存儲器康華光ppt課件-文庫吧資料
2025-05-04 23:41本頁面
【正文】 1.＝ 1時 導(dǎo)通本單元門控制管 :控制觸發(fā)器與位線的接通。靜態(tài) SRAM(Static湖南科技大學(xué)1. 1 0 數(shù)據(jù)輸入 0寫 0 0 高阻 X保持 (微功耗 ) ~ OE CE 的工作模式 OEWE =00X輸入CE OEWESRAM隨機存取存儲器（ RAM）同步靜態(tài)隨機存取存儲器 （ SSRAM）靜態(tài)隨機存取存儲器 (SRAM)湖南科技大學(xué)C(A4)I3 I2 I1 I0(A3A2A1A0)二 進 制 碼O3O2O1O0(D3D2D1D0)格雷 碼C(A4)I3 I2 I1 I0(A3A2A1A0) 格雷 碼O3O2O1O0(D3D2D1D0)二 進 制 碼0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 00 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 0 1 0 0 0 10 0 0 1 0 0 0 1 1 1 0 0 1 0 0 0 1 10 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 0 1 1 0 0 1 00 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 1 1 10 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 0 1 1 00 0 1 1 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 1 0 00 0 1 1 1 0 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 0 10 1 0 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 0 1 1 1 10 1 0 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 1 1 1 1 00 1 0 1 0 1 1 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 00 1 0 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 10 1 1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 0 1 0 0 00 1 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1 0 1 1 0 0 10 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 0 1 10 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 0C=A4 I3 I2 I1 I0=A3A2A1A0 O3O2O1O0=D3D2D1D0湖南科技大學(xué)用 ROM實現(xiàn)二進制碼與格雷碼相互轉(zhuǎn)換的電路 湖南科技大學(xué)－－ “造表 ”。查某個角度的三角函數(shù) 查表功能 利用 ROM可實現(xiàn)查表或碼制變換等功能（ 1）欲讀取單元的地址加到存儲器的地址輸入端；湖南科技大學(xué)（ 1） 有效，經(jīng)過一定延時后，有效數(shù)據(jù)出現(xiàn)在數(shù)據(jù)線上；（ 4）讓片選信號 ~ A0 VPP D78位 ROM 湖南科技大學(xué)集成電路 ROMAT27C010如選中的存儲單元的 MOS管的浮柵注入了電荷，該管截止，讀得 1；相反讀得 0湖南科技大學(xué)容當(dāng) OE=0時湖南科技大學(xué)字線 存儲矩陣位線?字線與位線的交點都是一個存儲單元。交點處有二極管相當(dāng)存 1，無二極管相當(dāng)存 0當(dāng) OE=1時輸出為高阻狀態(tài)0 00 1011 1 1 1 011 11 01 00 011 0 1地 ROM的定義
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