【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 量的存儲(chǔ)器。 單譯碼的缺點(diǎn)： 對(duì) 2048 1的雙譯碼 X地址譯碼器 Y 地址譯碼器 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 A10 0 1 63 0 31 ： ： … … … ： ： 字選線 列選線 A 3 A 2 A 1 A 0 A 4 0,31 0,0 31,0 31,31 Y 地址譯碼器 X 地 址 譯 碼 器 32 32 矩陣 … … A 9 I/O A 8 A 7 A 5 6 A Y 0 Y 31 X 0 X 31 D 讀 /寫(xiě) … … 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 … …讀 二維地址譯碼： 對(duì) 2048個(gè)芯片字將 11根地址線分成兩組，配一個(gè) 532線譯碼器和一個(gè) 664線譯碼器。 兩個(gè)譯碼器的有效輸出的交點(diǎn)共同選擇一個(gè)基本存儲(chǔ)單元。 優(yōu)點(diǎn) ：選擇線減少，譯碼電路的開(kāi)銷(xiāo)大大減??！ 例： Intel 2114是 1K 4位的 SRAM，地址線 10位，數(shù)據(jù)線 ４ 位。采用二維譯碼方式。 4096個(gè)存儲(chǔ)元排成 64 64的矩陣， 10位地址線中的 6位用于行譯碼 ，產(chǎn)生 64個(gè)行選擇信號(hào)； 另外 4位用于列譯碼 ，產(chǎn)生 16個(gè)列選擇信號(hào)。但每個(gè)列選擇信號(hào)同時(shí)選中 4 個(gè)存儲(chǔ)元。 MOS存儲(chǔ)器 SRAM芯片舉例 0行 1行 64 16 4 63行 0列 15列 … … … … … … … … … 2114結(jié)構(gòu)圖 行譯碼 列譯碼 讀寫(xiě)控制 64 16 4 （ 1K 4） 數(shù)據(jù)緩沖 A0～ A5 A6～ A9 OE CS WE D7 ～ D0 存儲(chǔ)矩陣 2114 SRAM芯片引腳圖 GND CS A6 A5 A4 A3 A0 A1 A2 WE I/O4 VCC A7 A8 A9 I/O3 I/O2 I/O1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 18 17 16 15 14 13 12 11 10 2114 數(shù)據(jù)總線 2114的讀周期時(shí)序 地址 CS WE 數(shù)據(jù)總線 讀出數(shù)據(jù) t RC A t t OTD t CX 讀周期 讀出時(shí)間 片選到輸出有效 片選無(wú)效到輸出三態(tài) 2114的寫(xiě)周期時(shí)序 CS WE 數(shù)據(jù)總線 t WC W t t DH t WX 地址 寫(xiě)入數(shù)據(jù) 片選無(wú)效到輸入保持 片選到輸入有效 寫(xiě)入時(shí)間 寫(xiě)周期 例： Intel 4116 是 16K 1位的 DRAM芯片 14條地址線，采用了地址復(fù)用技術(shù)，將地址線分成二組，每組 7位，分別為行地址和列地址。用行地址選擇信號(hào) RAS和列地址選擇信號(hào) CAS分時(shí)輸入，可使地址引腳減少一半。 數(shù)據(jù)線采用兩根： Din、 D out 存儲(chǔ)元排成 128 128矩陣。 用行選擇信號(hào)兼作為片選信號(hào)。 MOS隨機(jī)存儲(chǔ)器 DRAM芯片舉例 問(wèn)題 4: 為什么 128 128的矩陣分成二個(gè) 64 128的矩陣 ? 動(dòng)態(tài) RAM的讀寫(xiě)時(shí)序圖： 數(shù)據(jù)輸出數(shù)據(jù)地址讀周期C A SWE( a ) ( b )R A S行地址 列地址數(shù)據(jù)輸入數(shù)據(jù)地址寫(xiě)周期C A SWER A S行地址 列地址靜態(tài)和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器芯片特性 SRAM DRAM 存儲(chǔ)信息 觸發(fā)器 電容 破壞性讀出 非 是 需要刷新 不要 需要 送行列地址 同時(shí)送 分兩次送 運(yùn)行速度 快 慢 集成度 低 高 發(fā)熱量 大 小 存儲(chǔ)成本 高 低 64K?1的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器芯片必要的引腳有哪些？它應(yīng)采用多少引線的封裝？ 思考題 內(nèi)存條實(shí)際上是由多個(gè)存儲(chǔ)芯片構(gòu)成的存儲(chǔ)體，它們被安裝在一個(gè)條狀印刷電路板上，可以方便地插在主板的內(nèi)存插槽中。 常見(jiàn)的內(nèi)存條有以下幾種 SIMM(單邊接觸型內(nèi)存模組 ) 30線 (數(shù)據(jù)位寬 8位 ) 72線 (數(shù)據(jù)位寬 32位 ) DIMM(雙邊接觸型內(nèi)存模組 ) 168線 (數(shù)據(jù)位寬 64位 ) 184線 (數(shù)據(jù)位寬 64位 ) 線數(shù)：指內(nèi)存條連接引腳的數(shù)量。 位寬：指該內(nèi)存條并行傳送數(shù)據(jù)的位數(shù)。 80286 80386 80486 Pentium1 2 3 4 FPM FPM EDO SDRAM SDRAM DDR DDR DRAM DRAM DRAM SDRAM SDRAM 60～ 80 60～ 80 50～ 60 ≤10 6 ～ 7 ≤5 ≤4 各檔微機(jī)使用的 DRAM類(lèi)型及性能 快頁(yè)式動(dòng)態(tài)隨 機(jī)存儲(chǔ)器 擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 586主板、安裝 72線 EDO DRAM PENTIUM 3 主板、安裝 168線 SDRAM RAMBUS DRAM DDR SDRAM PENTIUM 4 主板、安裝 184線內(nèi)存條 幾種新型的 RAM 技術(shù)及芯片類(lèi)型 1． ECC RAM 2． EDO RAM和突發(fā)模式 RAM 3． 同步 RAM（ Synchronous RAM， 簡(jiǎn)稱(chēng) SDRAM） 4． 高速緩沖存儲(chǔ)器 RAM5． RAMBUS內(nèi)存 6． DDR SDRAM 7． Virtual Channel Memory（ VCM） 8． SLDRAM（ Synchnonous Link DRAM） 1． ECC RAM ECC RAM 可以自動(dòng)糾錯(cuò)的 RAM 2. EDO RAM和突發(fā)模式 RAM EDO技術(shù)是在當(dāng)前讀寫(xiě)周期中就啟動(dòng)下一個(gè)讀寫(xiě)周期，比普通 DRAM的讀寫(xiě)速度可提高 30%。突發(fā)模式在當(dāng)前讀寫(xiě)周期中就啟動(dòng)下面 4個(gè)單元的操作，可更大地提高 RAM的讀寫(xiě)速度。 3. 同步 RAM（ SDRAM） CPU和 RAM用同一個(gè)時(shí)鐘，用步工作，比 EDO速度還快。 4. 高速緩沖 RAM（ CDRAM） 把高速的 SRAM集成到 DRAM芯片中，作為 DRAM的內(nèi)部高速緩存。 5. RAMBUS內(nèi)存 通過(guò)簡(jiǎn)化 RAM結(jié)構(gòu)來(lái)提高工作頻率，進(jìn)而提高傳輸速率。 6. DDR SDRAM DDR SDRAM是在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)的 SDRAM，所以叫雙倍速率 SDRAM。常見(jiàn)的有PC1600(數(shù)據(jù)傳輸率 1600GBps)和 PC2600 (數(shù)據(jù)傳輸率 2600GBps) 。 7. VCM VCM虛擬通道存儲(chǔ)器，是一種緩沖式存儲(chǔ)器，其中集成了通道緩沖器，用高速寄存器 進(jìn)行配置和控制，實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸。 ，還有 SLDRAM（ Synchnonous Link DRAM同步鏈動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 ) 、 Direct Rambus DRAM（接口動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器） 、 FCRAM（ Fast Cycle RAM 快速循環(huán)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器）等幾種新型的 RAM技術(shù)及芯片類(lèi)型 。 上述 SRAM及 DRAM共同的特點(diǎn)是當(dāng)去掉電源時(shí)，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)自然消失，因此稱(chēng)為易失性 (volatile)存儲(chǔ)器。 計(jì)算機(jī)中，磁盤(pán)、光盤(pán)上存儲(chǔ)的信息是非易失性的。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中，只讀存儲(chǔ)器也是非易失性的存儲(chǔ)器，或叫非揮發(fā)性器件。 ROM常用于存放固定程序。 ROM可分為以下幾類(lèi)。 半導(dǎo)體只讀存儲(chǔ)器 (ROM) 一、掩模式只讀存儲(chǔ)器 (MROM) “掩模 ” ：是指在 ROM的制作階段，通過(guò)“ 掩模 ” 工序?qū)⑿畔?xiě)到芯片內(nèi)的。下面給出一個(gè)容量為 4 4位的電路情況。 有管子的讀出為 “ 0”，無(wú)管子的讀出為 “ 1” A0 Vdd D0 地 址 譯 碼 00 01 11 10 字選線 0 字選線 1 字選線 3 字選線 2 D1 D3 D2 A1 固定 ROM電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單 ， 集成度高 ， 價(jià)格便宜 ， 存儲(chǔ)數(shù)據(jù)由工廠制造時(shí)固化 ， 數(shù)據(jù)不可改寫(xiě) . 結(jié)論：交叉點(diǎn)處接有MOS管時(shí)相當(dāng)于存 1， 沒(méi)有 MOS管時(shí)相當(dāng)于存 0。 0單元存儲(chǔ)的是 0101 1單元存儲(chǔ)的是 1011 2單元存儲(chǔ)的是 0100 3單元存儲(chǔ)的是 0001 D3 D2 D1 D0 W0 W1 W2 W3 VDD 分析下圖中存儲(chǔ)信息的情況？ 二、可編程只讀存儲(chǔ)器 (PROM) 字選線 Vcc 位線 熔絲 出廠時(shí)熔絲完好，表示存儲(chǔ)元全為 “ 1”。 寫(xiě) “ 0”時(shí)，通大電流將熔絲燒斷。 可編程只讀存儲(chǔ)器是只允許一次性寫(xiě)入的只讀存儲(chǔ)器。 三、可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（ EPROM） 一般所說(shuō)的 EPROM是指可用紫外光擦除然后再重寫(xiě)入的 ROM芯片。 可根據(jù)需要改寫(xiě)多次，將存儲(chǔ)器原有的信息抹去，再寫(xiě)入新的信息，允許改寫(xiě)幾百次 。 方法： 利用雪崩擊穿，采用特殊的雪崩注入 MOS管或疊柵注入 MOS管。 擦除方式： 紫外線照射。 2716 浮空多晶硅柵S DP+ N基 體SiO 2TTT312字線(Z)位線(W)EPROMEDP+EPROM結(jié)構(gòu)示意圖 編程工作原理： 原始狀態(tài)，浮柵上無(wú)電荷， DS兩極間無(wú)導(dǎo)電溝道，管子不導(dǎo)通，此時(shí)定義存儲(chǔ)的 “ 1”，若設(shè)法（利用雪崩效應(yīng)）向浮柵注入電子電荷，就會(huì)在 DS間感應(yīng)出 P型溝道，管子導(dǎo)通，此時(shí)存儲(chǔ)的 “ 0” 擦除工作原理 ： 用紫外光照射電路，使浮柵上的電荷形成光電流泄漏掉，使電路恢復(fù)原始狀態(tài)