模擬電路基捶20090917第六次-在線瀏覽
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【正文】 來的。 （ 2）外部條件：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置。一般 ? = ? ????? 14. 放大偏置時電流分配關(guān)系 (2) IC 與 IB的關(guān)系 C B OBC B OCBNCNIIIIII?????定義 CBOBC )1( III ?? ???C E OBC III ?? ?ICBO很小， ICEO的影響可以忽略，則： BC II ??根據(jù)三電極電流之間的關(guān)系式： IE= IC + IB，以及 可得： ECII???????1：或?qū)懗闪?ICEO= (1+ ? ) ICBO， 是基極開路（ iB=0）時，集電極與發(fā)射極之間流過的穿透電流。一般 ? = 20?200 例 PNP管直流電路如圖 ，圖中 VCCVBB。 ? ?圖 例 解 ：直流電壓 VCC及 VBB的方向和大小表明該管處于 放大偏置。 ? 控制各極電流變化的真正原因是發(fā)射結(jié)正 向電壓的變化。 ? ? BCBE 1 IIII ?????1. 發(fā)射結(jié)正向電壓 vBE對各極電流的控制作用 —— BJT的正向控制作用 ? 發(fā)射結(jié)電流 iE實際上就是正偏發(fā)射結(jié)的正向電流 : ? 當發(fā)射結(jié)正偏電壓 vBE增加時，正向電流 iE增加。發(fā)射結(jié)正偏電壓 vBE的變化將控制各極電流的變化。 TBEESEVveIi ? vCB對各極電流的影響 —— 基區(qū)寬度調(diào)制效應 圖 基區(qū)寬度調(diào)制效應 ? 當正偏電壓 vBE一定時，發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入的自由電子一定，即 x=0處的基區(qū)少子濃度 nb(0)一定。 ? 基區(qū)電流 iB主要由基區(qū)的復合電流構(gòu)成，而基區(qū)復合電流與基區(qū)少子數(shù)量成正比。故 iB由基區(qū)少子濃度分布曲線下的面積決定。 ? 顯然，由虛線決定的濃度梯度變大，所以 iE會增加；而虛線下的面積比實線下的面積小，表明 iB會減??；再由 iC = iE iB 可知， iC會增加。故要保證此傳輸，一方面要滿足內(nèi)部條件，即 發(fā)射區(qū)摻雜濃度要遠大于基區(qū)摻雜濃度，基區(qū)要薄 ；另一方面要滿足外部條件，即 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)要反偏 。 BJT的靜態(tài)特性曲線 特性曲線是指各電極之間的電壓與電流 之間的關(guān)系曲線 概念 輸入特性曲線 輸出特性曲線 晶體三極管的靜態(tài)特性曲線是在伏安平面上作出的反映晶體管各極直流電流與電壓關(guān)系的曲線－ 晶體管圖示儀 。 三極管在電路中的連接方式 共基極連接 共集電極連接 共發(fā)射極連接 公共端： 不同回路共享的支路所對應的端子。 2. 集電結(jié)反偏電壓 vCE增大時，輸入特性曲線略為右移，這意味著當 VBE不變時， VCE增大會使iB因基區(qū)寬調(diào)效應而減小。 輸入特性曲線有以下兩個特點： (輸出端集電極電流與輸出端口集射極電壓間的關(guān)系曲線 ) 共射輸出特性曲線 圖 NPN管輸出特性曲線 輸出特性曲線的四個區(qū)域，對應于 BJT的四種工作狀態(tài)。 ()BC C E ii f v ?? 常 數(shù)(1) 基極電流 iB對集電極電流 iC有很強的控制作用，即 iB有很小的變化量ΔiB時， iC就會有很大的變化量 ΔiC。 1. 放大區(qū) —— 條件 e結(jié)正偏， c結(jié)反偏 共射輸出特性曲線 圖 NPN管輸出特性曲線 (2) vCE變化對 iC的影響很小，在輸出特性曲 線上表現(xiàn)為 iB一定而 vCE增大時，曲線略有上翹（ iC略有增大）。當參變量 IB增大時，上翹的斜率也會增大。因此， 當 IB一定時，集電極電流 iC具有恒流特性。 2. 飽和區(qū) —— 條件 e結(jié)和 c結(jié)均為正偏 ① 臨界飽和狀態(tài)： vCB=0（即 c結(jié)零偏）的情況。 ② 飽和區(qū)： 臨界飽和線與縱軸所夾的區(qū)域。因此， iC失去了對 iB的控制作用。記作 VCES，在深度飽和時， VCES很小。此時， iC=ICEO ?0, vBE死區(qū)電壓。擊穿電壓 BVCEO會隨參變量 IB的增加而減小。 ? 直流參數(shù) ? 直流電流放大系數(shù) 和
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