a存儲器ppt課件-展示頁
2025-01-15 13:16本頁面
【正文】 態(tài)隨機存儲器（ DRAM） ? DRAM（動態(tài)隨機存儲器）： 利用 MOS管的柵極對其襯底間的分布電容保存信息， DRAM的每個存儲單元所需 MOS管較少，因此集成度高，功耗小， DRAM中的信息會因電容漏電而逐漸消失，破壞性讀出，讀后需重寫。 15 存儲器的主要技術(shù)指標(biāo) ? 存儲容量 : 可存儲的二進制位的總?cè)萘俊? ? 存取周期： 連續(xù)啟動兩次獨立的存儲器操作 所需間隔的最小時間。 ? 功耗： 要求低功耗。 2) 由高速緩沖存儲器、內(nèi)存儲器、外存儲器構(gòu)成的三級存儲系統(tǒng)可以分為兩個層次，其中高速緩沖存儲器和內(nèi)存間稱為 Cache內(nèi)存層次，內(nèi)存和外存間稱為內(nèi)存 外存層次。其中快存主要為獲取速度，使存取速度能和中央處理器的速度相匹配；輔存追求大容量，以滿足對計算機的容量要求；內(nèi)存則介于兩者之間，要求其具有適當(dāng)?shù)娜萘浚苋菁{較多的核心軟件和用戶程序，還要滿足系統(tǒng)對速度的要求。 ?每個存儲單元地址由 20位二進制數(shù)組成，地址從 0開 始編號，依次增 1，為了書寫方便，用 5位十六進制數(shù) 表示，其物理地址范圍是 00000H～ FFFFFH，且地址 碼為無符號數(shù)。為了表示更大的容 量 ,也使用 MB(兆字節(jié) )， GB(吉字節(jié) )等為單位 ,其中： 1KB =210B=1024B 1MB=220B=1024KB 1GB=230B=1024MB 19 存儲器的內(nèi)容 存儲器的地址 78H 31H …… 45H …… 89H 90H FFFFFH FFFFEH FFFFDH …… B0000H …… 00002H 00001H 00000H 內(nèi)存 思考：一共多少個存儲單元？ 20 78H 31H …… 45H …… 89H 90H FFFFFH FFFFEH FFFFDH …… B0000H …… 00002H 00001H 00000H 內(nèi)存 21 實例 ????? ????? ????? ????? ????? ????? 22 實例 登記薄 每頁的要求： √ 10. 9. 8. 7. 6. 5. 4. 3. 2. 1. 9. 8. 7. 6. 5. 4. 3. 2. 1. 0 23 解決方法 分組：三組 地址表示：組號：偏移地址 10. 9. 8. 7. 6. 5. 4. 3. 2. 1. 9. 8. 7. 6. 5. 4. 3. 2. 1. 0 第一組 10. 9. 8. 7. 6. 5. 4. 3. 2. 1. 9. 8. 7. 6. 5. 4. 3. 2. 1. 0 第二組 10. 9. 8. 7. 6. 5. 4. 3. 2. 1. 9. 8. 7. 6. 5. 4. 3. 2. 1. 0 第三組 24 幾種情況 10. √ 9. √ 8. √ 7. √ 6. √ 5. √ 4. √ 3. √ 2. √ 1. √ 9. 8. 7. 6. 5. 4. 3. 2. 1. 0 組號 10. 9. 8. 7. 6. 5. √ 4. √ 3. √ 2. √ 1. √ 9. 8. 7. 6. 5. 4. 3. 2. 1. 0 組號 10. 9. 8. 7. 6. 5. √ 4. √ 3. √ 2. √ 1. √ 9. 8. 7. 6. 5. 4. 3. 2. 1. 0 組 1,2號 25 78H 31H …… 45H …… 89H 90H FFFFFH FFFFEH FFFFDH …… B0000H …… 00002H 00001H 00000H 內(nèi)存 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 BX 26 存儲器的分段管理 ? 8086CPU有 20條地址線 – 最大可尋址空間為 220＝ 1MB – 物理地址范圍從 00000H～ FFFFFH ? 8086CPU將 1MB空間分成許多 邏輯段 (Segment) – 每個段最大限
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