【文章內(nèi)容簡介】 向高位向高位的進(jìn)位的進(jìn)位加數(shù)加數(shù) 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 0 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 0 1 0 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 復(fù)習(xí)半加器構(gòu)成的全加器半加器構(gòu)成的全加器≥1CiBiAiCO?Ci1 SiCO?S39。i低位的進(jìn)位低位的進(jìn)位35第二節(jié)第二節(jié) 只讀存儲器只讀存儲器用用 ROM實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路 : 把函數(shù)自變量的不同取值作為把函數(shù)自變量的不同取值作為 ROM的不同的不同地址。把每種取值對應(yīng)的函數(shù)值存入地址。把每種取值對應(yīng)的函數(shù)值存入 ROM對對應(yīng)地址的存儲單元。應(yīng)地址的存儲單元。 ROM成了一個函數(shù)表。成了一個函數(shù)表。加數(shù)加數(shù)低位的低位的進(jìn)位進(jìn)位本位和本位和向高位向高位的進(jìn)位的進(jìn)位ROM構(gòu)成的全加器構(gòu)成的全加器36第二節(jié)第二節(jié) 只讀存儲器只讀存儲器Ai Bi Ci1十進(jìn)制十進(jìn)制 最小項(xiàng)最小項(xiàng) 被選中被選中 字線字線 最小項(xiàng)最小項(xiàng)編號編號位線位線Si Ci 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 101234567Ai Bi Ci1Ai Bi Ci1AiBiAi Ci1AiCi1Bi Ci1BiCi1Ai BiBi Ci1AiCi1BiAiW0=1W1=1W2=1W3=1W4=1W5=1W6=1W7=1m0m1m2m3m4m5m6m7 0 0 1 0 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1 1 1 全加器邏輯狀態(tài)及三變量最小項(xiàng)編碼全加器邏輯狀態(tài)及三變量最小項(xiàng)編碼37第二節(jié)第二節(jié) 只讀存儲器只讀存儲器根據(jù)表可得：ROM構(gòu)成的全加器構(gòu)成的全加器ROM構(gòu)成的全加器構(gòu)成的全加器38第二節(jié)第二節(jié) 只讀存儲器只讀存儲器2. 存儲數(shù)據(jù)和程序存儲數(shù)據(jù)和程序單片機(jī)單片機(jī) EPROM2716 單片機(jī)與可編程單片機(jī)與可編程 EPROM聯(lián)接，用于存聯(lián)接，用于存放程序和表格常數(shù)。放程序和表格常數(shù)。39第二節(jié)第二節(jié) 只讀存儲器只讀存儲器四、邏輯門電路的簡單畫法四、邏輯門電路的簡單畫法固定連接 可編程連接 斷開連接硬線連接點(diǎn)，硬線連接點(diǎn)，用戶不能改變用戶不能改變可編程可編程 連接點(diǎn)連接點(diǎn) ，用戶定義編程點(diǎn)用戶定義編程點(diǎn) 熔絲已燒斷熔絲已燒斷 ， 斷開斷開 邏輯圖中連接點(diǎn)的簡化畫法 “與與 ”門輸入變量門輸入變量 A、 B、 C的輸入線和的輸入線和乘積線的交點(diǎn)有三種乘積線的交點(diǎn)有三種情況：情況：乘積線乘積線40與門與門 或門或門互補(bǔ)輸出互補(bǔ)輸出的緩沖器的緩沖器 邏輯圖中門電路的簡化畫法 41一、一、 RAM的分類的分類二、二、 RAM的結(jié)構(gòu)和工作原理的結(jié)構(gòu)和工作原理三、集成三、集成 RAM存儲器存儲器四、四、 RAM存儲容量的擴(kuò)展存儲容量的擴(kuò)展42第三節(jié)第三節(jié) 隨機(jī)存儲存儲器隨機(jī)存儲存儲器 隨機(jī)存取存儲器（隨機(jī)存取存儲器（ RAM）） 能隨時從任一指定能隨時從任一指定地址的存儲單元中取出（讀出）信息，地址的存儲單元中取出（讀出）信息， 也可隨也可隨時將信息存入（寫入）任一指定地址單元中。時將信息存入（寫入）任一指定地址單元中。因此也稱為因此也稱為 讀讀 /寫存儲器。寫存儲器。優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)： 讀讀 /寫方便寫方便 缺點(diǎn)：缺點(diǎn)： 信息容易丟失，一旦斷電，所存儲器信息容易丟失，一旦斷電，所存儲器的信息會隨之消失，不利于數(shù)據(jù)的長期保存。的信息會隨之消失，不利于數(shù)據(jù)的長期保存。一、一、 RAM的分類的分類按使用器件不同按使用器件不同 :二極管二極管 RAM雙極型雙極型 RAMMOS管管 RAM靜態(tài)靜態(tài)動態(tài)動態(tài) 43第三節(jié)第三節(jié) 隨機(jī)存儲存儲器隨機(jī)存儲存儲器二、二、 RAM的結(jié)構(gòu)和工作原理的結(jié)構(gòu)和工作原理地址輸入數(shù)據(jù)線讀 /寫控制電路 輸入 /輸出 I/OAn1A0A1 地址譯碼器. . .讀 /寫控制 (R/W)片選 (CS). . . 存儲矩陣選擇訪問哪選擇訪問哪個存儲單元個存儲單元 存儲存儲 0、 1信信息。由大量寄息。由大量寄存器構(gòu)成矩陣存器構(gòu)成矩陣形式形式?jīng)Q定對選中的決定對選中的單元讀還是寫單元讀還是寫決定芯片決定芯片是否工作是否工作讀或?qū)憯?shù)讀或?qū)憯?shù)據(jù)的通道據(jù)的通道44第三節(jié)第三節(jié) 隨機(jī)存儲存儲器隨機(jī)存儲存儲器1. 存儲矩陣：存儲矩陣： 由存儲單元構(gòu)成。與由存儲單元構(gòu)成。與 ROM不同的不同的是是 RAM存儲單元的數(shù)據(jù)不是預(yù)先固定的，而是存儲單元的數(shù)據(jù)不是預(yù)先固定的，而是取決于外部輸入信息，其存儲單元必須由具有記取決于外部輸入信息，其存儲單元必須由具有記憶功能的電路構(gòu)成。憶功能的電路構(gòu)成。2. 地址譯碼器：地址譯碼器： 也是也是 N取一譯碼器。取一譯碼器。3. 讀讀 /寫控制電路：寫控制電路： 當(dāng)當(dāng) R/W=1時，執(zhí)行讀操作，時，執(zhí)行讀操作，R/W=0時，執(zhí)行寫操作。讀、寫不會同時發(fā)生，時，執(zhí)行寫操作。讀、寫不會同時發(fā)生，讀讀 /寫線是雙向的。寫線是雙向的。4. 片選控制：片選控制： 存儲器由多片存儲器由多片 RAM組成，當(dāng)組成，當(dāng) CS=0時，選中某片時，選中某片 RAM工作，工作， CS=1時某片時某片 RAM不不工作。工作。 45第三節(jié)第三節(jié) 隨機(jī)存儲存儲器隨機(jī)存儲存儲器三、集成三、集成 RAM存儲器存儲器9GNDCS 8A2 7A1 6A0 5A3 4A4 3A5 2A6 1I/O0A9A8A7UDD121011141315161718I/O1I/O2I/O3R/WRAM2114RAM2114外引線排列圖外引線排列圖 以以 “字字 ”為單位：為單位： RAM中中信息的讀出或?qū)懭胧切畔⒌淖x出或?qū)懭胧?以以 “字字 ”為單位為單位 進(jìn)行的，進(jìn)行的， 每次寫入或每次寫入或讀出一個字。讀出一個字。容量： 1024字 ?4位 =4096存儲單元地址線： A9~A0(210=1024)數(shù)據(jù)線： I/O3~ I/O0字?jǐn)?shù)： 210=1024字（ 1K）46第三節(jié)第三節(jié) 隨機(jī)存儲存儲器隨機(jī)存儲存儲器9GNDCS 8A2 7A1 6A0 5A3 4A4 3A5 2A6 1I/O0A9A8A7UDD121011141315161718I/O1I/O2I/O3R/WRAM2114RAM2114外引線排列圖外引線排列圖 三種工作方式：三種工作方式： 寫入方式：寫入方式： 當(dāng)當(dāng) CS=0、 R/W=0時，時， 數(shù)據(jù)線 I/O3~ I/O0上的內(nèi)容存入。 低功耗維持方式：低功耗維持方式： 當(dāng)當(dāng) CS=1時，時， 輸出為高阻態(tài)， 存儲器存儲器內(nèi)部電路與外部總線隔離。內(nèi)部電路與外部總線隔離。 讀出方式：讀出方式： 當(dāng)當(dāng) CS=0、 R/W=1時，時， 內(nèi)容輸出到數(shù)據(jù)線 I/O3~ I/O0。47第三節(jié)第三節(jié) 隨機(jī)存儲存儲器隨機(jī)存儲存儲器四、四、 RAM存儲容量的擴(kuò)展存儲容量的擴(kuò)展 當(dāng)單片 RAM不能滿足要求時，可不能滿足要求時，可 將多個芯