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4-半導(dǎo)體存儲器-展示頁

2024-08-19 09:14本頁面
  

【正文】 Di Di X地址譯碼 圖中 V1V2是工作管 , 兩個NMOS管 ,構(gòu)成雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器.V3V4是負(fù)載管, 為 觸發(fā)器 補沖電荷 ,V5V6是控制管 , V7V8也是控制管 ,它們?yōu)橥涣芯€上的存儲單元共用 。 5. 其他指標(biāo) 體積 、 重量 、 功耗 (包括維持功耗和操作功耗 )。 3. 存取周期 存取周期 是連續(xù)啟動兩次獨立的存儲器操作所需的最小的時間間隔 TC. 一般 TC≥tA 。 三、半導(dǎo)體存儲器芯片的主要技術(shù)指標(biāo) 1. 存儲容量(存放二進(jìn)制信息的總位數(shù)) 存儲容量 =存儲單元個數(shù) 每個存儲單元的位數(shù) 常用單位: MB、 GB、 TB 其中: 1kB=210B 1M=210kB=220B 1GB=210MB=230B 1TB=210GB=240B 2. 存取時間 存取時間 又稱存儲器訪問時間 。 5. 數(shù)據(jù)寄存器 用于暫時存放從存儲單元讀出的數(shù)據(jù),或從CPU或 I/O端口送出的要寫入存儲器的數(shù)據(jù)。 3. 地址寄存器 用于存放 CPU訪問存儲單元的地址,經(jīng)譯碼驅(qū)動后指向相應(yīng)的存儲單元。 采用 雙譯碼 , 排成 32 32的矩陣 , 輸出狀態(tài)仍為 1024 個 , 但譯碼輸出選擇線卻只需要32+32=64根 。 A0 A1 A2 A3 A4 X0 X31 ... W0,0 W31,0 W0,31 W31,31 Y0 Y31 基本存儲電路 R/W控制 Y(列 )地址譯碼及 I/O控制 數(shù)據(jù)輸入 數(shù)據(jù)輸出 A5 A6 A7 A8 A9 … X (行 ) 地 址 譯 碼 器 圖 雙譯碼結(jié)構(gòu)示意圖 單譯碼方式 主要用于容量小的存儲器, 雙譯碼方式 可大大減少譯碼輸出選擇線的數(shù)目,適用于大容量的存儲器。 Ap1 Ap2 A1 A0 N 取 1 譯 碼 器 基本存儲電路 p個輸入 M 位 位 線 D0 D1 DM- 1 N根字線 N=2p 個地址 W0 W1 … … … … 選中的字線輸出 M位 Wn1 輸 出 緩 沖 放 大 器 圖 單譯碼尋址示意圖 (2) 雙譯碼方式 雙譯碼方式采用的是 兩級譯碼 電路。譯碼器輸出驅(qū)動 N根字線 中的一根,每根字線由 M位信號 組成。 常用的地址譯碼有兩種方式 : 單譯碼 和 雙譯碼方式。 2. 譯碼驅(qū)動電路 該電路實際上包含譯碼器和驅(qū)動器兩部分。 AB 地 址 寄 存 器 MAR 地 址 譯 碼 器 存 儲 體 M 讀 寫 驅(qū) 動 器 數(shù) 據(jù) 寄 存 器 MDR DB … … 控制邏輯 啟動 片選 讀 /寫 圖 存儲器的基本組成 1. 存儲體 基本存儲電路是組成存儲器的基礎(chǔ)和核心,它用于存放一位二進(jìn)制信息 “ 0”或 “ 1”。 由于半導(dǎo)體存儲器具有存取速度快 、 集成度高 、 體積小 、功耗低 、 應(yīng)用方便等優(yōu)點 , 在此我們只討論 半導(dǎo)體存儲器 。 目前 , 存儲器使用的存儲介質(zhì)有半導(dǎo)體器件 , 磁性材料 , 光盤等 。 2. 外存儲器 ( 外存 ) 功能 :存儲當(dāng)前不參加運行的程序和數(shù)據(jù)。 一、存儲器分類 ( 多種其它分類,參見教材 ) 1. 內(nèi)存儲器 (內(nèi)存或主存 ) 功能 :存儲當(dāng)前運行所需的程序和數(shù)據(jù)。 存儲器的職能: ? 信息交換中心。(參見教材 ) 速度快 容量小 速度慢 容量大 寄存器 內(nèi)部 Cache 外部 Cache 主存儲器 輔助存儲器 大容量輔助存儲器 圖 微機(jī)存儲系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu) CPU 存儲器操作: ? 讀操作,非破壞性。 由若干記憶單元組成一個存儲單元 、 一個存儲單元能存儲一個 字 , 字有 4位 、 8位 、 16位等 , 稱之為字長 , 字長為 8時 , 稱一個 字節(jié) 。 記憶單元 是一種能表示二進(jìn)制 “ 0 ”和“ 1”的狀態(tài)并具有記憶功能的 物理器件 , 如電容 、 雙穩(wěn)態(tài)電路等 。? 存儲器概述 ? 半導(dǎo)體存儲器 ? 存儲器與 CPU的連接 ? 存儲器的工作原理 本章內(nèi)容 ? 了解存儲器的工作原理和外部特性 ? 掌握微機(jī)中存儲系統(tǒng)的結(jié)構(gòu) ? 學(xué)會利用現(xiàn)有的存儲器芯片構(gòu)成所需內(nèi)存系統(tǒng)。 學(xué)習(xí)目的 存儲器概述 存儲器 是計算機(jī)系統(tǒng)中具有 記憶功能的部件 , 它是由大量的 記憶單元 (或稱基本的存儲電路 )組成的 , 用來存放用二進(jìn)制數(shù)表示的程序和數(shù)據(jù) 。 一個記憶單元能夠存儲二進(jìn)制的一位 。 人們希望存儲器能同時滿足速度快、容量大、價格低的要求 . 實際上 ,基于局部性原理 ,存儲系統(tǒng)是快慢搭配,具有層次結(jié)構(gòu),如圖 。 ? 寫操作,破壞性。 ? 數(shù)據(jù)倉庫。 特點 : CPU可以直接訪問并與其交換信 息 , 容量小 , 存取速度快 。 特點 : CPU不能直接訪問 , 配備專門設(shè)備才能進(jìn)行交換信息 , 容量大 ,存取速度慢 。 一般把半導(dǎo)體存儲器芯片作為內(nèi)存 。 半 導(dǎo) 體 存 儲 器 靜態(tài)隨機(jī) SRAM 動態(tài)隨機(jī) DRAM 一次性編程 PROM 可擦除 EPROM 紫外光擦除 UREPROM 電擦除 EEPROM 讀寫存儲器 RAM 只讀存儲器 ROM 雙極型 MOS 掩膜 ROM 可編程 ROM 圖 半導(dǎo)體存儲器分類 二、半導(dǎo)體存儲器的組成 半導(dǎo)體存儲器由地址寄存器,譯碼電路、存儲體、讀 /寫控制電路、數(shù)據(jù)寄存器、控制邏輯等部分組成。若干 記憶單元 (或稱基本存儲電路)組成一個 存儲單元 ,一個存儲單元一般存儲一個字節(jié),即存放 8位二進(jìn)制信息,存儲體是存儲單元的集合體。譯碼器的功能是實現(xiàn)多選 1,即對于某一個輸入的地址碼, N個輸出線上有唯一一個高電平(或低電平)與之對應(yīng)。 (1) 單譯碼方式 單譯碼方式是一個 “ N中取 1”的譯碼器,如圖。若某根字線被選中,則對應(yīng)此線上的 M位信號便同時被讀出或?qū)懭?,?jīng)輸出緩沖放大器輸出或輸入一個 M位的字。當(dāng)字選擇 線的根數(shù) N很大時, N=2p中的 p必然也大,這時可將 p分成兩部分 ,如: N=2p=2q+r=2q 2r=X Y,這樣便將對 N的譯碼分別由 X譯碼和 Y譯碼兩部分完成。 以 p=10為例 , 采用 單譯碼 , 譯碼輸出需要 1024根選擇線 。 存儲器容量越大 , 此優(yōu)點越突出 。 4. 讀 /寫電路 包括讀出放大器、寫入電路和讀 /寫控制電路,用以完成對被選中單元中各位的讀出或?qū)懭氩僮鳌? 6. 控制邏輯 接收來自 CPU的啟動、片選、讀 /寫及清除命令,經(jīng)控制電路綜合和處理后,產(chǎn)生 一組時序 信號來控制存儲器的讀 /寫操作。 指啟動一次存儲器操作到完成該操作所需的時間 tA。 4. 可靠性 可靠性指存儲器對電磁場及溫度等變化的抗干擾能力 。 隨機(jī)存取存儲器 RAM 一、靜態(tài)隨機(jī)存儲器 SRAM 圖 6個 MOS管組成的 雙穩(wěn)態(tài)電路 。 靜態(tài)存儲電路是由兩個增強(qiáng)型的 NMOS反相器交叉耦合 而成的觸發(fā)器 , 如圖
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