【正文】
了實(shí)驗(yàn)中的吸收峰位 。 熱平衡態(tài)時(shí)電子在量子態(tài)上的分布幾率 三、半導(dǎo)體中導(dǎo)帶電子和價(jià)帶空穴濃度的計(jì)算 導(dǎo)帶底附近能量 E→E+dE 區(qū)間有 dZ(E)=gc(E)dE個(gè)量子態(tài),而電子占據(jù)能量為 E的量子態(tài)幾率為 f(E),對(duì)非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,該能量區(qū)間單位體積內(nèi)的電子數(shù)即電子濃度 n0為 對(duì)上式從導(dǎo)帶底 Ec到導(dǎo)帶頂 Ec‘ 積分,得到平衡態(tài)非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體導(dǎo)帶電子濃度 ? ? ? ? * 3 2 120 30( 2 )4 e xp ( ) ( )Bc n Ff E g E dE m EEdNdn E E c dEV V h k T??? ? ? ? ? ????????????39。x0x210F3230*n0 dxex)TkEEce x p (hT)k( 2 m4n ?2dxex0x21 ?????2/?2/?1232* 3 200 30 00300( 2 )4 e x p ( )( 2 ) 2 e x p ( ) e x p ( )xn c Fn c F Fcm k T E En x e d xh k Tm k T E E E c ENh k T k T??????? ? ??? ? ? ??3230*nhT)km 2 ( 2πNc ? 同理可以得到價(jià)帶空穴濃度 其中 稱(chēng)為價(jià)帶有效狀態(tài)密度,因此 平衡態(tài)非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體導(dǎo)帶電子濃度 n0和價(jià)帶空穴濃度 p0與溫 度和費(fèi)米能級(jí) EF的位置有關(guān)。 總結(jié): ? 平衡態(tài)非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體 n0p0積與 EF無(wú)關(guān); ? 對(duì)確定半導(dǎo)體, mn*、 mp*和 Eg確定, n0p0積只與溫度有關(guān),與是否摻雜及雜質(zhì)多少無(wú)關(guān); ? 一定溫度下,材料不同則 mn*、 mp*和 Eg各不相同,其n0p0積也不相同。 ? 本征激發(fā):導(dǎo)帶電子唯一來(lái)源于成對(duì)地產(chǎn)生電子-空穴對(duì),因