模擬電路基捶20090917第六次-文庫吧資料
2025-05-18 18:47本頁面
【正文】 EvCE，各條曲線幾乎重合在一起， iC與 iB的比例關(guān)系不再成立 。對(duì)應(yīng)點(diǎn)的軌跡為 臨界飽和線 。 常數(shù)????CEviiBC? 共射輸出特性曲線 圖 NPN管輸出特性曲線 飽和區(qū)： iC明顯受 vCE控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)，一般 vCE＜ 。 定義共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)： 由于基調(diào)效應(yīng)很微弱， vCE在很大范圍內(nèi)變化時(shí) iC 基本不變。這是因?yàn)?vCE增加使得集電結(jié)反偏電壓 vCB增大，會(huì)因基區(qū)寬調(diào)效應(yīng)而略有增大。為此，定義共發(fā)射極 交流電流放大系數(shù) ?來表示這種控制能力。 放大區(qū)： iC平行于 vCE軸的區(qū)域，曲線基本平行等距。 放大區(qū) VCE對(duì) iB的影響甚小，輸入特性曲線族會(huì)密集在一起，因此，工程上往往將輸入特性曲線族近似為一條曲線。 實(shí)驗(yàn)線路 IC mA ?A V V VCE VBE RB IB VCC VBB + b c e 共射極放大電路 VBB VCC vBE iC iB + vCE 共射輸入特性曲線 (輸入端的電流與電壓間的關(guān)系曲線 ) iB=f(vBE)? vCE=const 1. 曲線的形狀與 PN結(jié)正偏時(shí)的伏安特性曲線類似。利用晶體管的特性曲線可以分析晶體管放大電路（ 負(fù)載線法 ）。 輸入電壓的變化 ,是通過其改變輸入電流 ,再通過輸入電流的傳輸去控制輸出電壓的變化 ,所以是一種 電流控制器件 。 兩個(gè)要點(diǎn) 三極管的放大作用，主要是依靠它的 iE通過基區(qū)傳輸，然后順利到達(dá)集電極而實(shí)現(xiàn)的。 ? 當(dāng)集電結(jié)反向電壓 vCB增加時(shí)，集電結(jié)會(huì)變寬，這必然使基區(qū)寬度減?。▓D W變到 W’），基區(qū)少子濃度曲線由圖中的實(shí)線變?yōu)樘摼€。基區(qū)少子數(shù)量又與基區(qū)少子濃度分布曲線下的 面積 S成正比。 ? 發(fā)射極電流 iE主要由發(fā)射結(jié)處的越結(jié)擴(kuò)散電流決定，而擴(kuò)散電流與濃度梯度成正比，所以 iE與x=0處的基區(qū)少子濃度梯度的值近似成正比。 ? 雙極型晶體管也是一種電壓控制器件。此時(shí)，注入基區(qū)的非平衡少子增多，會(huì)使基區(qū)復(fù)合增多，到達(dá)集電結(jié)邊界被集電區(qū)收集的非平衡少子也會(huì)增多，從而使 iB和 iC都會(huì)增大。集電結(jié)反向電壓的變化對(duì) 各極電流也有影響。斷開 E點(diǎn)時(shí)微安表讀數(shù)是集電結(jié)反向飽和電流 ICBO，斷開 B點(diǎn)時(shí)微安表讀數(shù)是穿透電流 ICEO，即 μA6C B O ?IμA2 4 0)1( C B OC E O ??? II ?39?? 1??????BC II ?? 放大偏置 BJT偏壓與電流的關(guān)系 ? 雙極型晶體管是電流控制器件。當(dāng)斷開 B點(diǎn)時(shí)，微安表的讀數(shù)為 240μA，當(dāng)斷開 E點(diǎn)時(shí)，微安表的讀數(shù)為 6μA，試求該管的 和 。則： ?為共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)， 它只與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關(guān)，與外加電壓無關(guān) 。 發(fā)射區(qū)：發(fā)射載流子 基 區(qū)：傳送和控制載流子 集電區(qū)：收集載流子 ,發(fā)射極注入電流傳輸?shù)郊姌O的電流設(shè) ??ECNII??即根據(jù)傳輸過程可知： IC= ICN+ ICBO 通常， IC ICBO ECII??則有4. 放大偏置時(shí)電流分配關(guān)系 載流子的傳輸過程 (1) IE與 IC的關(guān)系 ? 為共基極直流電流放大系數(shù)， 它只與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關(guān)，與外加電壓無關(guān) 。 ?實(shí)現(xiàn)這一傳輸過程的兩個(gè)條件是： （ 1）內(nèi)部條件：發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，且基區(qū)很薄，集電結(jié)較寬。因此，基極電流： IB = IBN + IEP ICBO 3. 集電區(qū)收集基區(qū)非平衡少子 ? 擴(kuò)散到達(dá)集電結(jié)邊界的基區(qū)非平衡少子（發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到 基區(qū)的自由電子），在電場力的作用下均被抽?。ㄆ疲? 到集電區(qū)，形成集電極電流的主要成分 ICN。 ? 發(fā)射極電流的主要部分是自由電子形成的電流，即 IE ≈IEN 2. 基區(qū)非平衡少子向集電結(jié)方向邊擴(kuò)散邊復(fù)合 ? 由于基區(qū)的空穴濃度很低，且基區(qū)很薄，只有很
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