[工學(xué)]微機(jī)原理與接口第6章_存儲(chǔ)器ram及rom(編輯修改稿)
2024-11-12 18:31 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 圖 六管靜態(tài) RAM存儲(chǔ)電路 電路中 V V2為工作管， V V4為負(fù)載管， V V6為控制管。其中，由 VV V3及 V4管組成了雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器電路， V1和 V2的工作狀態(tài)始終為一個(gè)導(dǎo)通，另一個(gè)截止。V1截止、 V2導(dǎo)通時(shí)，A點(diǎn)為高電平， B點(diǎn)為低電平； V1導(dǎo)通、V2截止時(shí)， A點(diǎn)為低電平， B點(diǎn)為高電平。 特點(diǎn)： 讀寫速度快，所用管子數(shù)目多，單個(gè)器件容量小， V V2總有一個(gè)處于到通狀態(tài)，功耗較大 第 6章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 Intel 2114 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 Intel 2114 A 6 A 5 A 4 A 3 A 0 A 1 A 2 GND CS WE I/O 4 I/O 3 I/O 2 I/O 1 A 9 A 8 A 7 V CC ( a ) A 0 A 1 A 2 A 3 A 4 A 5 A 6 A 7 A 8 A 9 WE CS ( b ) I/O 2 I/O 3 I/O 4 I/O 1 圖 Intel 2114引腳及邏輯符號(hào) (a) 引腳； (b) 邏輯符號(hào) 第 6章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器 (RAM) 靜態(tài) RAM Intel 2114 SRAM芯片 Intel 2114 SRAM芯片的容量為 1K?4位 ， 18腳封裝 ， +5V電源 ， 芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)及芯片引腳圖和邏輯符號(hào)分別如圖 。 由于 1K?4＝ 4096， 所以 Intel 2114 SRAM芯片有 4096個(gè)基本存儲(chǔ)電路 ， 將 4096個(gè)基本存儲(chǔ)電路排成 64行 ?64列的存儲(chǔ)矩陣 ， 每根列選擇線同時(shí)連接 4位列線 ， 對(duì)應(yīng)于并行的 4位 ,從而構(gòu)成了64行 ?16列 =1K個(gè)存儲(chǔ)單元 ， 每個(gè)單元有 4位 。 第 6章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)矩陣 地址譯碼器 地址寄存器 地址總線 讀寫放大器 數(shù)據(jù)寄存器 數(shù)據(jù)總線 控制電路 OE WE CE SRAM芯片的結(jié)構(gòu) 第 6章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 A 3 A 4 A 5 A 6 A 7 A 8 行 地 址 譯 碼 存儲(chǔ)矩陣 64 64 列選擇 A 0 A 1 A 2 A 9 … 輸入 數(shù)據(jù) 控制 I/O 1 amp。 1 amp。 2 I/O 2 I/O 3 I/O 4 CS WE 列 I/O電路 圖6.5 Intel 2114內(nèi)部結(jié)構(gòu) 第 6章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 V9V5AV1C1BV2C2CDDI / OV7V10V6V8預(yù)充行選擇線 X列選擇線 YI/ ODDC預(yù)充圖 四管動(dòng)態(tài) RAM存儲(chǔ)電路 動(dòng)態(tài) RAM 第 6章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 動(dòng)態(tài) RAM Intel 2164A動(dòng)態(tài) RAM芯片 Intel 2164A芯片的存儲(chǔ)容量為 64K?1位，采用單管動(dòng)態(tài)基本存儲(chǔ)電路，每個(gè)單元只有一位數(shù)據(jù)，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖 。 2164A芯片的存儲(chǔ)體本應(yīng)構(gòu)成一個(gè) 256?256的存儲(chǔ)矩陣，為提高工作速度 (需減少行列線上的分布電容 )，將存儲(chǔ)矩陣分為 4個(gè) 128?128矩陣，每個(gè) 128?128矩陣配有128個(gè)讀出放大器，各有一套 I/O控制 (讀 /寫控制 )電路。 第 6章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)矩陣 地址總線 I/O緩沖器
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