半導(dǎo)體物理第六次ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-02 12:47 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 23*n0) d ETkEEcEcEe x p (E c )(Eh)( 2 m4 πdE)TkEEe x p ()EcE(h)( 2 m4n ? 引入中間變量 ，得到 已知積分 ，而上式中的積分值應(yīng)小于 。由于玻耳茲曼分布中電子占據(jù)量子態(tài)幾率隨電子能量升高急劇下降，導(dǎo)帶電子絕大部分位于導(dǎo)帶底附近，所以將上式中的積分用 替換無妨，因此 其中 稱為導(dǎo)帶有效狀態(tài)密度，因此 TkEcEx0??? ?????39。x0x210F3230*n0 dxex)TkEEce x p (hT)k( 2 m4n ?2dxex0x21 ?????2/?2/?1232* 3 200 30 00300( 2 )4 e x p ( )( 2 ) 2 e x p ( ) e x p ( )xn c Fn c F Fcm k T E En x e d xh k Tm k T E E E c ENh k T k T??????? ? ??? ? ? ??3230*nhT)km 2 ( 2πNc ? 同理可以得到價帶空穴濃度 其中 稱為價帶有效狀態(tài)密度，因此 平衡態(tài)非簡并半導(dǎo)體導(dǎo)帶電子濃度 n0和價帶空穴濃度 p0與溫 度和費米能級 EF的位置有關(guān)。其中溫度的影響不僅反映在 Nc和 Nv 均正比于 T3/2上，影響更大的是指數(shù)項； EF位置與所含雜質(zhì)的種類 與多少有關(guān)，也與溫度有關(guān)。 00e x p ( )cFcEEnNkT??)Tk EEve x p (Nv( E ) d Ef ( E ) ] g[1V1p0FEvEvV039。 ?
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