【文章內(nèi)容簡介】 地址對寫允許的建立時間 地址對寫允許的保持時間 片選對寫控制的建立時間 片選對寫控制的保持時間 輸入數(shù)據(jù)對寫允許的保持時間 輸入數(shù)據(jù)對寫允許的建立時間 最小寫允許寬度 ? 地址對寫允許 WE的建立時間 tsuAdr 存儲器一般不允許地址在 WE=0期間有變化。若在 WE=0期間地址有變化，那么片內(nèi)地址譯碼器的輸出會因譯碼器內(nèi)部的競爭現(xiàn)象而使一些無關(guān)的單元也寫入數(shù)據(jù)。為此，一般都要求地址的建立應(yīng)提前在 WE=0到達(dá)前(即 WE=1)進(jìn)行。所需提前的最短時間稱為 tsuAdr ? 地址對寫允許 WE的保持時間 thAdr 在寫允許 WE撤除后 (即 WE=1)，地址必須保持一段時間不變，這段最短的保持時間稱為 thAdr，又稱寫恢復(fù)時間。 ? 片選對寫控制的建立時間 tsuCS和保持時間 thCS 存儲器中 CS的變化一般總是在 WE=1期間進(jìn)行。 ? 輸入數(shù)據(jù)對寫允許的建立時間 tsuDIN 如果數(shù)據(jù)在 WE=0期間建立，那么，為了確保數(shù)據(jù)在寫允許 WE撤除前就已正確地寫入，數(shù)據(jù)的建立便不能太遲。把數(shù)據(jù)到達(dá)至寫允許撤除的最短時間間隔稱為 tsuDIN。 ? 數(shù)據(jù)對寫允許的保持時間 thDIN ? 最小寫允許寬度 tWWE 二．動態(tài)存儲器 (DRAM) (1)三管（早期 1Kbit DRAM） 組成 : T1,T2,T3,C 定義 : “1”C有電荷 “ 0”C上無電荷 工作 : 讀出 :讀出數(shù)據(jù)線預(yù)充電至 “ 1”，讀出選擇線 “ 1”， T3導(dǎo)通， 若 C上有電荷， T2導(dǎo)通， 讀出數(shù)據(jù)線經(jīng) T T3接地，讀出電壓為“ 0”。 若 C上無電荷， T2截止，讀出數(shù)據(jù)線上的電壓無變化。 寫入 : 在寫入數(shù)據(jù)線上加“ 1”，在寫入選擇線上加“ 1”， T1導(dǎo)通。 C隨寫入信號而充電或放電（“ 0”放電，“ 1”充電）。若 T1截止， C的電壓保持不變。 三管單元布線較復(fù)雜，所用元件較多，但電路穩(wěn)定。 單管單元 組成 : Cs：記憶單元 T：控制門管 2. 單管（ 4Kbit mem） (1)讀數(shù)據(jù)： 數(shù)據(jù)線預(yù)充電至“ 1”，字線來“ 1”， T導(dǎo)通 . 1)原有“ 1”?CS上充有電荷（放電）－＞ T管在位線上產(chǎn)生讀電流 ?完成讀“ 1”操作。 2）原存“ 0”－＞ CS無電荷－＞ T管在位線上不產(chǎn)生讀電流 ?完成讀“ 0”操作。 讀完成后， CS上的電荷被泄放完，因此是破壞性讀出，必須采用重寫再生措施。 Cs不能做得太大，一般比位線上寄生電容 Cd還要小，讀出時， T導(dǎo)通，電荷在 Cs與 Cd間分配，會使讀出電流信息減少。 用單管作為存儲器，讀出放大器的靈敏度應(yīng)具有較高的靈敏度，因為信息保持保存在很小的 Cs上，也只能保持 2ms,必須定時刷新。 （ 2）寫數(shù)據(jù)： 字線來“ 1”， T導(dǎo)通，電路被選中。 1）若數(shù)據(jù)線為“ 0”且 CS上無電荷－＞準(zhǔn)備寫“ 1”?則VDD要對 Cs充電， Cs上存儲一定電荷 ?“ 1”已寫入。 2） 若數(shù)據(jù)線為“ 1”且 CS存有電荷－＞準(zhǔn)備寫“ 0”－＞則Cs通過 T放電－＞使 Cs上無電荷－＞“ 0”寫入 3）如果寫入的數(shù)據(jù)與 Cs中原存儲信息相同，則 Cs中原存儲有無電荷的情形不會發(fā)生變化。 優(yōu)點：線路簡單，單元占用面積小，速度快。 缺點：讀出是破壞性的，要重寫，另外要有較高靈敏度的 放大器。 16K存儲器地需 14位地址碼，為了減少封裝引腳數(shù)，地址碼分兩批（每批 7位）送至存儲器，先送行地址，再送列地址。由 2個 64*128陣列組成。 DRAM是通過把電荷充積到 MOS管的柵極電容或?qū)ｉT的 MOS電容中去來實現(xiàn)信息存儲的 。 但是由于電容漏電阻的存在 ， 隨著時間的增加 ， 其電荷會逐漸漏掉 ， 從而使存儲的信息丟失 。 為了保證存儲信息不遭破壞 ， 必須在電荷漏掉以前就進(jìn)行充電 ， 以恢復(fù)原來的電荷 。 把這一充電過程稱為 再生 ， 或稱為 刷新 。 對于 DRAM， 再生一般應(yīng)在小于或等于 2ms的時間內(nèi)進(jìn)行一次 。 SRAM則不同 ， 由于 SRAM是以雙穩(wěn)態(tài)電路為存儲單元的 ， 因此它不需要再生 。 DRAM采用 “ 讀出 ” 方式進(jìn)行再生。 利用單元數(shù)據(jù)線上的讀出放大器來實現(xiàn)。 讀出放大器在讀出存儲單元的信息并進(jìn)行放大的同時，將所讀出的信息重新寫入該存儲單元，從而完成存儲器的再生（刷新）。 一般 DRAM的再生時間應(yīng) =2ms 由于 DRAM每列都有自己的讀出放大器，只要依次改變行地址輪流進(jìn)行讀放再生即可。這種方式稱行地址再生方式。 工作方式： ? 讀工作方式 ? 寫工作方式 ? 讀－改寫工作方式 ? 頁面工作方式 ? 再生工作方式 動態(tài)存儲器 RAS、 CAS與 Adr的相互關(guān)系 動態(tài)存儲器讀工作方式時序圖 讀工作周期 動態(tài)存儲器寫工作方式時序圖 寫工作周期 動態(tài)存儲器讀 改寫工作方式的時序圖 讀－改寫周期 動態(tài)存儲器頁面讀方式時序圖 SRAM的比較 DRAM的優(yōu)點 : (1)每片存儲容量較大；引腳數(shù)少 。 (2)價格比較便宜 。 (3)所需功率大約只有 SRAM的 1／ 6。 DRAM作為計算機(jī)主存儲器的主要元件得到了廣泛的應(yīng)用 . DRAM的缺點 : (1)速度比 SRAM要低。 (2)DRAM需要再生，這不僅浪費(fèi)了寶貴的時間，還需要有配套的再生電路，它也要用去一部分功率。 SRAM一般用作容量不大的高速存儲器 。 非易失性半導(dǎo)體存儲器 易失性存儲器 (DRAM和 SRAM):當(dāng)?shù)綦姇r ， 所存儲的內(nèi)容立即消失 。 非易失性半導(dǎo)體存儲器 :即使停電 ， 所存儲的內(nèi)容也不會丟失 。 根據(jù)半導(dǎo)體制造工藝的不同 ， 可分為 ROM， PROM，EPROM， E2PROM和 Flash Memory。 1．只讀存儲器 (ROM) 掩模式 ROM由芯片制造商在制造時寫入內(nèi)容 ， 以后只能讀而不能再寫入 。 其基本存儲 原理是以元件的 “ 有／無 ” 來表示該存儲單元的信息 (“1”或 “ 0”)， 可以用二極管或晶體管作為元件 ， 顯而易見 ，其存儲內(nèi)容是不會改變的 。 2．可編程序的只讀存儲器 (PROM) PROM可由用戶根據(jù)自己的需要來確定 ROM中的內(nèi)容 ， 常見的熔絲式 PROM是以熔絲的接通和斷開來表示所存的信息為 “ 1”或 “ 0”。 剛出廠的產(chǎn)品 ， 其熔絲是全部接通的 ， 使用前 ， 用戶根據(jù)需要斷開某些單元的熔絲 (寫入 )。 顯而易見 ， 斷開后的熔絲是不能再接通了 ， 因此 ，它是一次性寫入的存儲器 。 掉電后不會影響其所存儲的內(nèi)容 。 3．可擦可編程序的只讀存儲器 (EPROM) EPROM的基本存儲單元