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模擬電路基捶20090917第六次(留存版)

2025-06-26 18:47上一頁面

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【正文】 定的外部條件控制下,通過載流子傳輸體現(xiàn)出來的。 TBEESEVveIi ? vCB對各極電流的影響 —— 基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng) 圖 基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng) ? 當(dāng)正偏電壓 vBE一定時,發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入的自由電子一定,即 x=0處的基區(qū)少子濃度 nb(0)一定。 輸入特性曲線有以下兩個特點: (輸出端集電極電流與輸出端口集射極電壓間的關(guān)系曲線 ) 共射輸出特性曲線 圖 NPN管輸出特性曲線 輸出特性曲線的四個區(qū)域,對應(yīng)于 BJT的四種工作狀態(tài)。記作 VCES,在深度飽和時, VCES很小。 三極管的溫度特性較差 。對于確定型號的 BJT, PCmax是一個確定值,即 PCmax=iCvCE=常數(shù) ,在輸入特性平面上為雙曲線中的一條。 輸出特性曲線上的安全工作區(qū) ? 1. 描述放大狀態(tài)下 BJT內(nèi)部載流子的傳輸過程。當(dāng) iC ICmax時, 雖然管子不至于損壞,但 ?值已經(jīng)明顯減小。此時,集電結(jié)被加上反向電壓,而發(fā)射結(jié)被加上的是正向偏壓。 ② 飽和區(qū): 臨界飽和線與縱軸所夾的區(qū)域。 三極管在電路中的連接方式 共基極連接 共集電極連接 共發(fā)射極連接 公共端: 不同回路共享的支路所對應(yīng)的端子。 ? ? BCBE 1 IIII ?????1. 發(fā)射結(jié)正向電壓 vBE對各極電流的控制作用 —— BJT的正向控制作用 ? 發(fā)射結(jié)電流 iE實際上就是正偏發(fā)射結(jié)的正向電流 : ? 當(dāng)發(fā)射結(jié)正偏電壓 vBE增加時,正向電流 iE增加。 ? 兩電流之和構(gòu)成發(fā)射極電流 IE = IEN + IEP 。 VCC VBB RB IBN 進(jìn)入 P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復(fù)合,形成電流 IBN ,多數(shù)擴(kuò)散到集電結(jié)。則: ?為共發(fā)射極直流電流放大系數(shù), 它只與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關(guān),與外加電壓無關(guān) 。 ? 當(dāng)集電結(jié)反向電壓 vCB增加時,集電結(jié)會變寬,這必然使基區(qū)寬度減?。▓D W變到 W’),基區(qū)少子濃度曲線由圖中的實線變?yōu)樘摼€。這是因為 vCE增加使得集電結(jié)反偏電壓 vCB增大,會因基區(qū)寬調(diào)效應(yīng)而略有增大。 對于小功率管, ICEO通常很小,截止區(qū): IB=0;對于大功率管, ICEO很大,截止區(qū): IBICBO )(CmV)~2( ???dTdv BE 溫度對 BJT特性及參數(shù)的影響 (1 )C E O C B OII???由于 , ICEO隨溫度的變化與 ICBO類似, 其隨溫度的變化規(guī)律為: 3. 溫度對輸出特性曲線的影響 2. 溫度對輸入特性曲線的影響 ? ? )(%1~ CdTd ????)(2)()( 100CE OCE O0CTTTITI ???1. 溫度對 ICBO 和 ICEO 的影響 溫度每 升高 10℃ , ICBO 增加約一倍 ;反之,溫度減低時減小。也就是說,當(dāng) |? (f)| = 1時,集電極電流增量與基極電流增量相等,共射接法的 BJT失去電流放大能力。當(dāng)硅管的結(jié)溫大于 150℃ 時,鍺管的結(jié)溫大于 70℃ 時,管子特性明顯變壞,甚至燒毀。比較常用的反向擊穿電壓參數(shù)有: BVCEO:基極開路條件下,加在集電極與發(fā)射極之間使得集電結(jié)反向擊穿的電壓。在應(yīng)用雙極型晶體管時,工作頻率應(yīng)該遠(yuǎn)小于特征頻率 fT。 ICBO是 BJT在共基極應(yīng)用且發(fā)射極開路時,集電結(jié)的反向飽和電流。 定義共發(fā)射極交流電流放大系數(shù): 由于基調(diào)效應(yīng)很微弱, vCE在很大范圍內(nèi)變化時 iC 基本不變。 兩個要點 三極管的放大作用,主要是依靠它的 iE通過基區(qū)傳輸,然后順利到達(dá)集電極而實現(xiàn)的。當(dāng)斷開 B點時,微安表的讀數(shù)為 240μA,當(dāng)斷開 E點時,微安表的讀數(shù)為 6μA,試求該管的 和 。 BJT的電流放大作用 —— 內(nèi)外部電流 B E C N N P VBB RB VCC IE 集電結(jié)反偏,有少子形成的反向電流 ICBO。 晶體管三電極電流之間的關(guān)系 則可得三電極的電流關(guān)系: 根據(jù)傳輸過程可知 : 又, IEP很小,可以忽略 IC=ICN+ICBO
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