模擬電路基捶20090917第六次-全文預(yù)覽
【正文】 ）。 兩個要點 三極管的放大作用，主要是依靠它的 iE通過基區(qū)傳輸，然后順利到達集電極而實現(xiàn)的?；鶇^(qū)少子數(shù)量又與基區(qū)少子濃度分布曲線下的 面積 S成正比。 ? 雙極型晶體管也是一種電壓控制器件。集電結(jié)反向電壓的變化對 各極電流也有影響。當(dāng)斷開 B點時，微安表的讀數(shù)為 240μA，當(dāng)斷開 E點時，微安表的讀數(shù)為 6μA，試求該管的 和 。 發(fā)射區(qū)：發(fā)射載流子 基 區(qū)：傳送和控制載流子 集電區(qū)：收集載流子 ,發(fā)射極注入電流傳輸?shù)郊姌O的電流設(shè) ??ECNII??即根據(jù)傳輸過程可知： IC= ICN+ ICBO 通常， IC ICBO ECII??則有4. 放大偏置時電流分配關(guān)系 載流子的傳輸過程 (1) IE與 IC的關(guān)系 ? 為共基極直流電流放大系數(shù)， 它只與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關(guān)，與外加電壓無關(guān) 。因此，基極電流： IB = IBN + IEP ICBO 3. 集電區(qū)收集基區(qū)非平衡少子 ? 擴散到達集電結(jié)邊界的基區(qū)非平衡少子（發(fā)射區(qū)擴散到 基區(qū)的自由電子），在電場力的作用下均被抽?。ㄆ疲? 到集電區(qū)，形成集電極電流的主要成分 ICN。 ? 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)注入，形成空穴注入電流 IEP。 BJT的電流放大作用 —— 內(nèi)外部電流 B E C N N P VBB RB VCC IE 集電結(jié)反偏，有少子形成的反向電流 ICBO。 B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 NPN型 P N P 集電極 基極 發(fā)射極 B C E PNP型 BJT結(jié)構(gòu) BJT內(nèi)部結(jié)構(gòu) 三個區(qū)： 發(fā)射區(qū)（ Emitter） —— 發(fā)射載流子的區(qū)域 基 區(qū) （ Base） —— 傳輸載流子的區(qū)域 集電區(qū) （ Collector） —— 收集載流子的區(qū)域 三個極 : 發(fā)射極 （ E） 基極 （ B） 集電極 （ C） N N P B E C 基極 發(fā)射極 集電極 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) 兩個結(jié) B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 基區(qū)：很薄，摻雜濃度最低 集電區(qū)：面積大；摻雜濃度低于發(fā)射區(qū) 發(fā)射區(qū)：摻 雜濃度最高 BJT結(jié)構(gòu)特點 三極管的不同封裝形式 金屬封裝 塑料封裝 大功率管 中功率管 放大狀態(tài)下 BJT內(nèi)部載流子的傳輸過程 外部偏置 —— 當(dāng) BJT的發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏時，BJT處于放大狀態(tài)；對于 NPN管，要求：（ VBE0 ，VBC0 ）。 分 NPN管和 PNP管兩種類型，如圖所示。 發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴散，形成發(fā)射極電流 IEN。 晶體管三電極電流之間的關(guān)系 則可得三電極的電流關(guān)系： 根據(jù)傳輸過程可知 : 又， IEP很小，可以忽略 IC=ICN+ICBO IE=IEN+IEP IB=IBN+IEPICBO IE=IB+IC 1. 發(fā)射區(qū)多子向基區(qū)擴散（又稱注入） ? 正偏發(fā)射結(jié)使發(fā)射區(qū)自由電子（多子）向基區(qū)注入（擴 散），形成電流 IEN。 ? 由 PN結(jié)的原理，反偏集電結(jié)還存在著集電結(jié)反向飽和電 流 ICBO。 （ 2）外部條件：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置。一般 ? = 20?200 例 PNP管直流電路如圖 ，圖中 VCCVBB。 ? 控制各極電流變化的真正原因是發(fā)射結(jié)正 向電壓的變化。發(fā)射結(jié)正偏電壓 vBE的變化將控制各極電流的變化。 ? 基區(qū)電流 iB主要由基區(qū)的復(fù)合電流構(gòu)成，而基區(qū)復(fù)合電流與基區(qū)少子數(shù)量成正比。 ? 顯然，由虛線決定的濃度梯度變大，所以 iE會增加；而虛線下的面積比實線下的面積小，表明 iB會減??；再由 iC = iE iB 可知
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