c11新半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)稿(編輯修改稿)
2025-01-03 21:40 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 元素形成的半導(dǎo)體 N型半導(dǎo)體 P 型半導(dǎo)體 雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征 Si和 Ge中摻入微量 V族元素 后形成的雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征 Si和 Ge中摻入微量 Ⅲ 族元素 后形成的雜質(zhì)半導(dǎo)體 (1） N型半導(dǎo)體 （ 電子型半導(dǎo)體） 摻 雜 ： 特 點(diǎn) ： 多 數(shù)載流 子 ： 自由電子 （ 主要由 雜質(zhì)原子提供 ） 少 數(shù)載流 子 ： 空穴 （ 由熱激發(fā)形成 ） 施主雜質(zhì)為正離子 少量 摻入五價(jià)雜質(zhì)元素（如：磷） 摻入 V族元素稱為 施主雜質(zhì) ， 簡(jiǎn)稱 施主 施主：能提供自由電子 (2） P型半導(dǎo)體（ 空穴 型半導(dǎo)體 ） 摻 雜 ： 少量 摻入三價(jià)雜質(zhì)（如硼、鎵和銦等） 特 點(diǎn) ： 多子 ： 空穴 （ 主要由 雜質(zhì)原子提供 ） 少子 ： 電子 （ 由熱激發(fā)形成 ） 受主雜質(zhì)為負(fù)離子 摻入 Ⅲ 族元素稱為 受主雜質(zhì) 簡(jiǎn)稱受主 受主：能提供孔穴 (3) 雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體導(dǎo)電性的影響 影響很大。載流子數(shù)目劇增 T=300 K室溫下 ,本征硅的 電子和空穴濃度 : n = p = 1010/cm3 1 本征硅的原子濃度 : 1022/cm3 3 以上三個(gè)濃度基本上依次相差 106/cm3 2 摻雜后 N 型半導(dǎo)體中的 自由電子濃度 : n=5 1016/cm3 典型數(shù)據(jù)如下 : .1 形成 .2 實(shí)質(zhì) .4 電容效應(yīng) .3 單向?qū)щ娦? PN結(jié) N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 以 N型半導(dǎo)體為基片 通過半導(dǎo)體擴(kuò)散工藝 .1 PN結(jié)的形成 使半導(dǎo)體的一邊形成 N型區(qū)，另一邊形成 P型區(qū)。 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + P (1) 在濃度差的作用下，電子從 N區(qū)向 P區(qū)擴(kuò)散。 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + P (2) 在濃度差的作用下，空穴從 P區(qū)向 N區(qū)擴(kuò)散。 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + P 在濃度差的作用下，兩邊多子互相擴(kuò)散。在 P區(qū)和 N區(qū)交界面上，留下了一層不能移動(dòng)的正、負(fù)離子。 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + P
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