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《半導(dǎo)體物理第九章》ppt課件(文件)

2025-05-24 12:47 上一頁面

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【正文】 ? 引入界面態(tài)的主要原因是,形成異質(zhì)結(jié)的兩種半導(dǎo)體材料的晶格失配。 導(dǎo)帶底處 : )()( 2112 ?? ????? ggv EEE價(jià)帶頂處 : 21211221DDDFFDDDVVVWWEEQVqVqV????????? 突變 pN異質(zhì)結(jié)后的熱平衡能帶圖特點(diǎn) 2 ? 能帶在交界面處出現(xiàn) ”尖峰 ” 和 ” 凹口 ” 。 ? 同型異質(zhì)結(jié) :指 由導(dǎo)電類型相同的兩種不同的半導(dǎo)體單晶材料所形成的異質(zhì)結(jié) 。 異質(zhì)結(jié)的電流輸運(yùn)機(jī)構(gòu) ? 167。 ? 由于形成異質(zhì)結(jié)的兩種半導(dǎo)體單晶材料的 禁帶寬度、介電常數(shù)、折射率、吸收系數(shù) 等物理參數(shù)不同,異質(zhì)結(jié) (heterojuction)表現(xiàn)出不同于同質(zhì)結(jié)( homojunction)的性質(zhì)。 9 異質(zhì)結(jié) ? 異質(zhì)結(jié)定義: 由兩種不同的半導(dǎo)體單晶材料形成的結(jié)稱為異質(zhì)結(jié) (heterojunction)。 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 ? 167。 如 p型 Ge與 n型 GaAs所形成的結(jié),記為 pnGeGaAs;若異質(zhì)結(jié)由 n型Ge與 p型 GaAs所形成,記為 npGeGaAs。 21211221DDDFFDDDVVVWWEEQVqVqV????????21 ?? ??? CE? 突變 pN異質(zhì)結(jié)后的熱平衡能帶圖特點(diǎn) 1 ? 能帶在交界面處不連續(xù),有一個(gè)突變。對(duì)于反型異質(zhì)結(jié), 兩種半導(dǎo)體交界面兩邊都成為耗盡層。( 類同金半接觸的表面態(tài)的影響 ) ? 對(duì)于晶格常數(shù)分別為 a a2的兩塊半導(dǎo)體形成的異質(zhì)結(jié),以某晶面為交界面時(shí),金剛石結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體懸掛鍵密度為: ])([3422212122aaaaNs???])([2422212122aaaa
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