數(shù)字第7章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器-展示頁(yè)
2025-05-08 08:39本頁(yè)面
【正文】 具有更大的存儲(chǔ)容量和更快的存取速度。目前動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的容量已達(dá) 109位／片。 因?yàn)榘雽?dǎo)體存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元數(shù)目極其龐大而器件的引腳數(shù)目有限，所以在電路結(jié)構(gòu)上就不可能像寄存器那樣把每個(gè)存儲(chǔ)單元的輸入和輸出直接引出。 SIM卡 數(shù)碼相機(jī)用的 MS記憶棒 使用 FLASH Memory 的電子盤（ U盤） MP3播放器 PC機(jī)主板 內(nèi)存插槽 內(nèi)存條 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的種類很多，首先從存、取功能上可以分為只讀存儲(chǔ)器 ( ReadOnly Memory，簡(jiǎn)稱 ROM )和隨機(jī)存儲(chǔ)器 ( Random Access Memory，簡(jiǎn)稱 RAM ) 兩大類。 ROM的優(yōu)點(diǎn)是電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，而且在斷電以后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。 只讀存儲(chǔ)器中又有掩模 ROM、可編程 ROM ( Programmable ReadOnly Memory，簡(jiǎn)稱 PROM )和可擦除的可編程 ROM ( Erasable Programmable Read— Only Memory，簡(jiǎn)稱 EPROM）幾種不同類型。這時(shí)可以通過(guò)將所需內(nèi)容自行寫入PROM而得到要求的 ROM。不過(guò)在出廠時(shí)已經(jīng)在存儲(chǔ)矩陣的所有交叉點(diǎn)上全部制作了存儲(chǔ)元件，即相當(dāng)于在所有存儲(chǔ)單元中都存人了 1。 最早研究成功并投入使用的 EPROM是用紫外線照射進(jìn)行擦除的；并被稱之為 EPROM。 不久又出現(xiàn)了用電信號(hào)可擦除的可編程 ROM ( Electrically Erasable Programmable Read— Only Memory，簡(jiǎn)稱 E2PROM)。 一、 EPROM( UVPROM) EPROM與前面已經(jīng)講過(guò)的 PROM在總體結(jié)構(gòu)形式上沒(méi)有多大區(qū)別，只是采用了不同的存儲(chǔ)單元。 圖 FAMOS管 的結(jié)構(gòu)和符號(hào) FAMOS管本身是一個(gè) P溝道增強(qiáng)型的 MOS管，但柵極“浮置”于 SiO2層內(nèi)，與其他部分均不相連，處于完全絕緣的狀態(tài)。這個(gè)過(guò)程就叫做雪崩注入。在 + 125℃ 的環(huán)境溫度下， 70
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