第七章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器-文庫(kù)吧
2025-07-05 15:06 本頁(yè)面
【正文】 又稱為固定 ROM。工廠按用戶要求生產(chǎn)出來(lái)后，用戶不能改動(dòng)。 ROM的構(gòu)成 存儲(chǔ)矩陣 ：由若干存儲(chǔ)單元排列成矩陣形式。 儲(chǔ)存單元：可由二極管、雙極性三極管或 MOS管構(gòu)成。 地址譯碼器 ：根據(jù)地址輸入，在存儲(chǔ)矩陣中選出指定的字對(duì)應(yīng)的單元，把數(shù)據(jù)送往輸出緩沖器。 輸出緩沖器 ：增加帶負(fù)載能力；同時(shí)提供三態(tài)控制，以便和系統(tǒng)的總線相連。 4 D3 D2 D1 D0 按組合電路進(jìn)行分析。 二－四線譯碼器 A1,A0的四個(gè)最小項(xiàng) 字線 存儲(chǔ)矩陣是四個(gè)二極管或門； 當(dāng) EN=0時(shí) ， 。 ii DD ??D1= D3 = A0 D0 = W1+ W0 = A1 真值表： 位線 0 0 1 1 D0 1 0 1 0 D1 1 1 0 1 D2 1 0 1 0 D3 1 0 1 0 A0 1 1 0 0 A1 D3 = W1+W3 = A1A0+A1A0=A0 D2= W1= A1+A0 5 儲(chǔ)器 PROM 用 MOS工藝制造的 ROM的存儲(chǔ)矩陣如圖： 產(chǎn)品出廠時(shí)存的全是 1，用戶可一次性寫入，即把某些 1改為 0。但不能多次擦除。 存儲(chǔ)單元多采用熔絲－－低熔點(diǎn)金屬或多晶硅。寫入時(shí)設(shè)法在熔絲上通入較大的電流將熔絲燒斷。 6 16字
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