模擬電路基捶20090917第六次-預覽頁
【正文】 ， iC會增加。 BJT的靜態(tài)特性曲線 特性曲線是指各電極之間的電壓與電流 之間的關(guān)系曲線 概念 輸入特性曲線 輸出特性曲線 晶體三極管的靜態(tài)特性曲線是在伏安平面上作出的反映晶體管各極直流電流與電壓關(guān)系的曲線－ 晶體管圖示儀 。 2. 集電結(jié)反偏電壓 vCE增大時，輸入特性曲線略為右移，這意味著當 VBE不變時， VCE增大會使iB因基區(qū)寬調(diào)效應而減小。 ()BC C E ii f v ?? 常 數(shù)(1) 基極電流 iB對集電極電流 iC有很強的控制作用，即 iB有很小的變化量ΔiB時， iC就會有很大的變化量 ΔiC。當參變量 IB增大時，上翹的斜率也會增大。 2. 飽和區(qū) —— 條件 e結(jié)和 c結(jié)均為正偏 ① 臨界飽和狀態(tài)： vCB=0（即 c結(jié)零偏）的情況。因此， iC失去了對 iB的控制作用。此時， iC=ICEO ?0, vBE死區(qū)電壓。 ? 直流參數(shù) ? 直流電流放大系數(shù) 和 ? 極間反向電流 ICBO和 ICEO ? 交流參數(shù) ? 交流電流放大系數(shù) α 和 ? ? 頻率參數(shù) f?和 fT ? 極限參數(shù) ? 集電極最大允許電流 ICmax ? 集電極最大允許功耗 PCmax ? 反向擊穿電壓 ? ? BJT主要參數(shù) 一般近似認為： ? = ??? = ? ?1. 直流電流放大系數(shù) 和 （ 1）共基直流電流放大系數(shù) ?（ 2）共射直流電流放大系數(shù) ?? ?（ 3） 與 之間的關(guān)系 1???? ? 1???? ?（ ） （ ） BJT直流參數(shù) = ICN/IE =（ IC－ ICBO） /IE≈IC/IE ?= ICN/IB =（ IC－ ICBO） /IB≈IC/IB ?2. 極間反向電流 ICBO和 ICEO （ 1）集電結(jié)反向飽和電流 ICBO ?A ICBO ICBO是集電結(jié)反偏由少子的漂移形成的反向電流，受溫度的變化影響。 硅三極管的 ICBO僅千分之幾到十分之幾 μA，大功率管一般也不超過 μA數(shù)量級。 由于基極開路，只能由從發(fā)射區(qū)越過發(fā)射結(jié)擴散到基區(qū)的自由電子，來補充源源不斷進入集電區(qū)的自由電子，并中和進入基區(qū)的空穴，其效果是相當于給基極提供了大小等于ICBO的基極電流。 ????? 11. 交流電流放大系數(shù) α和 ? （ 1）交流電流放大系數(shù) α 0CB CBCCEEvvd i id i i? ? ? ?????常 數(shù)（ ） （ 2）交流電流放大系數(shù) ? 0CE CECCBBvvd i id i i? ? ? ?????常 數(shù)（ ） BJT交流參數(shù) （ 3） α與 ?的關(guān)系： ????? 1（ ） （ ） = ICN/IB =（ IC－ ICBO） /IB≈IC/IB ?0CE CECCBBvvd i id i i?? ? ?????常 數(shù)例： VCE=6V時： IB = 40 ?A, IC = mA； IB = 60 ?A, IC = mA。根據(jù) fT的定義和式（ ）可近似估算出特征頻率 fT 大部分 BJT:β010 Toff??? 根據(jù) fT的不同，晶體管可以分為 低頻管 、 高頻管 和 微波管 。 ICmax iC在較大的范圍內(nèi)， ? 基本不變，但當 iC增大到一定數(shù)值時， ?值就會隨著的 iC增大而減小。 2. 集電極最大允許耗散功率 PCmax PCmax是指集電結(jié)上允許損耗功率的最大值，決定了晶體管的溫升。對于大功率管，為了提高 PCmax，通常加裝散熱裝置。 3. 反向擊穿電壓 對于 BJT的兩個 PN結(jié)，若反向電壓超過規(guī)定值就會發(fā)生擊穿。 對于不同型號的管子： BVCBO為幾十伏到上千伏，BVEBO一般只有幾伏。 ? 3. …. 思考題（ III） 合上書本，用一支筆、一張紙，根據(jù)自己的思維方式：
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