模擬電路基捶20090915第五次-全文預(yù)覽
【正文】 i f v ?? 常 數(shù)(1) 基極電流 iB對集電極電流 iC有很強的控制作用，即 iB有很小的變化量ΔiB時， iC就會有很大的變化量 ΔiC。 2. 集電結(jié)反偏電壓 vCE增大時，基極電流會因基區(qū) 寬調(diào)效應(yīng)而減小。利用晶體管的特性曲線可以分析晶體管放大電路（ 負載線法 ）。 兩個要點 三極管的放大作用，主要是依靠它的 iE通過基區(qū)傳輸，然后順利到達集電極而實現(xiàn)的。 ? 集電結(jié)反偏電壓影響各極電流的現(xiàn)象稱為基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)，簡稱基區(qū)寬調(diào)效應(yīng)。 ? 雙極型晶體管也是一種電壓控制器件。集電結(jié)反向電壓的變化對 各極電流也有影響。當斷開 B點時，微安表的讀數(shù)為 240μA，當斷開 E點時，微安表的讀數(shù)為 6μA，試求該管的 和 。 ? 因此，集電極電流為： iC = iCN + ICBO E E N E Pi i i??C C N C B Oi i I??B B N E P C B Oi i i I? ? ?晶體管三電極電流之間的關(guān)系 則可得三電極的電流關(guān)系： E B Ci i i??根據(jù)傳輸過程可知 : 又， iEP很小，可以忽略 ,發(fā)射極注入電流傳輸?shù)郊姌O的電流設(shè) ??ECNII??即根據(jù)傳輸過程可知： IC= ICN+ ICBO 通常， IC ICBO ECII??則有4. 放大偏置時電流分配關(guān)系 載流子的傳輸過程 (1) IE與 IC的關(guān)系 ? 為電流放大系數(shù)， 它只與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關(guān)，與外加電壓無關(guān) 。 ? 兩電流之和構(gòu)成發(fā)射極電流 iE = iEN + iEP 。 ICBO IC=ICE+ICBO?ICE IBE ICE 從基區(qū)擴散來的電子作為集電結(jié)的少子，漂移進入集電結(jié)而被收集，形成ICE。 晶體管內(nèi)部載流子運動與外部電流 B E C N N P IE 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴散電流 IEP可忽略。 B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 NPN型 P N P 集電極 基極 發(fā)射極 B C E PNP型 BJT結(jié)構(gòu) BJT內(nèi)部結(jié)構(gòu) 三個區(qū)： 發(fā)射區(qū)（ Emitter） —— 發(fā)射載流子的區(qū)域 基 區(qū) （ Base） —— 傳輸載流子的區(qū)域 集電區(qū) （ Collector） —— 收集載流子的區(qū)域 三個極 : 發(fā)射極 （ E） 基極 （ B） 集電極 （ C） N N P B E C 基極 發(fā)射極 集電極 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) 兩個結(jié) B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 基區(qū)：很薄，摻雜濃度最低 集電區(qū)：面積大；摻雜濃度低于發(fā)射區(qū) 發(fā)射區(qū)：摻 雜濃度最高 BJT結(jié)構(gòu)特點 三極管的不同封裝形式 金屬封裝 塑料封裝 大功率管 中功率管 放大狀態(tài)下 BJT內(nèi)部載流子的傳輸過程 外部偏置 —— 當 BJT的發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏時，BJT處于放大狀態(tài)；對于 NPN管，要求：（ VBE0 ，VBC0 ）。 BJT的電流放大作用 —— 內(nèi)外部電流 B E C N N P EB RB EC IE 集電結(jié)反偏，有少子形成的反向電流 ICBO。 ? 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)注入，形成空穴注入電流 iEP 。因此，基極電流： iB = iBN + iEP ICBO 3. 集電區(qū)收集基區(qū)非平衡少子 —— 少子抽取 ? 擴散到達集電結(jié)邊界的基區(qū)非平衡少子（發(fā)射區(qū)擴散到 基區(qū)的自由電子），在電場力的作用下均被抽?。ㄆ疲? 到集電區(qū)，形成集電極電流的主要成分 i
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