dram存儲(chǔ)器ppt課件-文庫吧資料
2025-01-12 14:02本頁面
【正文】 后一段時(shí)間作為集中刷新時(shí)間 ?優(yōu)點(diǎn)： 對(duì)存儲(chǔ)器的平均讀 /寫時(shí)間影響不大，適用于高速存儲(chǔ)器 ?缺點(diǎn)： 在集中刷新時(shí)間內(nèi)不能進(jìn)行存取訪問 ——死時(shí)間 讀 /寫 /保持 刷新 tc tc 0 1 2 14975 0 1 1023 8ms 集中刷新方式 8ms分成 16000個(gè) TC(=)，只需 1024個(gè) TC進(jìn)行刷新 分散刷新方式 ?分散式刷新 ：前先用刷新的行數(shù)對(duì)刷新周期進(jìn)行分割，再將分割好的時(shí)間分為兩部分 ——前段時(shí)間用于讀 /寫，后一小段時(shí)間用于刷新 讀 /寫 8ms 刷新 讀 /寫 刷新 異步刷新方式 將 8ms分割成 1024個(gè)時(shí)間段，每段時(shí)間為8ms/1024=(取 )， 每隔 ，8ms內(nèi)完成對(duì)所有 1024行的一次刷新 21 四 刷新方式 例 3：有一個(gè) 16K 16的存儲(chǔ)器，用 1K 4位的 DRAM芯片 (內(nèi)部結(jié)構(gòu)與 2114SRAM一致 )構(gòu)成，設(shè)讀 /寫周期為 ,如單元刷新間隔不超過 2ms，問： 若采用集中式刷新方式 ，存儲(chǔ)器刷新一遍最少用多少讀 /寫周期？死時(shí)間率是多少？ 22 五 標(biāo)準(zhǔn)的刷新操作控制方式 ? 只用 信號(hào)刷新， 信號(hào)無動(dòng)作，這種方法消耗的電流小，但是需要外部刷新地址計(jì)數(shù)器。 ? 無論刷新是由控制邏輯產(chǎn)生地址逐行循環(huán)刷新，還是芯片內(nèi)部自動(dòng)刷新，都 不依賴于外部的訪問 ，對(duì) CPU是透明的。刷新僅給柵極電容補(bǔ)充電荷，不需要信息輸出。且刷新地址必須在行選通信號(hào)有效前有效，并保持一段時(shí)間。 ? 寫周期：寫命令信號(hào)必須在選通信號(hào)有效前有效。 WE CSRAS CS14 實(shí)例 例 1：某一動(dòng)態(tài) RAM芯片，容量為 64K 1，除
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