微機接口存儲器ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-01 10:33 本頁面
【文章內容簡介】 A 7A 3A 2A 1存儲地址需要分兩批傳送 ? 行地址選通信號 RAS*有效 ， 開始傳送行地址 ? 隨后 ， 列地址選通信號 CAS*有效 ， 傳送列地址 ，CAS*相當于片選信號 ? 讀寫信號 WE*讀有效 （ 高電平 ） ? 數(shù)據(jù)從 DOUT引腳輸出 DRAM芯片 4116（與書 2118同） ? 存儲容量為 16K 1 ? 16個 引腳： ? 7根地址線 A6～ A0 ? 1根數(shù)據(jù)輸入線 DIN ? 1根數(shù)據(jù)輸出線 DOUT ? 行地址選通 RAS* ? 列地址選通 CAS* ? 讀寫控制 WE* VBB DIN WE* RAS* A0 A2 A1 VDD VSS CAS* DOUT A6 A3 A4 A5 VCC 1 2 3 4 5 6 7 8 16 15 14 13 12 11 10 9 DRAM 4116的讀周期 DOUT 地址 TCAC TRAC TCAH TASC TASR TRAH TCAS TRCD TRAS TRC 行地址 列地址 WE CAS RAS DRAM 4116的寫周期 TWCS TDS 列地址 行地址 地址 TDH TWR TCAH TASC TASR TRAH TCAS TRCD TRC TRAS DIN WE CAS RAS 存儲地址需要分兩批傳送 ? 行地址選通信號 RAS*有效 ， 開始傳送行地址 ? 隨后 ， 列地址選通信號 CAS*有效 ， 傳送列地址 ? 讀寫信號 WE*寫有效 （ 低電平 ） ? 數(shù)據(jù)從 DIN引腳進入存儲單元 DRAM 4116的刷新 TRC TCRP TRAS 高阻 TASR TRAH 行地址 地址 DIN CAS RAS 采用 “ 僅行地址有效 ” 方法刷新 ? 行地址選通 RAS*有效 ， 傳送行地址 ? 列地址選通 CAS*無效 ， 沒有列地址 ? 芯片內部實現(xiàn)一行存儲單元的刷新 ? 沒有數(shù)據(jù)輸入輸出 ? 存儲系統(tǒng)中所有芯片同時進行刷新 ? DRAM必須每隔固定時間就刷新 DRAM芯片 2164（同書 4164） ? 存儲容量為 64K 1 ? 16個 引腳： ? 8根地址線 A7～ A0 ? 1根數(shù)據(jù)輸入線 DIN ? 1根數(shù)據(jù)輸出線 DOUT ? 行地址選通 RAS* ? 列地址選通 CAS* ? 讀寫控制 WE* NC DIN WE* RAS* A0 A2 A1 GND VSS CAS* DOUT A6 A3 A4 A5 A7 1 2 3 4 5 6 7 8 16 15 14 13 12 11 10 9 只讀存儲器 ? 在微機系統(tǒng)的在線運行過程中 ， 只能對其進 行讀操作 ， 而不能進行寫操作的一類存儲器 只讀存儲器 EPROM EPROM 2716 EPROM 2764 EEPROM EEPROM 2717A EEPROM 2864A EPROM ? 頂部開有一個圓形的石英窗口 ， 用于紫外線透過擦除原有信息 ? 一般使用專門的編程器 （ 燒寫器 ）進行編程 ? 編程后 ， 應該貼上不透光封條 ? 出廠未編程前 ， 每個基本存儲單元都是信息 1 ? 編程就是將某些單元寫入信息 0 EPROM芯片 2716 ? 存儲容量為 2K 8 ? 24個 引腳： ? 11根地址線 A10～ A0 ? 8根數(shù)據(jù)線 DO7～ DO0 ? 片選 /編程 CE*/PGM ? 讀 （ 寫 ） OE* ? 編程電壓 VPP 功能 VDD A8 A9 VPP OE* A10 CE*/PGM DO7 DO6 DO5 DO4 DO3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 DO0 DO1 DO2 Vss EPROM芯片 2764 ? 存儲容量為 8K 8 ? 28個 引腳： ? 13根地址線 A12～ A0 ? 8根數(shù)據(jù)線 D7～ D0 ? 片選 CE* ? 編程 PGM* ? 讀寫 OE* ? 編程電壓 VPP 功能 Vpp A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND Vcc PGM* NC A8 A9 A11 OE* A10 CE* D7 D6 D5 D4 D3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16
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