半導體物理器ppt課件(更新版)
【正文】 ?為聲子頻率。第八章 發(fā)光二極管和半導體激光器 ● 輻射復合與非輻射 ● LED的基本結構和工作過程 ● LED的特性參數 發(fā)光二極管和半導體激光器 五族化合物中觀察到輻射復合 PN結發(fā)光 1962年砷化鎵發(fā)光二極管和激光器研制成功 1970年砷化鎵 鋁鎵砷激光器實現室溫連續(xù) 引言 發(fā)光二極管和半導體激光器 在復合過程中電子多余的能量可以以輻射的形式（發(fā)射光子）釋放出來，這種復合稱為輻射復合，它是光吸收的逆過程。 光子KKK ??? ?? 12電子在躍遷過 程中必須遵守能量守恒和準動量守恒 準動量守恒要求 2K?1K?光子K? =躍遷前電子的波矢量 =躍遷后電子的波矢量 =躍遷過程中輻射的光子的波矢量 發(fā)光二極管和半導體激光器 (82)式說明這種躍遷發(fā)生在 空間的同一地點，因此也被稱為豎直躍遷。 GaP 深能級雜質除了對輻射復合有影響外，往往是造成非輻射復合的根源，特別是在直接帶隙材料中更是如此。 對于間接帶隙半導體材料，自由激子復合發(fā)射光子的能量為 發(fā)光二極管和半導體激光器 輻射復合 等電子陷阱復合 等電子雜質 ：周期表內與半導體基質原子同族的原子 。 發(fā)光二極管和半導體激光器 (Auger)過程 圖 87俄歇過程 （ a ） （ b ） （ c ） N 型 晶體中電子和空穴復合時，多余的能量傳輸給第三個載流子，使之在導帶和價帶內部激發(fā)。工作電壓和工作電流低，使得可以把它們做的很小，以至于看作點光源，這使得 LED極適宜用于光顯示。 根據（ 815）式提高注射效率的途徑是： PN ??(a) P區(qū)受主濃度要小于 N 區(qū)施主濃度，即 結。 ?1 ? ?c ?1? ?c ?1 ?c ?2 半導體表面 圖 814 中的界面反射和臨界角 LEDjxnLPP發(fā)光二極管和半導體激光器 N型半導體圓頂 型 i 型 典型源點 160 160 160 160 （ a） （ b） 透明環(huán)氧樹脂 二極管芯片 d h1 h2 圖 818 圓頂狀結構； （ a） 型半導體圓頂 ， （ b） 透明環(huán)氧樹脂圓頂
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