《半導體物理器》ppt課件(文件)
【正文】 3 e x p1??????? ?????? ????KTEEnCNPCN atnaptr?（ 822） 帶 — 帶復合過程和非輻射復合過程相競爭： 發(fā)光二極管和半導體激光器 根據(jù)（ 821）式，欲提高 ，可采用的方法是 r?和增加 P區(qū)的摻雜濃度，而且較高的 還有降低串聯(lián)電阻從而減小正向電壓降和歐姆損耗的作用。 0?00 ?????? rie ??? 外量子效率可以寫作： 根據(jù)以上分析，內(nèi)量子效率可以寫作 ri r?? ?發(fā)光二極管和半導體激光器 影響逸出幾率的主要因素：界面反射和 再吸收。同時，在討論注射效率時已經(jīng)指出， P側(cè)的高摻雜會使注射效率下降。 (b)減小耗盡層中的復合電流。 發(fā)光二極管和半導體激光器 圖 812 帶尾對帶 ?帶復合的影響；（ a） 型 ， （ b） 型 （ a） （ b） nn p r e cIrI I I???gE gE?hghE? ? ghE? ?發(fā)光二極管和半導體激光器 (c)選用電子遷移率比空穴遷移率大的材料。 GaP GaP發(fā)光二極管和半導體激光器 量子效率 ? 量子效率是發(fā)光二極管特性中一個與輻射量有關(guān)的重要參數(shù)。發(fā)光二極管的開啟電壓很低， 是 ， 、 大約 。 N型半導體 發(fā)光二極管和半導體激光器 (Auger)過程 圖 87俄歇過程 （ d ） （ e ） （ f ） P 型 P型半導體 發(fā)光二極管和半導體激光器 (Auger)過程 圖 87俄歇過程 （ g ） （ h ） （ i ） 雜質(zhì)帶 激子 電子 激子 空穴 發(fā)光二極管和半導體激光器 晶體表面處晶格的中斷，產(chǎn)生能從周圍吸附雜質(zhì)的懸掛鍵。 當?shù)入娮酉葳宸@了某一種載流子以后 ， 成為帶電中心 ， 這個帶電中心又由庫侖作用而俘獲帶電符號相反的載流子 ， 形成束縛激子 。 等電子陷阱 ：由等電子雜質(zhì)代替晶格基質(zhì)原子而產(chǎn)生的束縛態(tài) 。這種被庫侖能束縛在一起的電子 空穴對就稱為激子。所以在實際工作中，往往需要盡量減少深能級，以提高發(fā)光效
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