【正文】 在復(fù)合過(guò)程中電子的多余能量也可以以其它形式釋放出來(lái)，而不發(fā)射光 子，這種復(fù)合稱(chēng)為非輻射復(fù)合。 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 nexcg EEh ??? （ 87） pne x cg NEEEh ????（ 88） 式中 表示吸收或放出能量為 的 個(gè)聲子。因而能夠產(chǎn)生高濃度的深的和淺的能級(jí)，它們可以充當(dāng)復(fù)合中心。這就要求 LED所用的材料和制造工藝盡可能保證晶體完整，盡量避免有害雜質(zhì)的摻入。由于 族化合物半導(dǎo)體的電子遷移率比空穴遷移率大很多，例如 ，所以它們是制造 LED的上選材料。 當(dāng)激子復(fù)合時(shí) ，就能以發(fā)射光子的形式釋放能量 。 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 電子和空穴通過(guò)深能級(jí)復(fù)合時(shí)，輻射的光子能量遠(yuǎn)小于禁帶寬度，發(fā)射光的波長(zhǎng)遠(yuǎn)離吸收邊。 光電器件利用的是輻射復(fù)合過(guò)程，非輻射復(fù)合過(guò)程則是不利的。 pNE? pEN 如果半導(dǎo)體吸收能量小于禁帶寬度的光子，電子從價(jià)帶激發(fā)。雖然對(duì)這些表面態(tài)的均勻分布沒(méi)有確定的論據(jù)，當(dāng)假定是均勻分布時(shí)，表面態(tài)的分布為 ，與實(shí)驗(yàn)的估計(jì)良好地一致。 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 發(fā)生輻射復(fù)合的電子數(shù)與總的注入電子數(shù)比： nrrrr UU U???rrnU???nrnrnU??? （ 818） （ 817） （ 816） rnrrr ????? ??? 11 （ 819） 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 三種可能的復(fù)合過(guò)程 圖 813三種可能的復(fù)合過(guò)程 淺施主能級(jí) 淺受主能級(jí) 深復(fù)合中心 cEtEtEvEdEaE1R2R3R發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器 atnr rNNC?? ??1以 和 為競(jìng)爭(zhēng)機(jī)制 ： 2R3R123 e x p1??????? ?????? ????KTEE