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2025-02-23 14:02本頁面
【正文】 RAM芯片的組成和工作原理。DRAM存儲器與高性能存儲器 第 3章 存儲系統(tǒng) 2 教學(xué)內(nèi)容 ? DRAM存儲器 ? 高性能存儲器 3 教學(xué)要求 ? 掌握 DRAM存儲器的讀寫過程和刷新過程的原理。 ? 理解各個周期的特點，并能繪制圖。 ? 掌握內(nèi)存條的功能和存儲地址的分配。 ? 內(nèi)存的讀寫工作過程。 ? 有 控制信號，而沒有 片選信號。 ? 地址線引腳只引出一半，因此內(nèi)部有兩個鎖存器，行地址選通信號和列地址選通信號在時間上錯開進(jìn)行復(fù)用。保證行地址與列地址能正確選通到相應(yīng)的鎖存器。 16 三 DRAM的周期 ? 刷新周期： 刷新時，行選通信號有效，列選通信號無效。 ? 刷新周期： 典型值 2ms、 8ms?16ms；某些器件可大于 100ms 17 有關(guān) DRAM的刷新 ? 刷新操作與讀操作的類似， 但不同。刷新時整個存儲器 所有芯片 一起刷新。 18 四 刷新方式 分類 ?集中式刷新 ?分散式刷新 背景 某個存儲器結(jié)構(gòu)為 1024?1024的存儲矩陣。 ? 在 之前刷新，利用 DRAM器件內(nèi)部具有的刷新地址計數(shù)器來產(chǎn)生。 使用 8K 1的 RAM芯片組成 8K 8的存儲器。 28 2 字?jǐn)U展 通過增加單位數(shù)，增加容量，即字向擴(kuò)充。 字?jǐn)U展加大了字?jǐn)?shù)，數(shù)據(jù)線，低地址線個數(shù)前后不變，但增加高地址線 29 3 字位擴(kuò)展法 ? 一個存儲器的容量為 M N位，若使用L k位的芯片，需要在字向和位向同時擴(kuò)展，此時共需要 (M/L) (N/K)個芯片。 ?
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