半導(dǎo)體物理第九章ppt課件-資料下載頁
2025-05-06 12:47本頁面
【正文】 同質(zhì)結(jié)與異質(zhì)結(jié)電流電壓成分對(duì)比： ? （ 1） 同質(zhì)結(jié)中電子勢(shì)壘與空穴勢(shì)壘相同 ，電子電流與空穴電流的相對(duì)數(shù)量級(jí)由相對(duì)雜質(zhì)濃度決定。 ? （ 2） 異質(zhì)結(jié)中電子勢(shì)壘與空穴勢(shì)壘不同 ，較小的勢(shì)壘高度導(dǎo)致較大的載流子電流，實(shí)際電流可由勢(shì)壘高度小的載流子電流決定。 ? 擴(kuò)散模型舉例：擴(kuò)散模型適用于 負(fù)反向勢(shì)壘（低勢(shì)壘尖峰）能帶結(jié)構(gòu) 負(fù)反向勢(shì)壘（低勢(shì)壘尖峰）的異質(zhì)結(jié) 能帶圖：寬禁帶半導(dǎo)體的勢(shì)壘尖峰低于異質(zhì)結(jié)勢(shì)壘區(qū)外的禁帶寬度小的半導(dǎo)體的導(dǎo)帶底。 VE?： ? 空穴由 P型半導(dǎo)體的價(jià)帶到 N型半導(dǎo)體的價(jià)帶所遇勢(shì)壘高度： VE?vDp EqVq ????? 電子由 N型半導(dǎo)體的導(dǎo)帶到 P型半導(dǎo)體的導(dǎo)帶所遇勢(shì)壘高度： cDn EqVq ????? 負(fù)反向勢(shì)壘 PN異質(zhì)結(jié)擴(kuò)散電流表達(dá)式： 電子擴(kuò)散流： )1e x p (])(e x p [001201 ?????TkqVTkEVqLnqDJ CDnnn空穴擴(kuò)散流： )1e x p (])(e x p [002102 ?????TkqVTkEVqLpqDJ vDpppvDp EqVq ???? ???? cDn EqVq ?所以： pn JJ ?異質(zhì)結(jié)應(yīng)用 ? 高頻高速大功率集成電路器件 (IC)： ? 雙極器件：異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)型晶體管 （ heterojunctionbipolartransistor） 設(shè)計(jì)射頻及微波集成電路的核心器件之一。 ? 場(chǎng)效應(yīng)器件：調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管或高電子遷移率晶體管（ high electronic mobility transistor） ? 光電子器件 (OEIC)： ? 半導(dǎo)體激光器 ? 電致發(fā)光二極管 ? 光電探測(cè)器 ? 太陽能電池
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