模擬電路基捶20090917第六次(參考版)
2025-05-15 18:47本頁面
【正文】 ? 2. 放大狀態(tài)下 PNP管所加外部電壓的偏置情況。三種反向擊穿電壓有以下關系 ： BVEBO BVCEO BVCBO 安全工作區(qū) 由 ICmax、 BVCEO、及 PCmax三個極限參數(shù)， 在輸出特性曲線上 可畫出三極管的安全工作區(qū)圖，并確定過損耗區(qū)、過電流區(qū)和擊穿區(qū)。 BVEBO：集電極開路條件下，加在發(fā)射極與基極之間使得發(fā)射結反向擊穿的電壓。比較常用的反向擊穿電壓參數(shù)有： BVCEO：基極開路條件下，加在集電極與發(fā)射極之間使得集電結反向擊穿的電壓。當硅管的結溫大于 150℃ 時，鍺管的結溫大于 70℃ 時，管子特性明顯變壞，甚至燒毀。當散熱條件不滿足要求時，允許的最大功耗將小于 PCmax。 按 PCmax的大小，晶體管可分為 小功率管 和 大功率管 。超過此值就會使管子性能變壞或燒毀。 極限參數(shù) 晶體管線性運用時，iC不應超過 ICmax。一般ICmax是指 ?下降到 最大值的2/3時所對應的集電極電流。 2 1Toff ? ???極限參數(shù)是指 BJT安全工作時不可超過的限度。在應用雙極型晶體管時，工作頻率應該遠小于特征頻率 fT。也就是說，當 |? (f)| = 1時，集電極電流增量與基極電流增量相等，共射接法的 BJT失去電流放大能力。 _ _ _???BCII?在以后的計算中，一般作近似處理： ? = ?? = ?40 ???????BCii?2. 頻率參數(shù) （ 1）截止頻率 f? 由于 BJT的 PN結具有電容效應，當工作頻率較高時， BJT電流放大系數(shù) ? 將隨信號頻率 f的變化而變化，兩者之間的關系可近似表示為 : ()1offjf ??? ?? （ ） 其中， ? 0為直流（或低頻）電流放大系數(shù)； f?為共射電流放大系數(shù)的截止頻率，指共射電流放大系數(shù)由 ? 0 下降 3 dB（ 1/√2 倍）時所對應的頻率。 交流參數(shù)是描述 BJT對于動態(tài)信號的性能指標。根據(jù)： ICEO= IE= (1+? )ICBO ICEO受溫度影響很大，當溫度上升時， ICEO增加很快，所以 IC也相應增加。 B E C N N P ICBO ICEO IE= (1+? )IB 當集電結被加上反向偏壓時，流過集電結的反向飽和電流是由空穴進入基極和自由電子離開基極形成的。 （ 2） 集電結反向穿透電流 ICEO ICEO是 BJT在共發(fā)射極應用且基極開路，外加電壓極性如圖所示時，流過集電極與發(fā)射極間的穿透電流。 室溫時鍺三極管的 ICBO大小約為 (1～ 2)μA（高頻管）到幾十 μA（低頻管），甚至幾百 μA（大功率低頻管）。 ICBO是 BJT在共基極應用且發(fā)射極開路時，集電結的反向飽和電流。 對于小功率管， ICEO通常很小，截止區(qū)： IB=0；對于大功率管， ICEO很大，截止區(qū)： IBICBO )(CmV)~2( ???dTdv BE 溫度對 BJT特性及參數(shù)的影響 (1 )C E O C B OII???由于 ， ICEO隨溫度的變化與 ICBO類似， 其隨溫度的變化規(guī)律為： 3. 溫度對輸出特性曲線的影響 2. 溫度對輸入特性曲線的影響 ? ? )(%1~ CdTd ????)(2)()( 100CE OCE O0CTTTITI ???1. 溫度對 ICBO 和 ICEO 的影響 溫度每 升高 10℃ , ICBO 增加約一倍 ；反之，溫度減低時減小。 3. 截止區(qū) —— 條件 e結和 c結均為反偏，且 IBICBO 4. 擊穿區(qū) 當 vCE增大到基極開路時集電結的反向擊穿電壓達到 BVCEO時，集電結發(fā)生擊穿，集電極電流 iC急劇增大的區(qū)域。 共射輸出特性曲線 圖 NPN管輸出特性曲線 截止區(qū)： iC接近零的區(qū)域， IBICBO的曲線的下方。 ④ 飽和壓降： 當晶體管工作在飽和區(qū)時， C、 E之間的壓降。 ③ 在飽和區(qū) ， vB
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