第七章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(編輯修改稿)
2025-08-16 15:06 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 8位的 PROM 十六條字線 八條位線 讀出時(shí)，讀出放大器 AR工作，寫入放大器 AW不工作。 寫入時(shí)，在位線輸入編程脈沖使寫入放大器工作，且輸出低電平，同時(shí)相應(yīng)的字線和 VCC提高到編程電平，將對(duì)應(yīng)的熔絲燒斷。 缺點(diǎn)：不能重復(fù)擦除。 7 （ EPROM） 一、 EPROM（ UVEPROM） MOS管（ Floatinggate AvalancheInjuction MOS，簡(jiǎn)稱 FAMOS管。） 寫入：管子原來(lái)不導(dǎo)通。在漏源之間加上較高電壓后（如 20V），漏極 PN結(jié)雪崩擊穿，部分高速電子積累在浮柵上，使 MOS管導(dǎo)通。 擦除：用紫外線或 X射線擦除。需 20~30分鐘。 浮柵上電荷可長(zhǎng)期保存－－在 125℃ 環(huán)境溫度下， 70%的電荷能保存 10年以上。 存儲(chǔ)單元如圖。 缺點(diǎn)：需要兩個(gè) MOS管；編程電壓偏高； P溝道管的開(kāi)關(guān)速度低。 8 MOS管 SIMOS (Stackedgate Injuction MOS) 用 N溝道管；增加控制柵。 SIMOS管原來(lái)可導(dǎo)通，開(kāi)啟電壓約為 2V。 注入電荷：在 DS間加高電壓，同時(shí)在控制柵加 25V、50mS寬的脈沖。由于控制柵上有電壓，所以需要的漏源電壓相對(duì)較小。注入電荷后其開(kāi)啟電壓達(dá) 7V，不能正常
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