半導體物理第六次ppt課件-文庫吧資料
2025-05-12 12:47本頁面
【正文】 e x p ( )cFcEEnNkT??)Tk EEve x p (Nv( E ) d Ef ( E ) ] g[1V1p0FEvEvV039。x0x210F3230*n0 dxex)TkEEce x p (hT)k( 2 m4n ?2dxex0x21 ?????2/?2/?1232* 3 200 30 00300( 2 )4 e x p ( )( 2 ) 2 e x p ( ) e x p ( )xn c Fn c F Fcm k T E En x e d xh k Tm k T E E E c ENh k T k T??????? ? ??? ? ? ??3230*nhT)km 2 ( 2πNc ? 同理可以得到價帶空穴濃度 其中 稱為價帶有效狀態(tài)密度，因此 平衡態(tài)非簡并半導體導帶電子濃度 n0和價帶空穴濃度 p0與溫 度和費米能級 EF的位置有關。EcEc 0F323*nEcEc 0F21323*n0) d ETkEEcEcEe x p (E c )(Eh)( 2 m4 πdE)TkEEe x p ()EcE(h)( 2 m4n ? 引入中間變量 ，得到 已知積分 ，而上式中的積分值應小于 。 熱平衡態(tài)時電子在量子態(tài)上的分布幾率 三、半導體中導帶電子和價帶空穴濃度的計算 導帶底附近能量 E→E+dE 區(qū)間有 dZ(E)=gc(E)dE個量子態(tài)，而電子占據(jù)能量為 E的量子態(tài)幾率為 f(E)，對非簡并半導體，該能量區(qū)間單位體積內的電子數(shù)即電子濃度 n0為 對上式從導帶底 Ec到導帶頂 Ec‘ 積分，得到平衡態(tài)非簡
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