半導(dǎo)體存儲(chǔ)器hppt課件(編輯修改稿)
2025-02-13 16:28 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 ，因?yàn)闆]有電容器，因此無須不斷充電即可正常運(yùn)作，因此它可以比一般的動(dòng)態(tài)隨機(jī)處理內(nèi)存處理速度更快更穩(wěn)定，往往用來做高速緩存。 （ Dynamic RAM，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 一個(gè)電子管與一個(gè)電容器組成一個(gè)位存儲(chǔ)單元，DRAM將每個(gè)內(nèi)存位作為一個(gè)電荷保存在位存儲(chǔ)單元中，用電容的充放電來做儲(chǔ)存動(dòng)作，但因電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則數(shù)據(jù)會(huì)丟失。存取時(shí)間和放電時(shí)間一致，約為 2~4ms。因?yàn)槌杀颈容^便宜，通常都用作計(jì)算機(jī)內(nèi)的主存儲(chǔ)器。 DRAM（ Fast Page Mode DRAM，快速頁切換模式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 改良版的 DRAM，大多數(shù)為 72Pin或 30Pin的模塊。在 96年以前，在 486時(shí)代和 PENTIUM時(shí)代的初期， FPM DRAM被大量使用。 （ Video RAM，視頻內(nèi)存） 它的主要功能是將顯卡的視頻數(shù)據(jù)輸出到數(shù)模轉(zhuǎn)換器中，有效降低繪圖顯示芯片的工作負(fù)擔(dān)。它采用雙數(shù)據(jù)口設(shè)計(jì)，其中一個(gè)數(shù)據(jù)口是并行式的數(shù)據(jù)輸出入口，另一個(gè)是串行式的數(shù)據(jù)輸出口。多用于高級(jí)顯卡中的高檔內(nèi)存。 DRAM（ Extended Data Out DRAM，延伸數(shù)據(jù)輸出動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 這是繼 FPM之后出現(xiàn)的一種存儲(chǔ)器，一般為 72Pin、168Pin的模塊。它不需要像 FPM DRAM那樣在存取每一 BIT 數(shù)據(jù)時(shí)必須輸出行地址和列地址并使其穩(wěn)定一段時(shí)間，然后才能讀寫有效的數(shù)據(jù)，而下一個(gè) BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時(shí)間，其存取速度一般比FPM模式快 15%左右。它一般應(yīng)用于中檔以下的Pentium主板標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存，后期的 486系統(tǒng)開始支持 EDO DRAM，到 96年后期， EDO DRAM開始執(zhí)行。 DRAM（ Burst Extended Data Out DRAM，爆發(fā)式延伸數(shù)據(jù)輸出動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 這是改良型的 EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在芯片上增加了一個(gè)地址計(jì)數(shù)器來追蹤下一個(gè)地址。它是突發(fā)式的讀取方式，也就是當(dāng)一個(gè)數(shù)據(jù)地址被送出后，剩下的三個(gè)數(shù)據(jù)每一個(gè)都只需要一個(gè)周期就能讀取，因此一次可以存取多組數(shù)據(jù)，速度比 EDO DRAM快。但支持 BEDO DRAM內(nèi)存的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支持（如 VIA APOLLO VP2），因此很快就被 DRAM取代了。 （ Window RAM，窗口隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 韓國 Samsung公司開發(fā)的內(nèi)存模式，是 VRAM內(nèi)存的改良版，不同之處是它的控制線路有一、二十組的輸入 /輸出控制器，并采用 EDO的資料存取模式 ,因此速度相對(duì)較快，另外還提供了區(qū)塊搬移功能（ BitBlt），可應(yīng)用于專業(yè)繪圖工作上。 （ MultiBank DRAM，多插槽動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） MoSys公司提出的一種內(nèi)存規(guī)格，其內(nèi)部分成數(shù)個(gè)類別不同的小儲(chǔ)存庫 (BANK)，也即由數(shù)個(gè)屬立的小單位矩陣所構(gòu)成，每個(gè)儲(chǔ)存庫之間以高于外部的資料速度相互連接，一般應(yīng)用于高速顯示卡或加速卡中，也有少數(shù)主機(jī)板用于 L2高速緩存中。 （ Synchronous DRAM，同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 這是一種與 CPU實(shí)現(xiàn)外頻 Clock同步的內(nèi)存模式，一般都采用 168Pin的內(nèi)存模組，工作電壓為。 所謂 clock同步是指內(nèi)存能夠與 CPU同步存取資料，這樣可以取消等待周期，減少數(shù)據(jù)傳輸?shù)难舆t，因此可提升計(jì)算機(jī)的性能和效率。 （ Rambus DRAM，高頻動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） Rambus公司獨(dú)立設(shè)計(jì)完成的一種內(nèi)存模式，速度一般可以達(dá)到 500~530MB/s，是 DRAM的 10倍以上。但使用該內(nèi)存后內(nèi)存控制器需要作相當(dāng)大的改變，因此它們一般應(yīng)用于專業(yè)的圖形加速適配卡或者電視游戲機(jī)的視頻內(nèi)存中。 SRAM（ Synchronous Burst SRAM，同步爆發(fā)式靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 一般的 SRAM是非同步的，為了適應(yīng) CPU越來越快的速度，需要使它的工作時(shí)脈變得與系統(tǒng)同步，這就是 SB SRAM產(chǎn)生的原因。 （ Synchronous Graphics RAM，同步繪圖隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） SDRAM的改良版，它以區(qū)塊 Block，即每 32bit為基本存取單位，個(gè)別地取回或修改存取的資料，減少內(nèi)存整體讀寫的次數(shù)，另外還針對(duì)繪圖需要而增加了繪圖控制器，并提供區(qū)塊搬移功能（ BitBlt），效率明顯高于 SDRAM。 SDRAM（ Double Data Rate二倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 作為 SDRAM的換代產(chǎn)品，它具有兩大特點(diǎn)：其一，速度比 SDRAM有一倍的提高；其二，采用了 DLL（ Delay Locked Loop：延時(shí)鎖定回路）提供一個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào)。這是目前內(nèi)存市場(chǎng)上的主流模式。 SRAM（
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