件原理與工藝離子注入機(jī)種類：離子注入機(jī)的組成離子注入機(jī)結(jié)構(gòu)圖外形臥

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