第8章半導(dǎo)體器件(編輯修改稿)
2024-10-22 19:16 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 時晶體管的 的曲線如圖 (b)所示。試求： (1)工作點為曲線上 時的 值； (2)工作點為曲線 時的 值。 (a) (b) 圖 例 C C B6 V 2 0 AUI? ? ?， C CEiu?1QCR 2Q CR解： (1)由圖可知， 點的 ，晶體管處于放大狀態(tài)。根據(jù)閉合電路的歐姆定律 (2) 點的，晶體管處于飽和狀態(tài)。此時的值為 由以上計算可知，當(dāng)、為一定值時，增大能使晶體管的工作點沿曲線向左移動，從放大狀態(tài)進入飽和狀態(tài)。反之若原來處于飽和狀態(tài)，則減少能脫離飽和狀態(tài)進入放大狀態(tài) 1Q C C E1 m A 2 VIU??，C C C C C EU R I U??3C C C EC 3C62 4 1 0 4 k1 1 0UURI ?? ???? ? ? ? ? ? ? ??????3C C C EC 3C6 0 .3 1 1 1 0 1 1 k0 .5 2 1 0UURI ?? ???? ? ? ? ? ? ? ??? ???2. 主要參數(shù) (1) 直流 (靜態(tài) )電流放大系數(shù) 和交流 (動態(tài) )電流放大系數(shù) (2) 穿透電流 (3) 集電極最大允許電流 (4) 集電極最大允許耗散功率 (5) 集電極、發(fā)射極之間的反向擊穿電壓 ??C C E O B C B( ) / /I I I I I? ? ? ?CB/II? ? ? ?CEOICMICMP(BR)CEOU 場效應(yīng)晶體管 場效應(yīng)晶體管的基本結(jié)構(gòu) (a) NMOS管 (b) PMOS管 圖 場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖 場效應(yīng)晶體管是用一塊摻雜濃度較低的
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