半導(dǎo)體物理第九章ppt課件(已修改)
2025-05-18 12:47 本頁面
【正文】 半導(dǎo)體物理學(xué) 陳延湖 167。 9 異質(zhì)結(jié) ? 異質(zhì)結(jié)定義： 由兩種不同的半導(dǎo)體單晶材料形成的結(jié)稱為異質(zhì)結(jié) (heterojunction)。 ? 由于形成異質(zhì)結(jié)的兩種半導(dǎo)體單晶材料的 禁帶寬度、介電常數(shù)、折射率、吸收系數(shù) 等物理參數(shù)不同，異質(zhì)結(jié) (heterojuction)表現(xiàn)出不同于同質(zhì)結(jié)（ homojunction）的性質(zhì)。 ? 異質(zhì)結(jié)器件的發(fā)展： ? 1948年肖克萊提出 HBT概念和獲得專利； 1960年制造成功第一個異質(zhì)結(jié)； 1969年實現(xiàn)異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體激光器； 1972年 IBM實現(xiàn) HBT器件； 1980實現(xiàn) HEMT器件 ? 異質(zhì)結(jié)制作技術(shù)： 外延技術(shù) — 液相、氣相、分子束等。 分子束外延生長 ? 167。 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 ? 167。 異質(zhì)結(jié)的電流輸運機(jī)構(gòu) ? 167。 異質(zhì)結(jié)在器件中的應(yīng)用 主要內(nèi)容 ： 167。 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 ? 異質(zhì)結(jié)的分類 ? 反型異質(zhì)結(jié) ：指 由導(dǎo)電類型相反的兩種不同的半導(dǎo)體單晶材料所形成的異質(zhì)結(jié)。 如 p型 Ge與 n型 GaAs所形成的結(jié)，記為 pnGeGaAs；若異質(zhì)結(jié)由 n型Ge與 p型 GaAs所形成，記為 npGeGaAs。 ? 同型異質(zhì)結(jié) ：指 由導(dǎo)電類型相同的兩種不同的半導(dǎo)體單晶材料所形成的異質(zhì)結(jié) 。如 n型 Ge與 n型 GaAs形成 nnGeGaAs。 ? 異質(zhì)結(jié)也可以分為 突變型 異質(zhì)結(jié)和 緩變型 異質(zhì)結(jié)兩種 1異質(zhì)結(jié)能帶圖 ? 在研究異質(zhì)結(jié)特性時，異質(zhì)結(jié)的能帶圖起著重要作用，異質(zhì)結(jié)的能帶圖取決于形成異質(zhì)結(jié)的兩種半導(dǎo)體的 電子親和勢、禁帶寬度、及功函數(shù)、 界面態(tài) 等 （ 1） 不考慮界面態(tài)時的能帶圖 ? 不考慮界面態(tài)時的 突變反型異質(zhì)結(jié)能帶圖 形成突變 pN異質(zhì)結(jié)前的能帶圖，費米能級分別為 EF1
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1