半導(dǎo)體存儲(chǔ)器hppt課件-展示頁(yè)
2025-01-26 16:28本頁(yè)面
【正文】 ：字 位，如 存儲(chǔ)容量表示方法：字 位，如 某個(gè)存儲(chǔ)器有 12根地址線， 8根數(shù)據(jù)線，則 12根地址線可以譯出 212 =22 210= 4K個(gè)字線， 8根數(shù)據(jù)線為 8根位線，其存儲(chǔ)容量為4K 8=32KB。 存儲(chǔ)器存放數(shù)據(jù)的多少，即存儲(chǔ)單元的總數(shù)。 存儲(chǔ)器的種類很多，其中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是大規(guī)模集成電路，有品種多、容量大、速度快、耗電省、體積小、操作方便、維護(hù)容易等優(yōu)點(diǎn)，在數(shù)字設(shè)備中得到廣泛應(yīng)用?！?內(nèi)容提要 ☆ ?半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類與主要技術(shù)指標(biāo) ?只讀存儲(chǔ)器 ROM的結(jié)構(gòu)和工作原理 ?隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RAM的結(jié)構(gòu)和工作原理 ?存儲(chǔ)器容量的擴(kuò)展方法 數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)實(shí)用教程 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Rand Access Memory(RAM)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Static RAM(SRAM) 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Dynamic RAM(DRAM)只讀存儲(chǔ)器 ReadOnly Memory(ROM) 可編程只讀存儲(chǔ)器 Programmable ReadOnly Memory (PROM) 紫外線可擦除只讀存儲(chǔ)器 Erasable PROM (EPROM) 電可擦除只讀存儲(chǔ)器 Electrically EPROM (E2 PROM) 快閃存儲(chǔ)器 Flash Memory 雙 語(yǔ) 對(duì) 照 數(shù)字信息在運(yùn)算或處理過(guò)程中，需要進(jìn)行大量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，由此應(yīng)有專門(mén)的存儲(chǔ)器。 存儲(chǔ)器一般是由許多觸發(fā)器或其它記憶元件構(gòu)成的用以存儲(chǔ)一系列二進(jìn)制數(shù)碼的器件。 ： 1．按工藝的不同，分為雙極型和單極型 2． 按讀 、 寫(xiě)能力的不同 ， 分為 RAM和 ROM。 存儲(chǔ)單元通常以“字”為單位排列成矩陣形式，一個(gè)字有若干位數(shù)據(jù)，每位數(shù)據(jù)各自存放在一個(gè)存儲(chǔ)單元中。 訪問(wèn)一次存儲(chǔ)器（對(duì)指定單元寫(xiě)入或讀出）所需要的時(shí)間，一般為十幾納秒至幾百納秒。 ： 只讀存儲(chǔ)器，在元件正常工作的情況下，其中的代碼與數(shù)據(jù)將永久保存其存儲(chǔ)的內(nèi)容固定不變。 Read Only Memory 167。 PROM： 一次性可編程只讀存儲(chǔ)器 （ Programmble ROM） 使用前，用戶一次性寫(xiě)入數(shù)據(jù)，不得改寫(xiě)。 EPROM： 紫外線可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（ Erasable PROM） 數(shù)據(jù)寫(xiě)入后，可用紫外線照射擦除 。 E2PROM： 電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 （ Electrically Erasable PROM） 數(shù)據(jù)寫(xiě)入后，可施加電信號(hào)將數(shù)據(jù)擦除，并寫(xiě)入新數(shù)據(jù) ，可反復(fù)擦寫(xiě)上百次，適用于開(kāi)發(fā)階段或小批量產(chǎn)品的生產(chǎn)。 FLASH E2PROM： 閃爍存儲(chǔ)器 。 ROM主要由 地址譯碼器 、 存儲(chǔ)矩陣 和 輸出緩沖器三部分組成。 （ 2）存儲(chǔ)矩陣 —— 由許多存儲(chǔ)單元排列而成。每一個(gè)或每一組存儲(chǔ)單元有一個(gè)對(duì)應(yīng)的地址代碼。 （ 3）輸出緩沖器 —— 由三態(tài)門(mén)組成，用于提高存儲(chǔ)器的帶負(fù)載能力，并實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出狀態(tài)的三態(tài)控制，以便與系統(tǒng)的總線聯(lián)接。 CEOE24個(gè)引腳： 2716型 EPROM工作方式 由二極管構(gòu)成的ROM電路： 位線 字線 W3=A1A0 ＝ 11 . . W0= 0001 ?AA0 0 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 1 1 0 1 地 址 A1 A0 D3 D2 D1 D0 內(nèi) 容 輸入 A1A0 ，譯碼輸出對(duì)應(yīng)字線為 1，讀出該單元的四位輸出數(shù)字量 D3D2D1D0。 W1線上 D3’、 D1’、 D0’三根線與 W1間接有二極管，三個(gè)二極管會(huì)導(dǎo)通，使 D3’、 D1’、 D0’ 全為 1，而 D2’為 0。 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 1 0 地 址 A1 A0 D3 D2 D1 D0 內(nèi) 容 一次可編程序的 ROM ，在出廠時(shí)全部存儲(chǔ) “ 1”，用戶可根據(jù)需要將某些單元改寫(xiě)為 “ 0”,然而只能改寫(xiě)一次，稱其為 PROM。顯然，
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1