半導(dǎo)體物理第九章ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-02 12:47 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ])([3422212122aaaaNs???])([2422212122aaaaNs???（ 111）面 （ 110）面 （ 100）面 ])([4 22212122aaaaNs???懸掛鍵密度與晶格常數(shù)關(guān)系 : ? 應(yīng)用上述公式，計(jì)算的 GEGaAs及 GeSi異質(zhì)結(jié)的懸掛鍵密度： 意義：指導(dǎo)材料的生長(zhǎng) ? 界面態(tài)對(duì)異質(zhì)結(jié)能帶的影響： 能帶釘扎 d、 e、 f為存在受主表面態(tài) a、 b、 c為存在施主表面態(tài) Pseudomorphic： 假晶應(yīng)變結(jié)構(gòu) Metamorphic：弛豫結(jié)構(gòu) ? 常見(jiàn)異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)：三種異質(zhì)結(jié)材料體系 2 突變反型異質(zhì)結(jié)的接觸電勢(shì)差及勢(shì)壘區(qū)寬度 (pN結(jié)為例 ) VD為接觸電勢(shì)差或內(nèi)建電勢(shì)差 2111221 ?? ????????? CgFFDDD EEEEqVqVqV? 由異質(zhì)結(jié)交界面兩邊的勢(shì)壘區(qū)（耗盡區(qū)）的泊松方程可以推導(dǎo)出在熱平衡狀態(tài)下異質(zhì)結(jié)接觸電勢(shì)差及勢(shì)壘區(qū)寬度表達(dá)式： V(x)為勢(shì)壘區(qū)電勢(shì)分布 )( )( 0111212xxxqNdx xVd A ??? ?)( )( 2022222xxxqNdx xVd D ??? ?? 在熱平衡下勢(shì)壘區(qū)的接觸電勢(shì)差及勢(shì)壘寬度可表達(dá)為： 2102222110111122)()()()()()(DDDDDDVVVxVxVVxVxVVxVxVV????????)()( 100212 xxxxddX D ??????? 求解泊松方程可得系列公式 : ])()()[2( 221
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