半導(dǎo)體物理第九章ppt課件(參考版)
2025-05-09 12:47本頁面
【正文】 VE?： ? 空穴由 P型半導(dǎo)體的價帶到 N型半導(dǎo)體的價帶所遇勢壘高度： VE?vDp EqVq ????? 電子由 N型半導(dǎo)體的導(dǎo)帶到 P型半導(dǎo)體的導(dǎo)帶所遇勢壘高度： cDn EqVq ????? 負反向勢壘 PN異質(zhì)結(jié)擴散電流表達式： 電子擴散流： )1e x p (])(e x p [001201 ?????TkqVTkEVqLnqDJ CDnnn空穴擴散流： )1e x p (])(e x p [002102 ?????TkqVTkEVqLpqDJ vDpppvDp EqVq ???? ???? cDn EqVq ?所以： pn JJ ?異質(zhì)結(jié)應(yīng)用 ? 高頻高速大功率集成電路器件 (IC)： ? 雙極器件：異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)型晶體管 （ heterojunctionbipolartransistor） 設(shè)計射頻及微波集成電路的核心器件之一。 ? （ 2） 異質(zhì)結(jié)中電子勢壘與空穴勢壘不同 ，較小的勢壘高度導(dǎo)致較大的載流子電流，實際電流可由勢壘高度小的載流子電流決定。 異質(zhì)結(jié)的電流輸運機構(gòu) ? 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)由于特殊的能帶結(jié)構(gòu)（能帶不連續(xù)，存在勢壘尖峰和勢阱 )及晶格不匹配而引人界面態(tài)等因素，異質(zhì)結(jié)的電流電壓關(guān)系較同質(zhì)結(jié)復(fù)雜的多。由直線的斜率可推算半導(dǎo)體材料的摻雜濃度。 ? 當(dāng)考慮界面態(tài)的影響時，異質(zhì)結(jié)的能帶圖需要修正。 （ 2） 考慮界面態(tài)時異質(zhì)結(jié)的能帶圖 ? 引入界面態(tài)的主要原因是，形成異質(zhì)結(jié)的兩種半導(dǎo)體材料的晶格失配。 ? 突變 pN異質(zhì)結(jié)能帶圖舉例： 例如 pnGeGaAs異質(zhì)結(jié)的平衡能帶圖 ? 對于 pnGeGaAs異質(zhì)結(jié)來說： eVE C ???? ??eVEEE gg
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