【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 向高位向高位的進(jìn)位的進(jìn)位加數(shù)加數(shù) 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 0 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 0 1 0 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 復(fù)習(xí)半加器構(gòu)成的全加器半加器構(gòu)成的全加器≥1CiBiAiCO?Ci1 SiCO?S39。i低位的進(jìn)位低位的進(jìn)位35第二節(jié)第二節(jié) 只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器用用 ROM實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路 : 把函數(shù)自變量的不同取值作為把函數(shù)自變量的不同取值作為 ROM的不同的不同地址。把每種取值對(duì)應(yīng)的函數(shù)值存入地址。把每種取值對(duì)應(yīng)的函數(shù)值存入 ROM對(duì)對(duì)應(yīng)地址的存儲(chǔ)單元。應(yīng)地址的存儲(chǔ)單元。 ROM成了一個(gè)函數(shù)表。成了一個(gè)函數(shù)表。加數(shù)加數(shù)低位的低位的進(jìn)位進(jìn)位本位和本位和向高位向高位的進(jìn)位的進(jìn)位ROM構(gòu)成的全加器構(gòu)成的全加器36第二節(jié)第二節(jié) 只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器Ai Bi Ci1十進(jìn)制十進(jìn)制 最小項(xiàng)最小項(xiàng) 被選中被選中 字線字線 最小項(xiàng)最小項(xiàng)編號(hào)編號(hào)位線位線Si Ci 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 101234567Ai Bi Ci1Ai Bi Ci1AiBiAi Ci1AiCi1Bi Ci1BiCi1Ai BiBi Ci1AiCi1BiAiW0=1W1=1W2=1W3=1W4=1W5=1W6=1W7=1m0m1m2m3m4m5m6m7 0 0 1 0 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1 1 1 全加器邏輯狀態(tài)及三變量最小項(xiàng)編碼全加器邏輯狀態(tài)及三變量最小項(xiàng)編碼37第二節(jié)第二節(jié) 只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器根據(jù)表可得：ROM構(gòu)成的全加器構(gòu)成的全加器ROM構(gòu)成的全加器構(gòu)成的全加器38第二節(jié)第二節(jié) 只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器2. 存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序單片機(jī)單片機(jī) EPROM2716 單片機(jī)與可編程單片機(jī)與可編程 EPROM聯(lián)接，用于存聯(lián)接，用于存放程序和表格常數(shù)。放程序和表格常數(shù)。39第二節(jié)第二節(jié) 只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器四、邏輯門電路的簡(jiǎn)單畫(huà)法四、邏輯門電路的簡(jiǎn)單畫(huà)法固定連接 可編程連接 斷開(kāi)連接硬線連接點(diǎn)，硬線連接點(diǎn)，用戶不能改變用戶不能改變可編程可編程 連接點(diǎn)連接點(diǎn) ，用戶定義編程點(diǎn)用戶定義編程點(diǎn) 熔絲已燒斷熔絲已燒斷 ， 斷開(kāi)斷開(kāi) 邏輯圖中連接點(diǎn)的簡(jiǎn)化畫(huà)法 “與與 ”門輸入變量門輸入變量 A、 B、 C的輸入線和的輸入線和乘積線的交點(diǎn)有三種乘積線的交點(diǎn)有三種情況：情況：乘積線乘積線40與門與門 或門或門互補(bǔ)輸出互補(bǔ)輸出的緩沖器的緩沖器 邏輯圖中門電路的簡(jiǎn)化畫(huà)法 41一、一、 RAM的分類的分類二、二、 RAM的結(jié)構(gòu)和工作原理的結(jié)構(gòu)和工作原理三、集成三、集成 RAM存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器四、四、 RAM存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展42第三節(jié)第三節(jié) 隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ RAM）） 能隨時(shí)從任一指定能隨時(shí)從任一指定地址的存儲(chǔ)單元中取出（讀出）信息，地址的存儲(chǔ)單元中取出（讀出）信息， 也可隨也可隨時(shí)將信息存入（寫(xiě)入）任一指定地址單元中。時(shí)將信息存入（寫(xiě)入）任一指定地址單元中。因此也稱為因此也稱為 讀讀 /寫(xiě)存儲(chǔ)器。寫(xiě)存儲(chǔ)器。優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)： 讀讀 /寫(xiě)方便寫(xiě)方便 缺點(diǎn)：缺點(diǎn)： 信息容易丟失，一旦斷電，所存儲(chǔ)器信息容易丟失，一旦斷電，所存儲(chǔ)器的信息會(huì)隨之消失，不利于數(shù)據(jù)的長(zhǎng)期保存。的信息會(huì)隨之消失，不利于數(shù)據(jù)的長(zhǎng)期保存。一、一、 RAM的分類的分類按使用器件不同按使用器件不同 :二極管二極管 RAM雙極型雙極型 RAMMOS管管 RAM靜態(tài)靜態(tài)動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài) 43第三節(jié)第三節(jié) 隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器二、二、 RAM的結(jié)構(gòu)和工作原理的結(jié)構(gòu)和工作原理地址輸入數(shù)據(jù)線讀 /寫(xiě)控制電路 輸入 /輸出 I/OAn1A0A1 地址譯碼器. . .讀 /寫(xiě)控制 (R/W)片選 (CS). . . 存儲(chǔ)矩陣選擇訪問(wèn)哪選擇訪問(wèn)哪個(gè)存儲(chǔ)單元個(gè)存儲(chǔ)單元 存儲(chǔ)存儲(chǔ) 0、 1信信息。由大量寄息。由大量寄存器構(gòu)成矩陣存器構(gòu)成矩陣形式形式?jīng)Q定對(duì)選中的決定對(duì)選中的單元讀還是寫(xiě)單元讀還是寫(xiě)決定芯片決定芯片是否工作是否工作讀或?qū)憯?shù)讀或?qū)憯?shù)據(jù)的通道據(jù)的通道44第三節(jié)第三節(jié) 隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器1. 存儲(chǔ)矩陣：存儲(chǔ)矩陣： 由存儲(chǔ)單元構(gòu)成。與由存儲(chǔ)單元構(gòu)成。與 ROM不同的不同的是是 RAM存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)不是預(yù)先固定的，而是存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)不是預(yù)先固定的，而是取決于外部輸入信息，其存儲(chǔ)單元必須由具有記取決于外部輸入信息，其存儲(chǔ)單元必須由具有記憶功能的電路構(gòu)成。憶功能的電路構(gòu)成。2. 地址譯碼器：地址譯碼器： 也是也是 N取一譯碼器。取一譯碼器。3. 讀讀 /寫(xiě)控制電路：寫(xiě)控制電路： 當(dāng)當(dāng) R/W=1時(shí)，執(zhí)行讀操作，時(shí)，執(zhí)行讀操作，R/W=0時(shí)，執(zhí)行寫(xiě)操作。讀、寫(xiě)不會(huì)同時(shí)發(fā)生，時(shí)，執(zhí)行寫(xiě)操作。讀、寫(xiě)不會(huì)同時(shí)發(fā)生，讀讀 /寫(xiě)線是雙向的。寫(xiě)線是雙向的。4. 片選控制：片選控制： 存儲(chǔ)器由多片存儲(chǔ)器由多片 RAM組成，當(dāng)組成，當(dāng) CS=0時(shí)，選中某片時(shí)，選中某片 RAM工作，工作， CS=1時(shí)某片時(shí)某片 RAM不不工作。工作。 45第三節(jié)第三節(jié) 隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器三、集成三、集成 RAM存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器9GNDCS 8A2 7A1 6A0 5A3 4A4 3A5 2A6 1I/O0A9A8A7UDD121011141315161718I/O1I/O2I/O3R/WRAM2114RAM2114外引線排列圖外引線排列圖 以以 “字字 ”為單位：為單位： RAM中中信息的讀出或?qū)懭胧切畔⒌淖x出或?qū)懭胧?以以 “字字 ”為單位為單位 進(jìn)行的，進(jìn)行的， 每次寫(xiě)入或每次寫(xiě)入或讀出一個(gè)字。讀出一個(gè)字。容量： 1024字 ?4位 =4096存儲(chǔ)單元地址線： A9~A0(210=1024)數(shù)據(jù)線： I/O3~ I/O0字?jǐn)?shù)： 210=1024字（ 1K）46第三節(jié)第三節(jié) 隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器9GNDCS 8A2 7A1 6A0 5A3 4A4 3A5 2A6 1I/O0A9A8A7UDD121011141315161718I/O1I/O2I/O3R/WRAM2114RAM2114外引線排列圖外引線排列圖 三種工作方式：三種工作方式： 寫(xiě)入方式：寫(xiě)入方式： 當(dāng)當(dāng) CS=0、 R/W=0時(shí)，時(shí)， 數(shù)據(jù)線 I/O3~ I/O0上的內(nèi)容存入。 低功耗維持方式：低功耗維持方式： 當(dāng)當(dāng) CS=1時(shí)，時(shí)， 輸出為高阻態(tài)， 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器內(nèi)部電路與外部總線隔離。內(nèi)部電路與外部總線隔離。 讀出方式：讀出方式： 當(dāng)當(dāng) CS=0、 R/W=1時(shí)，時(shí)， 內(nèi)容輸出到數(shù)據(jù)線 I/O3~ I/O0。47第三節(jié)第三節(jié) 隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器四、四、 RAM存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展 當(dāng)單片 RAM不能滿足要求時(shí)，可不能滿足要求時(shí)，可 將多個(gè)芯