半導(dǎo)體物理器ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-02 12:46 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 等電子的電子陷阱 ， 這樣的雜質(zhì)稱為等電子受主 (如氮原子取代中 Gap磷原子 )。 如果等電子雜質(zhì)的電負性比晶格原子的電負性小 ， 則形成空穴的束縛態(tài) ，稱為等電子的空穴陷阱 ， 產(chǎn)生這種束縛態(tài)的雜質(zhì)稱為等電子施主 (如鉍原子取代 Gap中磷原子 ) 。 當?shù)入娮酉葳宸@了某一種載流子以后 ， 成為帶電中心 ， 這個帶電中心又由庫侖作用而俘獲帶電符號相反的載流子 ， 形成束縛激子 。 當激子復(fù)合時 ，就能以發(fā)射光子的形式釋放能量 。 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 非輻射復(fù)合 圖 86 多聲子躍遷 0 1 2 5 10 20 50 100 200 300 400 500 600 光子能量 （ meV） 晶體中電子和空穴復(fù)合時，可以激發(fā)多個聲子的形式放出多余的能量。 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 (Auger)過程 圖 87俄歇過程 （ a ） （ b ） （ c ） N 型 晶體中電子和空穴復(fù)合時，多余的能量傳輸給第三個載流子，使之在導(dǎo)帶和價帶內(nèi)部激發(fā)。 N型半導(dǎo)體 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 (Auger)過程 圖 87俄歇過程 （ d ） （ e ） （ f ） P 型 P型半導(dǎo)體 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 (Auger)過程 圖 87俄歇過程 （ g ） （ h ） （ i ） 雜質(zhì)帶 激子 電子 激子 空穴 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 晶體表面處晶格的中斷，產(chǎn)生能從周圍吸附雜質(zhì)的懸掛鍵。因而能夠產(chǎn)生高濃度的深的和淺的能級，它們可以充當復(fù)合中心。雖然對這些表面態(tài)的均勻分布沒有確定的論據(jù)，當假定是均勻分布時，表面態(tài)的分布為 ，與實驗的估計良好地一致。 ? ? 1 4 2 14 1 0N s E c m e V??? ? ?發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 LED的基本結(jié)構(gòu)和工作過程 平面結(jié)構(gòu)鎵砷磷紅光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖 圖 89 磷化鎵發(fā)光二極管 （ a） 磷化鎵發(fā)光二極管管芯截面圖 （ b） 封裝后的磷化鎵發(fā)光二極管 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器
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