dram存儲器ppt課件-展示頁
2025-01-15 14:02本頁面
【正文】 電源線，接地線和刷新線外，該芯片最小引腳數(shù)目為多少？ 15 三 DRAM的周期 ? 讀周期： 行地址和列地址要在行選通信號與列選通信號之前有效，并在選通信號之后一段時間有效。擴展時用 信號代替 信號。 8 一 DRAM存儲最小單元 9 DRAM存儲元的記憶原理 MOS管作為開關(guān)使用，信息由電容器上的電荷量體現(xiàn) —— 電容器充滿電荷代表存儲了 1；電容器放電沒有電荷代表存儲了 0 寫 0—— 輸出緩沖器和刷新緩沖器關(guān)閉；輸入緩沖器打開，輸入數(shù)據(jù)DIN=0送到存儲元位線上；行選線為高，打開 MOS管，電容上的電荷通過MOS管和位線放電 讀出 1后存儲位元重寫 1 (1的讀出是破壞性的 )—— 輸入緩沖器關(guān)閉，刷新緩沖器和輸出緩沖器 /讀放打開，DOUT=1經(jīng)刷新緩沖器送到位線上，再經(jīng) MOS管寫到電容上 讀出 —— 輸入緩沖器和刷新緩沖器關(guān)閉；輸出緩沖器 /讀放打開 (R/W為高 )；行選線為高，打開 MOS管，電容上存儲的 1送到位線上，通過輸出緩沖器 /讀出放大器發(fā)送到 DOUT，即 DOUT=1 寫 1—— 輸出緩沖器和刷新緩沖器關(guān)閉；輸入緩沖器打開 (R/W為低 )， DIN=1送到存儲元位線上；行選線為高，打開 MOS管，位線上的高電平給電容器充電 10 二 DRAM芯片的結(jié)構(gòu) 11 ２ 芯片的外觀 13 小結(jié) ? DRAM與 SRAM最大的不同是 DRAM的刷新操作，最小刷新周期與介質(zhì)相關(guān)。 4 教學重點 ? DRAM的讀寫，刷新功能。 ? 理解 ED
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