模擬電路基捶20090917第六次(編輯修改稿)
2025-06-08 18:47 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 當(dāng)集電結(jié)反向電壓 vCB增加時(shí)，集電結(jié)會(huì)變寬，這必然使基區(qū)寬度減?。▓D W變到 W’），基區(qū)少子濃度曲線由圖中的實(shí)線變?yōu)樘摼€。 ? 顯然，由虛線決定的濃度梯度變大，所以 iE會(huì)增加；而虛線下的面積比實(shí)線下的面積小，表明 iB會(huì)減小；再由 iC = iE iB 可知， iC會(huì)增加。 兩個(gè)要點(diǎn) 三極管的放大作用，主要是依靠它的 iE通過(guò)基區(qū)傳輸，然后順利到達(dá)集電極而實(shí)現(xiàn)的。故要保證此傳輸，一方面要滿足內(nèi)部條件，即 發(fā)射區(qū)摻雜濃度要遠(yuǎn)大于基區(qū)摻雜濃度，基區(qū)要薄 ；另一方面要滿足外部條件，即 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)要反偏 。 輸入電壓的變化 ,是通過(guò)其改變輸入電流 ,再通過(guò)輸入電流的傳輸去控制輸出電壓的變化 ,所以是一種 電流控制器件 。 BJT的靜態(tài)特性曲線 特性曲線是指各電極之間的電壓與電流 之間的關(guān)系曲線 概念 輸入特性曲線 輸出特性曲線 晶體三極管的靜態(tài)特性曲線是在伏安平面上作出的反映晶體管各極直流電流與電壓關(guān)系的曲線－ 晶體管圖示儀 。利用晶體管的特性曲線可以分析晶體管放大電路（ 負(fù)載線法 ）。 三極管在電路中的連接方式 共基極連接 共集電極連接 共發(fā)射極連接 公共端： 不同回路共享的支路所對(duì)應(yīng)的端子。 實(shí)驗(yàn)線路 IC mA ?A V V VCE VBE RB IB VCC VBB + b c e 共射極放大電路 VBB VCC vBE iC iB + vCE 共射輸入特性曲線 (輸入端的電流與電壓間的關(guān)系曲線 ) iB=f(vBE)? vCE=const 1. 曲線的形狀與 PN結(jié)正偏時(shí)的伏安特性曲線類似。 2. 集電結(jié)反偏電壓 vCE增大時(shí)，輸入特性曲線略為右移，這意味著當(dāng) VBE不變時(shí)， VCE增大會(huì)使iB因基區(qū)寬調(diào)效應(yīng)而減小。 放大區(qū) VCE對(duì) iB的影響甚小，輸入特性曲線族會(huì)密集在一起，因此，工程上往往將輸入特性曲線族近似為一條曲線。 輸入特性曲線有以下兩個(gè)特點(diǎn)： (輸出端集電極電流與輸出端口集射極電壓間的關(guān)系曲線 ) 共射輸出特性曲線 圖 NPN管輸出特性曲線 輸出特性曲線的四個(gè)區(qū)域，對(duì)應(yīng)于 BJT的四種工作狀態(tài)。 放大區(qū)： iC平行于 vCE軸的區(qū)域，曲線基本平行等距。 ()BC C E ii f v ?? 常 數(shù)(1) 基極電流 iB對(duì)集電極電流 iC有很強(qiáng)的控制作用，即 iB有很小的變化量ΔiB時(shí)， iC就會(huì)有很大的變化量 ΔiC。為此，定義共發(fā)射極 交流電流放大系數(shù) ?來(lái)表示這種控制能力。 1. 放大區(qū) —— 條件 e結(jié)正偏， c結(jié)反偏 共射輸出特性曲線 圖 NPN管輸出特性曲線 (2) vCE變化對(duì) iC的影響很小，在輸出特性曲 線上表現(xiàn)為 iB一定而 vCE增大時(shí)，曲線略有上翹（ iC略有增大）。這是因?yàn)?vCE增加使得集電結(jié)反偏電壓 vCB增大，會(huì)因基區(qū)寬調(diào)效應(yīng)而略有增大。當(dāng)參變量 IB增大時(shí)，上翹的斜率也會(huì)增大。 定義共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)： 由于基調(diào)效應(yīng)很微弱， vCE在很大范圍內(nèi)變化時(shí) iC 基本不變。因此， 當(dāng) IB一定時(shí)，集電極電流 iC具有恒流特性。 常數(shù)????CEviiBC? 共射輸出特性曲線 圖 NPN管輸出特性曲線 飽和區(qū)： iC明顯受 vCE控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)，一般 vCE＜ 。 2. 飽和區(qū) —— 條件 e結(jié)和 c結(jié)均為正偏 ① 臨界飽和狀態(tài)： vCB=0（即 c結(jié)零偏）的情況。對(duì)應(yīng)點(diǎn)的軌跡為 臨界飽和線 。 ② 飽和區(qū)： 臨界飽和線與縱軸所夾的區(qū)域。 ③ 在飽和區(qū) ， vBEvCE，各條曲線幾乎重合在一起， iC與 iB的比例關(guān)系不再成立 。因此， iC失去了對(duì) iB的控制作用。 ④ 飽和壓降： 當(dāng)晶體管工作在飽和區(qū)時(shí)， C、 E之間的壓降。記作 VCES，在深度飽和時(shí)， VCES很小。 共射輸出特性曲線 圖 NPN管輸出特性曲線 截
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1